利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

136 条记录 (耗时 0.036 秒)

    発光デバイス
    2.
    发明专利
    発光デバイス 有权
    一种发光器件

    公开(公告)号：JP2017038076A

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：JP2016208006

    申请日：2016-10-24

    申请人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド

    发明人： リー, ジョン−ラム ,  ジョン, イン−クォン ,  ヨー, ミュン チョル

    IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/32

    CPC分类号： H01L33/12 ,  H01C7/006 ,  H01C7/008 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  Y10S438/958 ,  Y10S438/977

    摘要： 【課題】GaNをベースにした縦形態のデバイスを提供する。 【解決手段】発光デバイスは、下から順に、金属支持層156と、p型コンタクト層150と、p型半導体層、能動層126及びn型半導体層を含む半導体構造と、n型コンタクト層160と、金属パッド層とを含み、半導体構造の側面を覆い且つn型コンタクト層の上面を覆わない不活性層162を含む。金属支持層はNiを含み、p型コンタクト層はPtを含み、半導体構造はGaNを含み、n型コンタクト層はTi及びAlを含み、金属パッド層はAuを含み、不活性層はSiO2を含む。半導体構造の厚さは5μm未満であり、p型半導体層はn型半導体層よりも厚く、半導体構造においてp型半導体層が占める厚さの割合は60%より高い。半導体構造の幅はp型、n型コンタクト層の幅よりも広く、p型コンタクト層の幅はn型コンタクト層の幅よりも広い。半導体構造の上面と下面は表面粗さが異なる。 【選択図】図15

    摘要翻译： 为了提供垂直形式，其中GaN基的装置。 一种发光器件，包括：在从底部，包括有源层126和n型半导体层，n型接触层的金属支撑层156，p型接触层0.99，p型半导体层，和一半导体结构顺序160 和金属衬垫层包括钝化层162不覆盖在盖和半导体结构的n型接触层的顶侧。 金属支承层含有Ni，p型接触层包含Pt，半导体结构包括的GaN的n型接触层包括Ti和Al，金属衬垫层包含Au，惰性层包括SiO 2 。 半导体结构的厚度小于5微米，p型半导体层比所述n型半导体层更厚，由p型半导体层中的半导体结构所占据的厚度的比率是高于60％。 半导体结构的宽度为p型，比n型接触层的宽度宽，在p型接触层的宽度比所述n型接触层的宽度宽。 上部和半导体结构的表面粗糙度的下表面是不同的。 .The 15

    薄膜抵抗器及びその製造方法
    3.
    发明专利
    薄膜抵抗器及びその製造方法 审中-公开
    薄膜电阻器及其制造方法

    公开(公告)号：JP2017022176A

    公开(公告)日：2017-01-26

    申请号：JP2015136373

    申请日：2015-07-07

    申请人： KOA株式会社

    发明人： 廣島 安

    IPC分类号： H01C17/12 ,  H01C7/00

    CPC分类号： H01C7/06 ,  H01C17/12 ,  H01C7/006 ,  H01C7/021 ,  H01C7/022 ,  H01C7/041 ,  H01C7/042

    摘要： 【課題】良好なTCR特性を保持しつつ、従来よりも高い抵抗値を有する薄膜抵抗器を提供する。 【解決手段】基板上に一対の電極と、前記一対の電極と接続された抵抗膜を形成した薄膜抵抗器であって、前記抵抗膜は、第1の抵抗膜と前記第1の抵抗膜とはTCRが異なる第2の抵抗膜とからなり、前記第1の抵抗膜と前記第2の抵抗膜とは、いずれもSi、Cr、Nを主成分とする薄膜抵抗器。 【選択図】図1

    摘要翻译： 保持良好的TCR特性，A而提供一种具有比常规更高的电阻值的薄膜电阻器。 的一对电极的基板，与所述一对电极和电阻连接膜，所述电阻膜形成的薄膜电阻器，所述第一电阻膜的第一电阻膜 薄膜电阻器的第二电阻膜TCR不同，其中，所述第一电阻膜与所述第二电阻膜，两主要成分的Si，Cr和N是构成。 点域1

    抵抗変化素子、半導体装置、および抵抗変化素子の形成方法
    5.
    发明专利
    抵抗変化素子、半導体装置、および抵抗変化素子の形成方法 有权
    电阻变化元件，半导体器件和形成电阻变化元件的方法

    公开(公告)号：JP2015111712A

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：JP2015013184

    申请日：2015-01-27

    申请人： 日本電気株式会社

    发明人： 多田 宗弘 ,  岡本 浩一郎 ,  阪本 利司 ,  波田 博光

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/28 ,  H01L27/105

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01C17/08 ,  H01C7/006 ,  H01C7/18 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1675

    摘要： 【課題】信頼性を維持したまま、低電圧化を可能にした抵抗変化素子を提供する。 【解決手段】第1の電極101及び第2の電極103と、第1の電極101及び第2の電極103の間に設けられた、少なくとも酸素及び炭素を含むイオン伝導層102と、を有する。第1の電極101はイオン伝導層へ伝導可能な金属を含む。イオン伝導層102は、酸素及び炭素の他に少なくともシリコンを元素として含む多孔質膜であり、6員環又は8員環からなるシロキサン構造を含む膜であり、少なくとも不飽和炭化水素基を含む膜である。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够实现低电压同时保持可靠性的电阻变化元件。解决方案：电阻变化元件包括：第一电极101; 第二电极103; 以及设置在第一电极101和第二电极103之间并且至少包括氧和碳的离子传导层102。 第一电极101包括能够导电到离子传导层的金属。 离子导电层102是除了氧和碳之外至少包括作为元素的硅的多孔膜。 多孔膜是包含由6或8元环和至少不饱和烃基构成的硅氧烷结构的膜。

