公开(公告)号：KR102232488B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020180168349A

申请日：2018-12-24

申请人： 한국세라믹기술원

发明人： 신동근 ,  조광연

IPC分类号： C01B32/963 ,  B01J27/22

CPC分类号： C01B32/963 ,  B01J27/22 ,  C01P2004/10 ,  C01P2006/12

摘要： 본 발명의 일 실시예는 탄화규소를 포함하는 기재; 및 상기 탄화규소를 포함하는 기재 표면에 성장된 탄화규소 휘스커를 포함하는 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기 탄화규소 휘스커는 상기 탄화규소를 포함하는 기재에 화학적으로 결합될 수 있다. 탄화규소 전구체 고분자에 촉매로 작용하는 기능성 원소를 복합 도핑하고, 열처리를 통해 세라믹으로 전환되는 과정에서 기능성 원소의 촉매 작용에 의해 세라믹 표면에서 휘스커가 성장하므로, 탄화규소 기재와 탄화규소 휘스커가 화학적 결합을 이루어 안정한 복합체를 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 첨가하는 도핑 촉매의 양, 열처리 조건 등의 공정 조건을 조절함으로써 목적으로 하는 용도에 따라 휘스커의 형태, 비표면적 및 성장 정도를 다양하게 맞춤화하여 제어할 수 있다.

公开(公告)号：JP2018048056A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2016222135

申请日：2016-11-15

申请人： 國家中山科學研究院

发明人： 柯政榮 ,  馬代良 ,  林柏丞 ,  陳學儀 ,  虞邦英 ,  葉書佑

IPC分类号： C01B32/90 ,  C01B32/984

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C01B32/963 ,  C04B35/565 ,  C30B23/02

摘要： 【課題】多孔性炭素材料、高純度ケイ素原料、金属原料、合成炉、合成反応等のプロセスを統合し、必要な炭化物粉末原料を得る、炭化物原料の製造方法の提供。 【解決手段】本発明の炭化物原料の製造方法は、(A)多孔性炭素材料と高純度ケイ素原料または金属原料を提供し、前記多孔性炭素材料と前記高純度ケイ素原料または金属原料を交互に充填して、層状構造物を形成する工程と、(B)前記層状構造物を合成炉内に設置して、真空化プロセスを行う工程と、(C)不活性気体雰囲気下で、前記層状構造物を合成反応させて炭化物原料を得る工程を含み、記炭化物原料が粒径300μm以下の炭化物粉末であり、これにより、粒径が300μm以下の炭化物粉末を直接製造し、粉砕、酸化、酸洗浄等のプロセスにより引き起こされる二次原料汚染の問題を回避することができる。 【選択図】図2

公开(公告)号：KR102233751B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190027932A

申请日：2019-03-12

申请人： 주식회사 카보넥스

发明人： 김석진

IPC分类号： B01J19/00 ,  B01J12/00 ,  C01B32/963

CPC分类号： B01J19/0053 ,  B01J12/00 ,  B01J19/0006 ,  C01B32/963 ,  B01J2219/00162 ,  B01J2219/00184 ,  B01J2219/00193

摘要： 챔버 및 상기 챔버 내부로 소정의 반응가스를 공급하는 가스공급부를 포함하는 탄화규소 제조장치에 있어서, 상기 가스공급부는, 반응가스 용액을 저장하는 메인 저장소; 상기 반응가스 용액에 비활성 기체 또는 수소를 혼합하며 기포를 발생시킴으로써 제조한 반응가스를 상기 챔버에 제공하는 반응가스 혼합기; 및 상기 반응가스 혼합기로 투입되는 반응가스 용액의 양을 모니터링하고 조절하는 반응가스 제어 시스템;을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 제조장치를 제공한다.

公开(公告)号：JP2018176026A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017075399

申请日：2017-04-05

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 永井 久雄 ,  小岩崎 剛 ,  田邉 正明 ,  大熊 崇文

IPC分类号： H05H1/48 ,  H05H1/42 ,  B01J19/08

CPC分类号： B22F1/0018 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0841 ,  B01J2219/0898 ,  B22F9/14 ,  B22F2201/20 ,  B22F2202/13 ,  B22F2999/00 ,  C01B21/064 ,  C01B21/068 ,  C01B32/963 ,  C01B33/113 ,  C01B33/182 ,  C01F7/02 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62834 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5454 ,  H01J37/32055 ,  H05H1/42 ,  H05H1/48 ,  H05H2245/124

摘要： 【課題】 微粒子の処理効率を向上させ、生産量を増加させることができる微粒子製造装置及び方法を提供する。 【解決手段】 真空チャンバー1と、真空チャンバー一端側に接続されて、材料粒子17を真空チャンバー内に材料供給口12から供給する材料供給装置10と、真空チャンバー中間部に配置して、位相が互いに異なる交流電力が夫々印加されてプラズマ16を発生させる複数の電極4a,4bと、真空チャンバー他端に接続されて微粒子18を回収する回収装置3とを有して、プラズマ16を発生させ、材料粒子から微粒子を製造する装置であって、材料供給口近傍から回収装置までの間で材料が流れる方向に対して夫々交差する、材料供給口側の第1電極配置領域81と、第1電極配置領域から回収装置側に離れた第2電極配置領域82とを真空チャンバー中間部に有し、第1電極配置領域と第2電極配置領域との夫々に電極を複数本配置して多段に構成している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6371818B2

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：JP2016222135

申请日：2016-11-15

申请人： 國家中山科學研究院

发明人： 柯政榮 ,  馬代良 ,  林柏丞 ,  陳學儀 ,  虞邦英 ,  葉書佑

IPC分类号： C01B32/921 ,  C01B32/984

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C01B32/963 ,  C04B35/565 ,  C30B23/02

公开(公告)号：JPWO2016088883A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2016562698

申请日：2015-12-04

申请人： 新日鐵住金株式会社

发明人： 佐藤　信也 ,  信也 佐藤 ,  藤本　辰雄 ,  辰雄 藤本 ,  勝野　正和 ,  正和 勝野 ,  弘志 柘植 ,  弘志 柘植 ,  正史 中林 ,  正史 中林

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC分类号： C30B23/025 ,  C01B32/963 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/243 ,  C30B29/36

摘要： 本発明は、らせん転位の減少した領域を広い範囲で確保したSiC単結晶基板が得られるようになるSiC単結晶の製造方法、及びSiC単結晶基板を提供する。前記SiC単結晶基板は、{0001}面からオフ方位にオフ角を有する種結晶を用いて、前記バルク状の炭化珪素単結晶が成長した結晶端面の結晶周縁部にファセット{0001}面を形成すると共に、得られるSiC単結晶の50%超の厚みを得る結晶成長を行う成長主工程に先駆けて、前記成長主工程よりも窒素濃度を高めて、成長雰囲気圧力が3.9kPa以上39.9kPa以下、種結晶の温度が2100℃以上2300℃未満で結晶成長させる成長副工程を含める製造方法によって製造される。