公开(公告)号：KR102223037B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020140132546A

申请日：2014-10-01

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 한상헌 ,  이동율 ,  김승현 ,  김장미 ,  윤석호 ,  이상준

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/005 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0025

摘要： 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층을 교대로 형성함으로써 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층은, 상기 제1 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제1 양자장벽층과, 상기 제2 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 포함하며, 상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 제1 양자장벽층을 제1 온도로 성장하는 단계와, 상기 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 성장하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공할 수 있다.