公开(公告)号：KR102232142B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020197014101A

申请日：2017-10-26

申请人： 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션

发明人： 크리스토퍼 에프. 커비 ,  마이클 레니 ,  다니엘 제이. 오도넬 ,  자코모 산드로 제이. 디

IPC分类号： H01L39/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/66 ,  H01L39/12

CPC分类号： H01L39/2406 ,  H01L21/76891 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53285 ,  H01L23/66 ,  H01L39/12 ,  H01L39/125 ,  H01L39/2467 ,  H01P11/003 ,  H01P3/081 ,  H01L21/76807 ,  H01L2223/6627

摘要： 초전도체 구조를 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 상기 제1 유전층의 상부면과 정렬된 상부면을 갖는 제1 유전층 내에 초전도성 소자를 형성하는 단계, 상기 제1 유전층 및 상기 초전도성 소자 상에 제2 유전층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 유전층에 상기 초전도성 소자 상부로 개구부를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 제1 프로세싱 단계에서 상기 초전도성 소자의 상부면에 형성된 산화물을 제거하기 위해 상기 초전도성 소자의 상부면을 세척하는 프로세스를 수행하는 단계, 상기 초전도성 소자의 상부면 상에 보호 장벽을 형성하는 단계, 및 추가 프로세스를 위해 상기 초전도체 구조를 제2 프로세싱 단계로 이동하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：JP5757587B2

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：JP2013110254

申请日：2013-05-24

申请人： 国立大学法人東京工業大学 ,  公益財団法人国際超電導産業技術研究センター

发明人： 三浦 正志 ,  安達 成司 ,  田辺 圭一 ,  細野 秀雄

IPC分类号： H01B12/06 ,  H01B12/04 ,  H01F6/06 ,  C01B25/08 ,  C01G51/00 ,  C01G1/00

CPC分类号： H01B12/02 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  H01L39/125 ,  H01L39/143 ,  Y02E40/64 ,  Y02E40/641 ,  Y02E40/642

公开(公告)号：JP5558115B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2009554329

申请日：2009-02-17

申请人： 独立行政法人科学技術振興機構

发明人： 秀雄 細野 ,  陽一 神原 ,  正浩 平野 ,  利夫 神谷 ,  博 柳

IPC分类号： C01G1/00 ,  C01B25/08 ,  C01G49/00 ,  C01G53/00

CPC分类号： C01G53/006 ,  C01G49/009 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/78 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/447 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  H01L39/125

公开(公告)号：JP5411958B2

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：JP2012064918

申请日：2012-03-22

申请人： 中部電力株式会社 ,  田中貴金属工業株式会社

发明人： 直二 鹿島 ,  智則 渡部 ,  重夫 長屋 ,  邦弘 嶋 ,  秀一 窪田

IPC分类号： C30B29/22 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC分类号： B32B15/01 ,  B32B15/04 ,  C30B25/18 ,  H01L39/125 ,  H01L39/2454 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/1259

公开(公告)号：JP2013545213A

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：JP2013523286

申请日：2011-08-02

申请人： ブルックヘヴン サイエンス アソシエイツ リミテッド ライアビリティ カンパニー

发明人： チャン リ ,  ウェイドン シ

IPC分类号： H01B12/06 ,  C01B19/04 ,  C01G1/00 ,  C22C38/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L39/125 ,  H01L39/14 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2412 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T428/24355

摘要： In some embodiments of the invention, superconducting structures are described. In certain embodiments the superconducting structures described are thin films of iron-based superconductors on textured substrates; in some aspects a method for producing thin films of iron-based superconductors on textured substrates is disclosed. In some embodiments applications of thin films of iron-based superconductors on textured substrates are described. Also contemplated is the formation of a film of iron-based superconductor having a thickness and an in-plane lattice constant formed on a textured substrate having a thickness and an in-plane lattice constant similar to the in-plane lattice constant of the iron-based superconductor.

