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    放射線分析装置
    1.
    发明专利
    放射線分析装置 有权
    辐射分析仪

    公开(公告)号：JP2016024900A

    公开(公告)日：2016-02-08

    申请号：JP2014146829

    申请日：2014-07-17

    Applicant: 日本電子株式会社

    Inventor： 岩澤 頼信

    IPC: H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  H01J37/252

    CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/22 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/2445 ,  H01J37/28

    Abstract: 【課題】効率よく放射線を検出することができる放射線分析装置を提供する。 【解決手段】本発明に係る放射線分析装置100は、一次線を発生させる一次線源と、前記一次線源で放出された前記一次線を試料に照射する光学系と、前記一次線が照射されることによって前記試料から発生する放射線を検出するエネルギー分散型の放射線検出器50と、前記光学系の光軸Zに対する放射線検出器50の中心軸Cの傾きが可変となるように放射線検出器50を支持する支持部60と、を含む。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够有效地检测辐射的辐射分析仪。解决方案：辐射分析器100包括产生初级射线的主要射线源，用于从初级射线源辐射的主射线照射样品的光学系统， 用于在照射一次光线时检测从样品产生的辐射的能量分散放射线检测器50和用于支撑放射线检测器50的支架60，使得辐射线检测器50的中心轴线C的倾斜度是可变的 对于光学系统的光轴Z。选择图：图2

    Projection lens structure
    2.
    发明专利
    Projection lens structure 有权
    投影镜头结构

    公开(公告)号：JP2013140997A

    公开(公告)日：2013-07-18

    申请号：JP2013024799

    申请日：2013-02-12

    Applicant: Mapper Lithography Ip Bv ,  マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.

    Inventor： MARCO JAN JACO WIELAND ,  ALEXANDER HENDRIK VINCENT VAN VEEN

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/147 ,  H01J37/305

    CPC classification number: H01J37/3177 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/15

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite small beam charged particle lithography system in which a small limit dimensions are achieved, and a sufficient throughput of a wafer can be maintained.SOLUTION: The charged particle multiple small beam system for exposing a target by using a plurality of small beams includes at least one charged particle source 1 for generating a charged particle beam, an aperture array 4 defining individual small beams from a beam thus generated, a small beam manipulator for converging a group of small beams toward a common convergence point of each group, a small beam blanker 6 for blanking the small beam in the group of small beams controllably, and an array of a plurality of projection lens systems 10 for projecting a small beam not subjected to blanking in the group of small beams onto the surface of a target. The small beam manipulator converges each of the small beams in the group toward one corresponding point of these projection lens systems.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种复合小束带电粒子光刻系统，其中实现了小的极限尺寸，并且可以保持足够的晶片生产能力。解决方案：用于通过使用暴露目标的带电粒子多小梁系统 多个小光束包括至少一个用于产生带电粒子束的带电粒子源1，从这样产生的束限定各个小光束的孔径阵列4，用于将一组小束朝向公共会聚点会聚的小光束操纵器 每个组中的一个小束消除器6，用于对可控小组的小束中的小束进行消隐;以及多个投影透镜系统10的阵列，用于将小波束组中未受到消隐​​的小光束投影到 目标的表面。 小束操纵器将组中的每个小束朝向这些投影透镜系统的一个对应点会聚。

    画像取得方法および透過電子顕微鏡
    8.
    发明专利
    画像取得方法および透過電子顕微鏡 审中-公开
    图像采集方法和传输电子显微镜

    公开(公告)号：JP2015082380A

    公开(公告)日：2015-04-27

    申请号：JP2013219239

    申请日：2013-10-22

    Applicant: 日本電子株式会社

    Inventor： 飯島 寛文

    IPC: H01J37/153 ,  H01J37/22 ,  H01J37/21 ,  H01J37/26

    CPC classification number: H01J37/21 ,  H01J37/226 ,  H01J37/26 ,  H01J37/263 ,  H01J37/265 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/1534 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/2614

    Abstract: 【課題】幅広い周波数帯の情報を得ることができる画像取得方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る画像取得方法は、透過電子顕微鏡の画像取得方法であって、透過電子顕微鏡の結像系の球面収差係数および色収差係数の少なくとも一方を設定して、エンベローブ包絡関数によるコントラスト伝達関数の減衰を抑制する工程と、デフォーカス条件の前記結像系によって、画像の取得を行う工程と、を含む。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够获取宽频带上的信息的图像获取方法。解决方案：用于透射电子显微镜的本发明的图像获取方法包括以下步骤：抑制衰减 通过设置透射电子显微镜的成像系统的球面像差系数和色像差系数中的至少一个，基于包络函数的对比度传递函数; 以及在散焦条件下由成像系统获取图像。

    System for changing energy of ribbon ion beam and ion implantation system
    9.
    发明专利
    System for changing energy of ribbon ion beam and ion implantation system 有权
    改变RIBBON离子束和离子植入系统的能量的系统

    公开(公告)号：JP2014183042A

    公开(公告)日：2014-09-29

    申请号：JP2013241688

    申请日：2013-11-22

    Applicant: Nissin Ion Equipment Co Ltd ,  日新イオン機器株式会社

    Inventor： SAMI K HAHTO ,  HAMAMOTO NARIAKI ,  IAI TETSUYA

    IPC: H01J37/317 ,  H01J37/04 ,  H01L21/265

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30472

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system for generating a ribbon ion beam having desired energy and high-grade profile uniformity.SOLUTION: An ion implantation system 10 comprises: an ion source 12 generating a ribbon ion beam 8; and at least one correction device 42 for adjusting a current density along a longitudinal dimension of the ion beam 8 in such a manner that a current density profile exhibits desired uniformity. The ion implantation system 10 may also include other elements such as an analysis magnet 20, an electrostatic deflector 52 and a convergent lens 48 for shaping the ion beam 8, guiding the ion beam to an end station 24 and making the ion beam incident to a substrate 26. In some embodiments, a nominally one-dimensional ribbon beam 8 having a longitudinal dimension larger than a diameter of the substrate is generated, such that ions can be implanted into the substrate while having high-grade longitudinal profile uniformity.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于产生具有期望能量和高等级轮廓均匀性的带状离子束的系统。解决方案：离子注入系统10包括：产生带状离子束8的离子源12; 以及至少一个用于沿着离子束8的纵向尺寸调节电流密度的校正装置42，使得电流密度分布呈现期望的均匀性。 离子注入系统10还可以包括诸如分析磁体20，静电偏转器52和用于使离子束8成形的会聚透镜48的其它元件，将离子束引导到终端台24并使离子束入射到 衬底26.在一些实施例中，产生具有大于衬底直径的纵向尺寸的名义上的一维带状束8，使得可以将离子注入到衬底中同时具有高等级的纵向轮廓均匀性。

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