    Temperature sensor
    8.
    发明专利
    Temperature sensor 有权
    温度感应器

    公开(公告)号：JP2014149153A

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：JP2013016307

    申请日：2013-01-31

    申请人： Mitsubishi Materials Corp ,  三菱マテリアル株式会社

    发明人： NAGATOMO KENSHO ,  INABA HITOSHI ,  TAKESHIMA ICHITA ,  TANAKA HIROSHI

    IPC分类号： G01K7/22 ,  G01K13/08 ,  H01C7/04

    CPC分类号： G01K7/22 ,  G01K1/143 ,  G01K13/08 ,  H01C1/14 ,  H01C1/1406 ,  H01C1/1413 ,  H01C1/142 ,  H01C7/006 ,  H01C7/008 ,  H01C7/04 ,  H01L23/495 ,  H01L35/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a temperature sensor that has high accuracy and excellent responsiveness and hardly causes damage to an object to be measured, when pressing against a heating roller or the like to detect temperature.SOLUTION: A temperature sensor comprises a pair of lead frames 2, a sensor part 3 connected to the pair of lead frames, and an insulating holding part 4 for holding the lead frames. The sensor part includes: a band-like insulating film 6; a thin film thermistor part 7 pattern-formed at the central part of the surface of the insulating film; a pair of interdigital electrodes, having a plurality of interdigital parts on the thin film thermistor part, pattern-formed facing each other; and a pair of pattern electrodes 9, whose one end is connected to the pair of interdigital electrodes and whose other end is connected to the pair of lead frames at the end of the insulating film, pattern-formed on the surface of the insulating film. The insulating film has the thin film thermistor part arranged at its tip part, in a state of being bent substantially in a U shape, and has its both ends fixed to the pair of lead frames.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种温度传感器，其具有高精度和优异的响应性，并且几乎不会对被测量物体造成损伤，当压靠加热辊等来检测温度时。解决方案：温度传感器包括一对 引线框架2，连接到一对引线框架的传感器部件3和用于保持引线框架的绝缘保持部件4。 传感器部分包括：带状绝缘膜6; 在绝缘膜的表面的中心部分形成图形的薄膜热敏电阻部7; 一对叉指电极，在薄膜热敏电阻部分上具有多个叉指部分，图案形成为彼此面对; 以及一对图案电极9，其一端连接到一对叉指电极，并且另一端在绝缘膜的端部连接到一对引线框，在绝缘膜的表面上图案形成。 绝缘膜具有在其顶端部分布置的薄膜热敏电阻部分，其基本上为U形弯曲的状态，并且其两端固定在该对引线框架上。

    Method of fabricating vertical structure leds
    10.
    发明专利
    Method of fabricating vertical structure leds 审中-公开
    制造垂直结构LED的方法

    公开(公告)号：JP2013175748A

    公开(公告)日：2013-09-05

    申请号：JP2013077709

    申请日：2013-04-03

    申请人： Lg Electronics Inc ,  エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド

    发明人： LEE JONG LAM ,  JEONG IN-KWON ,  YOO MYUNG CHEOL

    IPC分类号： H01L33/32 ,  H01C7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44

    CPC分类号： H01L33/12 ,  H01C7/006 ,  H01C7/008 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  Y10S438/958 ,  Y10S438/977

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fabricating vertical devices using a metal support layer.SOLUTION: A vertical light-emitting device comprises: a conductive support structure; a semiconductor structure having a first surface, a second surface, and side surfaces and including a first-type semiconductor layer 128, an active layer 126, and a second-type layer 124, where the first surface, relative to the second surface, is most proximate to the conductive support structure; a first electrode 150 electrically connected to the first-type layer 128; a second electrode 160 electrically connected to the second-type layer 124; and a passivation layer 162 on the side surfaces of the semiconductor structure. The passivation layer 162 is further arranged on the second surface of the semiconductor structure to partially cover the second-type layer 124 on the second surface. The passivation layer 162 is arranged partially between the semiconductor structure and the conductive support structure to partially cover the first surface of the semiconductor structure. The portion of the passivation layer 162 over the second surface of the semiconductor structure is larger than the portion of the passivation layer 162 over the first surface of the semiconductor structure.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供使用金属支撑层制造垂直装置的方法。解决方案：垂直发光装置包括：导电支撑结构; 具有第一表面，第二表面和侧表面并且包括第一类型半导体层128，有源层126和第二类型层124的半导体结构，其中第一表面相对于第二表面是 最靠近导电支撑结构; 电连接到第一类型层128的第一电极150; 电连接到第二类型层124的第二电极160; 以及半导体结构的侧表面上的钝化层162。 钝化层162进一步布置在半导体结构的第二表面上以部分覆盖第二表面上的第二类型层124。 钝化层162部分地布置在半导体结构和导电支撑结构之间以部分地覆盖半导体结构的第一表面。 半导体结构的第二表面上的钝化层162的部分大于半导体结构的第一表面上的钝化层162的部分。