公开(公告)号：JP3575004B2

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：JP2001001948

申请日：2001-01-09

申请人： 独立行政法人 科学技術振興機構 ,  純 秋光

发明人： 鑑応 中川 ,  隆弘 村中 ,  純 永松 ,  純 秋光 ,  勇磁 銭谷

IPC分类号： C04B35/58 ,  C01B35/00 ,  C01B35/04 ,  C04B35/645 ,  C04B35/653 ,  C22C1/00 ,  C22C1/04 ,  C22C23/00 ,  C22C33/02 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC分类号： C01B35/04 ,  C04B35/58057 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/96 ,  C22C33/02 ,  H01L39/125 ,  H01L39/2487 ,  Y10S420/901 ,  Y10S505/785 ,  Y10S505/805

摘要： There are provided an intermetallic compound superconductor that is high in superconducting transition temperature, and an alloy superconductor that is high in superconducting transition temperature and excels in malleability and ductility, as well as a method of making such a superconductor with good reproducibility and at a low cost of manufacture. This entirely new intermetallic compound superconductor is made of magnesium (Mg) and boron (B) and has a chemical composition expressed by formula: Mg1B2, has a hexagonal AlB2 type crystallographic structure and has a superconducting transition temperature (Tc) of 39 K. An alloy containing this intermetallic compound excels in malleability and ductility and constitutes the alloy superconductor having a superconducting transition temperature (Tc) of 39 K. In the method of manufacture, a Mg containing feedstock powder and a B containing feedstock powder are mixed together to form a mixture thereof which is, e.g., hot pressed to produce a semiconductor product.

公开(公告)号：JPWO2014104208A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2014538942

申请日：2013-12-26

申请人： 株式会社フジクラ

发明人： 哲雄 竹本 ,  哲雄 竹本 ,  輝 日高 ,  輝 日高

IPC分类号： H01B12/06 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  H01L39/16 ,  H02H9/02

CPC分类号： H01B12/06 ,  C01G1/00 ,  H01F6/06 ,  H01L39/125 ,  H01L39/143 ,  H01L39/16 ,  H01L39/248

摘要： テープ状の基材と、前記基材上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された酸化物超電導層と、前記酸化物超電導層上に積層されAg又はAg合金からなる保護層と、を有する酸化物超電導積層体と、前記超電導積層体の保護層上に低融点金属層を介して形成され、金属テープからなる安定化層と、を備える酸化物超電導線材であって、前記保護層の膜厚が5μm以下であり、前記安定化層の室温での体積抵抗率が3.8μΩ・cm以上15μΩ・cm以下である。

摘要翻译： 的基材胶带，层叠在基板上，其中，所述中间氧化物上层叠层超导层，在Ag或Ag合金的氧化物超导层上形成由层叠的保护层上的中间层 当氧化物超导体层压材料，具有过超导层压板的保护层上的低熔点金属层形成的，包含稳定化层的氧化物超导线材的金属带形成，则，该 保护层的厚度具有一个5μm以下，在稳定化层在室温下的体积电阻率小于3.8μΩ·cm以上15μΩ·cm以下。

公开(公告)号：JP2015511067A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：JP2014561117

申请日：2013-03-07

申请人： ディー−ウェイブ システムズ,インコーポレイテッド ,  ディー−ウェイブ システムズ,インコーポレイテッド

发明人： ラディジンスキー，エリック ,  ヒルトン，ジェレミー，ピー． ,  オ，ビョン，ヒョプ ,  ブニク，ポール，アイ．

IPC分类号： H01L39/24

CPC分类号： H01L39/2493 ,  B82Y10/00 ,  G06N99/002 ,  H01L27/18 ,  H01L39/025 ,  H01L39/125 ,  H01L39/22 ,  H01L39/223 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2406

