公开(公告)号：KR102232142B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020197014101A

申请日：2017-10-26

Applicant: 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션

Inventor： 크리스토퍼 에프. 커비 ,  마이클 레니 ,  다니엘 제이. 오도넬 ,  자코모 산드로 제이. 디

IPC: H01L39/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/66 ,  H01L39/12

CPC classification number: H01L39/2406 ,  H01L21/76891 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53285 ,  H01L23/66 ,  H01L39/12 ,  H01L39/125 ,  H01L39/2467 ,  H01P11/003 ,  H01P3/081 ,  H01L21/76807 ,  H01L2223/6627

Abstract: 초전도체 구조를 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 상기 제1 유전층의 상부면과 정렬된 상부면을 갖는 제1 유전층 내에 초전도성 소자를 형성하는 단계, 상기 제1 유전층 및 상기 초전도성 소자 상에 제2 유전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 유전층에 상기 초전도성 소자 상부로 개구부를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 제1 프로세싱 단계에서 상기 초전도성 소자의 상부면에 형성된 산화물을 제거하기 위해 상기 초전도성 소자의 상부면을 세척하는 프로세스를 수행하는 단계, 상기 초전도성 소자의 상부면 상에 보호 장벽을 형성하는 단계, 및 추가 프로세스를 위해 상기 초전도체 구조를 제2 프로세싱 단계로 이동하는 단계를 포함한다.