PTCサーミスタおよびPTCサーミスタの製造方法
    4.
    发明专利
    PTCサーミスタおよびPTCサーミスタの製造方法 有权
    制造PTC热敏电阻器和PTC热敏电阻的方法

    公开(公告)号:JPWO2013065441A1

    公开(公告)日:2015-04-02

    申请号:JP2013541684

    申请日:2012-10-03

    Abstract: キュリー点が低く、室温付近の低い温度で動作させることが可能で、かつ、室温抵抗が低く、抵抗温度特性の高いチタン酸バリウム系半導体セラミックを用いたPTCサーミスタを提供する。PTCサーミスタを構成する半導体セラミックとして、Ba、Ti、SrおよびCaを含むペロブスカイト型化合物と、Mnと、半導体化剤とを含有し、Ba、Sr、Caおよび半導体化剤の合計含有モル部を100としたときの、Srの含有モル部a、Caの含有モル部bが、20.0≦̸a≦̸22.5のとき、12.5≦̸b≦̸17.5、22.5≦̸a≦̸25.0のとき、12.5≦̸b≦̸15.0であり、TiおよびMnの合計含有モル部を100としたときの、Mnの含有モル部cが、0.030≦̸c≦̸0.045である半導体セラミックを用いる。

    Abstract translation: 居里点低,它可以在室温附近的低温和低室温电阻下工作,以提供一PTC热敏电阻器具有基于钛酸高电阻温度特性钡半导体陶瓷。 作为构成PTC热敏电阻器,钡,钛,和钙钛矿型化合物含有Sr和Ca,以及Mn和含有半导体化剂,钡,锶,钙的总含量的摩尔份数和半导体化剂100的半导体陶瓷 当你,摩尔一部分Sr中,b Ca的摩尔部为,20.0≰当22.5,12.5&NLE ;;一个&NLE时间25.0,12.5&NLE ;; b≰ 17.5,22.5≰ A&NLE b≰ 15.0,若Ti的总摩尔份数和Mn为100,所述摩尔部C的Mn,0.030&NLE的;使用所述半导体陶瓷是0.045; C&NLE。

    電子部品の実装構造
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2012114874A1

    公开(公告)日:2014-07-07

    申请号:JP2013500942

    申请日:2012-02-08

    Abstract: はんだでの実装が可能で、固相法で形成したとしても、密着強度が優れたサーミスタ及びその製造方法を提供する。金属基材と、固相法によって金属基材上に形成された半導体セラミック層と、半導体層上に形成された一対の分割電極とを備え、金属基材にはセラミック粒子が含有されており、セラミック粒子またはセラミック粒子が連続して形成される柱構造により、金属基材が厚み方向に分断されていないことを特徴とする。電子部品の前記金属基材の厚みが10〜80μm、セラミック層の厚みが1〜10μmであることが好ましい。

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