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    Connection of superconductive circuit
    3.
    发明专利
    Connection of superconductive circuit 失效
    超导电路的连接

    公开(公告)号：JPS6135578A

    公开(公告)日：1986-02-20

    申请号：JP15527784

    申请日：1984-07-27

    申请人： Agency Of Ind Science & Technol ,  Hitachi Ltd

    发明人： TARUYA YOSHINOBU ,  HAYAKAWA HISAO

    IPC分类号： H01L39/22 ,  H01L39/12

    CPC分类号： H01L39/12

    摘要： PURPOSE:To enable high-packing density superconductive integrated circuits to be wired to each other, by forming independent superconductive integrated circuits on the same substrate, and effecting connection between these integrated circuits by means of superconductive film wirings formed on the substrate. CONSTITUTION:Wirings 2, 3 are arrayed in a lattice by employing one or two superconductive layers which are the same as those used in the integrated circuits. In the case of two or more layers, the wirings are insulated from each other through an interlayer insulating film 10. As a material for the superconductive wiring, Nb or a superconductive material which contains Nb as a principal component, such as Nb3Sn, may be employed. At the intersections in the lattice wiring array, the wirings 2, 3, which need to be connected to each other, are connected by an alloy film 4 containing Pb as a principal components. In the case where the wirings 2, 3 are connected at two positions at an intersection, a Pb alloy 9 as a first layer is first formed to connect the wirings 3, and the interlayer insulating film 10 is formed, and then, a Pb alloy film 11 as a second layer is formed.

    摘要翻译： 目的：通过在同一基板上形成独立的超导集成电路，实现高堆积密度的超导集成电路相互连接，并通过在基板上形成的超导膜布线实现这些集成电路之间的连接。 构成：通过使用一个或两个与集成电路中使用的超导层相同的超导层将布线2,3排列在晶格中。 在两层以上的情况下，布线通过层间绝缘膜10彼此绝缘。作为超导布线的材料，Nb或含有Nb作为主要成分的超导材料，例如Nb 3 Sn，可以是 雇用。 在晶格布线阵列的交点处，需要彼此连接的布线2,3通过含有Pb作为主要成分的合金膜4连接。 在布线2,3在交叉点的两个位置处连接的情况下，首先形成作为第一层的Pb合金9以连接布线3，形成层间绝缘膜10，然后，形成Pb合金 形成作为第二层的膜11。

    三元モリブデンカルコゲニド超電導線を製造するプロセス、およびこのプロセスによって得られた三元モリブデンカルコゲニド超電導線
    7.
    发明专利
    三元モリブデンカルコゲニド超電導線を製造するプロセス、およびこのプロセスによって得られた三元モリブデンカルコゲニド超電導線 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017513176A

    公开(公告)日：2017-05-25

    申请号：JP2016548151

    申请日：2014-02-10

    申请人： エスシーメトロロジー サール ,  エスシーメトロロジー サール

    发明人： シーバー，べルンド

    IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B12/00

    CPC分类号： H01L39/2412 ,  B22F3/15 ,  H01B12/02 ,  H01L39/12

    摘要： 本発明は、三元モリブデンカルコゲニド(TMC)の単芯または多芯の超電導線、特にSnMo6S8(SMS)およびPbMo6S8(PMS)の製造のための熱間等方加圧(HIP)による100%密度のバルク材料の製造のためのプロセスに関する。この種のワイヤは、現在用いられるNb3Snワイヤの限界である、過剰の24テスラにおける磁場の発生を可能にする。さらに、TMC超電導線は、それらが約4倍高い機械強度、すなわち、降伏力Rp02であるので、Nb3Snに対して補完的である。本発明の本質的な部分は、熱間押し出しおよび熱間伸線による変形プロセスであり、これによって、臨界電流密度の重要な増大に必須である、完全な結晶粒界を有するTMC超電導体の塑性/超塑性変形が可能になり、この方法によって、臨界電流の既存の限界までが乗り越えられる。さらに、少なくとも100の残留抵抗率比(RRR)を有する高純度のモリブデンの使用は、モリブデンが、拡散障壁として働くだけでなく、同時に電気スタビライザーとしても機能するので、追加の進歩性とみなされる。

    Thermal type permanent current switch
    9.
    发明专利
    Thermal type permanent current switch 失效
    热式永久电流开关

    公开(公告)号：JPS6180879A

    公开(公告)日：1986-04-24

    申请号：JP20273284

    申请日：1984-09-27

    申请人： Toshiba Corp

    发明人： TAKANO ICHIRO ,  MURASE AKIRA ,  YAMADA MINORU

    IPC分类号： H01L39/20 ,  H01L39/12

    CPC分类号： H01L39/12

    摘要： PURPOSE:To increase resistance per unit length of a superconductor in its normal conductive state by a method wherein at least one element different from those constituting the basic superconductor is added to the basic superconductor composed of at least two kinds of elements. CONSTITUTION:A superconductor 11 is composed, for example, of a basic material 12 that is Cu, Ni, or the like and a multitude of microstructures of a superconductor 13 buried therein. The superconductor 13 may be an alloy NbTiHf constituted of an basic superconductor NbTi and a third element Hf added thereto. The sample superconductor 11 here has a resistance per unit length rp that is approximately three times larger than that in a conventional technique. Consequently, the resistance-caused loss to be experienced during magnetization and demagnetization of a superconducting magnet may be reduced approximately to one third.

    摘要翻译： 目的：通过一种方法来增加超导体在其正常导电状态下的每单位长度的电阻，其中至少一种不同于构成基本超导体的元件被添加到由至少两种元件组成的基本超导体中。 构成：超导体11例如由Cu，Ni等的基体材料12和埋藏在其中的超导体13的多个微观结构构成。 超导体13可以是由添加有碱性超导体NbTi和第三元素Hf构成的NbTiHf合金。 这里的样品超导体11的每单位长度rp的电阻比常规技术大约三倍。 因此，在超导磁体的磁化和退磁过程中所产生的电阻引起的损耗可以减少约三分之一。