公开(公告)号：KR20210031963A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020217004883A

申请日：2019-06-28

申请人： 마이크로소프트 테크놀로지 라이센싱, 엘엘씨

发明人： 마이클 하틀리 프리드만 ,  헤크 버나드 반 ,  게오르그 볼프강 윈클러 ,  토르스텐 카직 ,  로만 럿친 ,  제페슨 피터 크록스트럽 ,  체탄 나야크 ,  찰스 마사메드 마커스 ,  사울리우스 바이티에케나스

IPC分类号： H01L39/22 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L39/24

CPC分类号： G06N10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/18 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66977 ,  H01L39/125 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2406 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L39/22

摘要： 본 개시는 양자 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 디바이스는, 어떤 길이의 반도체 재료 및 반도체 재료 상에 코팅되는 초전도체 재료의 코팅을 각각 포함하는 하나 이상의 반도체-초전도체 나노와이어를 포함한다. 나노와이어는 기판 위에 형성될 수도 있다. 제1 양태에서, 나노와이어 중 적어도 일부는, 와이어의 길이의 일부 또는 모두를 따라 반도체 재료의 전체 둘레 주위에 초전도체 재료가 코팅되는 풀 쉘 나노와이어인데, 디바이스는 풀 쉘 나노와이어 중 하나 이상의 활성 나노와이어에서 적어도 하나의 Majorana 제로 모드(MZM)를 유도하도록 동작 가능하다. 제2 양태에서, 나노와이어 중 적어도 일부는 완성된 디바이스에서 기판의 평면에 대해 수직으로 배열된다.