摘要： 様々な技法および装置は、超伝導性回路の製作を可能にする。ニオブ/酸化アルミニウム/ニオブ三層を形成することができ、個々のジョセフソン接合(JJ)を形成することができる。保護キャップは、製作の間にJJを保護することができる。ハイブリッド誘電体を形成することができる。超伝導性集積回路は、減法的パターニングおよび/または加法的パターニングを使用して形成することができる。超伝導金属層は、電気めっきによって堆積させることおよび/または化学機械平坦化によって研磨することができる。内層誘電体の厚さは、堆積プロセスによって制御することができる。基板は、シリコンのベースと、酸化アルミニウムを含む最上層とを含み得る。超伝導金属層の堆積は、停止または中断して、完了前の冷却を可能にすることができる。複数の層は、超伝導金属層にアライメントマーカーをパターニングすることによって位置合わせすることができる。

摘要翻译： 各种技术和设备允许超导电路的制造。 可形成铌/氧化铝/铌三层，能够以形成单独的约瑟夫逊结（JJ）。 保护盖，可以在生产过程中保护JJ。 所以能够形成混合电介质。 超导集成电路可以使用减色图案化和/或添加剂图案化来形成。 超导金属层可以通过利用电镀和/或化学机械平坦化沉积进行抛光。 内层电介质的厚度可以通过沉积工艺来控制。 衬底可以包括硅的基底和含顶层氧化铝。 超导金属层的沉积可以使得在完成冷却之前停止或暂停。 多个层可以通过图案化的对准标记的超导金属层对准。

公开(公告)号：JPWO2013015328A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2012552184

申请日：2012-07-25

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 裕子 早瀬 ,  裕子 早瀬 ,  福島　弘之 ,  弘之 福島 ,  良和 奥野 ,  良和 奥野 ,  映二 小嶋 ,  映二 小嶋 ,  久樹 坂本 ,  久樹 坂本

IPC分类号： H01B12/06 ,  C01G1/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L39/125 ,  H01L39/14 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2461 ,  Y10T428/265

摘要： 基材からの金属元素の拡散抑制効果が高く、強制配向層の配向性を向上させる。超電導薄膜用基材(2)は、金属元素を含む基材(10)と、この基材(10)の表面に形成され、スピネル型結晶構造を有した少なくとも1種の遷移金属元素と、Mgと、酸素とからなる非配向のスピネル化合物を主体とするベッド層(22)と、このベッド層(22)の表面に形成され、Mgを含む岩塩型結晶構造の岩塩型化合物を主体とし、2軸配向性を有する強制配向層(24)と、を備える。

摘要翻译： 从基板的金属元素的高扩散抑制效果，提高了强制对准层的定向。 超导薄膜基材（2）是一种包含一个金属元件（10），形成在基板（10），其具有尖晶石晶体结构的至少一种过渡金属元素，镁的表面上的基板 如果，然后床层主要由尖晶石化合物是非取向由氧（22）的，形成在床层（22）的表面上，主要是包含Mg，2岩盐型晶体结构的岩盐型化合物 包括具有轴向取向（24）迫使取向层中，。

公开(公告)号：JP2013016396A

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：JP2011149300

申请日：2011-07-05

申请人： Hitachi Ltd ,  株式会社日立製作所

发明人： TANAKA KAZUHIDE ,  KODAMA KAZUMUNE ,  KONDO YASUO

IPC分类号： H01B12/10 ,  C01B31/30 ,  C01G1/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L39/141 ,  H01L39/125 ,  H01L39/2487

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a superconducting wire rod which is obtained by heat treatment at a lower temperature when compared with prior art while having a high critical current density and a manufacturing method therefor.SOLUTION: The superconducting wire rod 10 having a high critical current density can be obtained by heat treatment at a lower temperature when compared with prior art, because a compound 1 represented by the following formula (1) is added. A manufacturing method therefor is also provided. Mg(BC)...(1)(In the formula (1), x is a number satisfying a relation 0

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种与现有技术相比在较低温度下通过热处理而获得的超导线材，同时具有高临界电流密度及其制造方法。 解决方案：与现有技术相比，由于加入由下式（1）表示的化合物1，所以具有高临界电流密度的超导线材10可以通过在较低温度下进行热处理来获得。 还提供了一种制造方法。 Mg（B 1-x C x ） y ... 1）（式（1）中，x是满足关系式0