プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する湿式洗浄工程
    4.
    发明专利
    プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄する湿式洗浄工程 审中-公开
    用于清洁等离子体处理室组件的清洁清洁工艺

    公开(公告)号:JP2016063226A

    公开(公告)日:2016-04-25

    申请号:JP2015178095

    申请日:2015-09-10

    摘要: 【課題】プラズマ処理チャンバの構成部品を洗浄するシステムおよび方法を提供する。 【解決手段】プラズマ処理チャンバから構成部品を取り出すことを含み、取り出した構成部品は、構成部品の表面に堆積した物質を含む。構成部品に堆積した物質に加熱した酸化性溶液を当てて、堆積物質の第1の部分を酸化させる。構成部品に剥離液を当てて、堆積物質の酸化した第1の部分を除去する。エッチング液を当てて、堆積物質の第2の部分を除去し、洗浄した構成部品をすすいで乾燥させる。 【選択図】図3A

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种清洁等离子体处理室的部件的系统和方法。解决方案:该方法包括从等离子体处理室中去除部件,去除的部件包括沉积在部件表面上的材料。 将加热的氧化溶液施加到沉积在部件上的材料,以氧化沉积材料的第一部分。 将剥离溶液施加到组分以除去沉积材料的氧化的第一部分。 施加蚀刻溶液以去除沉积材料的第二部分,并且可以清洗和干燥清洁的部件。选择的图示:图3A

    Method for cleaning process kit and chamber, and method for recovering ruthenium
    6.
    发明专利
    Method for cleaning process kit and chamber, and method for recovering ruthenium 有权
    用于清洁工艺包和室的方法,以及用于回收粗糙度的方法

    公开(公告)号:JP2014194085A

    公开(公告)日:2014-10-09

    申请号:JP2014114614

    申请日:2014-06-03

    IPC分类号: C23C14/00

    CPC分类号: C23C16/4407 C23C14/564

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for recovering ruthenium so as to be reused, by cleaning deposited ruthenium from a vapor deposition apparatus, in manufacture of an electronic device.SOLUTION: A method is provided for recovering a metal from electronic device deposition equipment including: providing 102 deposition equipment at least partially coated with a deposited metal; blasting 106 the deposition equipment with a grit to remove at least some of the deposited metal to form a blasted grit and a removed metal; and separating at least some of the removed metal from the blasted grit to dissolve the blasted grit recovering a metal.

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种回收钌以便重新使用的方法,通过从蒸镀装置中清除沉积的钌,制造电子器件。提供一种从电子设备沉积设备中回收金属的方法 包括:提供至少部分涂覆有沉积金属的102个沉积设备; 用沉砂处理沉积设备106以除去至少一些沉积的金属以形成喷砂砂粒和去除的金属; 并将去除的金属中的至少一些与喷砂砂粒分离,以溶解回收金属的喷砂砂粒。

    Cleaning method of deposition apparatus, and manufacturing apparatus of semiconductor
    8.
    发明专利
    Cleaning method of deposition apparatus, and manufacturing apparatus of semiconductor 审中-公开
    沉积装置的清洗方法和半导体制造装置

    公开(公告)号:JP2013033866A

    公开(公告)日:2013-02-14

    申请号:JP2011169445

    申请日:2011-08-02

    发明人: YOKOGAWA MASAHIRO

    IPC分类号: H01L21/31 C23C16/44

    CPC分类号: C23C16/4407

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method of a deposition apparatus that suppresses the occurrence of static electricity.SOLUTION: A cleaning method of a deposition apparatus comprises: a step of humidifying the periphery of the deposition apparatus (S40); a step of releasing the deposition apparatus to the air (S60); and a step of removing sediment inside the deposition apparatus (S70).

    摘要翻译: 要解决的问题:提供抑制静电发生的沉积设备的清洁方法。 解决方案:沉积设备的清洁方法包括:加湿沉积设备的周边的步骤(S40); 将沉积装置释放到空气的步骤(S60); 以及除去沉积装置内的沉积物的步骤(S70)。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT