Method for correcting electronic proximity effect by using off-centered scattering function
    3.
    发明专利
    Method for correcting electronic proximity effect by using off-centered scattering function 有权
    通过使用非中心散射函数来校正电子近似效应的方法

    公开(公告)号:JP2013042137A

    公开(公告)日:2013-02-28

    申请号:JP2012179458

    申请日:2012-08-13

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for correcting an electronic proximity effect by using an off-centered scattering function.SOLUTION: The present invention discloses a method of projecting an electron beam, which is used in especially direct or indirect drawing lithography and an electron microscope examination. Especially in the case of limit dimension or resolution below 50 nm, a proximity effect caused by front and back scattering of electrons in a beam interacting a target should be corrected. For the correction, convolution integration of a point spread function with respect to a shape of the target is used conventionally. A conventional technology has the point spread function whose center is at the center of the beam, and uses a Gaussian function or exponential distribution law. In the present invention, at least one component of the point spread function has a maximum value whose position is not at the center of the beam. Preferably the maximum value is positioned at a back scattering peak. Advantageously, a gamma distribution law is used for the point spread function.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过使用偏心散射函数来校正电子接近效应的方法。 解决方案:本发明公开了一种投影电子束的方法,特别用于直接或间接绘制光刻和电子显微镜检查。 特别是在极限尺寸或分辨率低于50nm的情况下,应当纠正由相互作用的光束中的电子的前后散射引起的邻近效应。 对于校正,常规地使用点扩散函数相对于目标的形状的卷积积分。 传统技术具有中心在光束中心的点扩散函数,并使用高斯函数或指数分布定律。 在本发明中,点扩散函数的至少一个分量具有位置不在波束中心的最大值。 优选地,最大值位于后向散射峰。 有利地,伽马分布定律用于点扩散函数。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT

    Aberration corrector for correcting spherical aberration of charged particle apparatus
    6.
    发明专利
    Aberration corrector for correcting spherical aberration of charged particle apparatus 有权
    用于校正充电颗粒装置的球状脱落的校正校正

    公开(公告)号:JP2009224067A

    公开(公告)日:2009-10-01

    申请号:JP2008064717

    申请日:2008-03-13

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aberration correcting structure enabling both a long-focus aberration correcting function and a short-focus aberration correcting function.
    SOLUTION: By using a conventional aberration corrector structure disposing two rotation-symmetry lenses between two multi-pole lenses, this aberration corrector disposes three rotation symmetry lenses between an objective lens and the multi-pole lens instead of the conventional arrangement in which two rotationally symmetric lenses are disposed therebetween. When the focal length of the objective lens is long, a set of two of the three rotation symmetry lenses disposed between the objective lens and the multi-pole lens is used for correction of aberration. Further, when the focal length of the objective lens is short for high resolution observation, etc, another set of two of the three rotation symmetry lenses disposed between the objective lens and the multi-pole lens which is different from the set of two rotation symmetry lenses used for longer focal length is used for correction of aberration.
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够实现长焦像差校正功能和短焦像差校正功能的像差校正结构。 解决方案:通过使用在两个多极透镜之间设置两个旋转对称透镜的常规像差校正器结构,该像差校正器在物镜和多极透镜之间配置三个旋转对称透镜,而不是常规布置,其中 两个旋转对称透镜位于它们之间。 当物镜的焦距长时,设置在物镜和多极透镜之间的三个旋转对称透镜中的两个被用于校正像差。 此外,当物镜的焦距对于高分辨率观察等是短的时,另外一组三个旋转对称透镜中的两个设置在物镜和多极透镜之间,其不同于两组旋转对称 用于较长焦距的透镜用于校正像差。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT

    電子ビーム拡散断面用ドレッサー及びドレス方法
    8.
    发明专利
    電子ビーム拡散断面用ドレッサー及びドレス方法 有权
    对于电子束扩频部修整和穿着方法

    公开(公告)号:JP2016528683A

    公开(公告)日:2016-09-15

    申请号:JP2016526439

    申请日:2014-10-17

    Abstract: 【課題】本発明において、拡散した電子バンチを縦向きで適切に圧縮し、照射の最適な均一度及び効率を保証する上、従来のチタン窓の制限範囲に保つ。【構成】本発明は電子ビーム拡散断面用ドレッサー及びドレス方法に関する。具体的に、永久磁石の2グループを含み、グループ1の永久磁石からなる磁界が電子ビームを近似する楕円形に拡散させ、グループ2の永久磁石からなる磁界が電子バンチの縁に対するドレスを行って近似するに長方形を形成させ、電子バンチが縦向きで80mm程度に圧縮されるまで縦向き位置調整の接続機構の4つを操作してグループ1の永久磁石の上・下ヨークがその中央部へ同期的に移動するようにして、近似する楕円形の電子ビームに対する初めの縦向きの圧縮を行い、更にグループ2の永久磁石の上・下ヨークがその中央部へ同期的に移動するようにして、再び長方形に近似する電子ビームに対する縦向きの圧縮を行う。【選択図】図2

    Abstract translation: A.在本发明中,适当地压缩以纵向扩散的电子束,对以确保最佳的均匀性和辐射效率,保持常规钛窗口的范围有限。 [配置]本发明修整和用于电子束扩散部分一件衣服方法。 具体而言,包括两组永久磁铁中的磁场包括以下的组1的永久磁铁被扩散成椭圆来近似,电子束,磁场包括一个永久磁铁组2进行着装电子束的边缘 以形成四个运算的近似矩形,垂直取向于永磁体的连接机构,以将电子束的1组大致在纵向被压缩至80mm的上部和下部轭架是中央部分 以同步移动,执行垂直相对近似椭圆形电子束的开头的压缩,从而将永久磁铁的进一步上部和下部轭组2移动其中心同步 压缩垂直相对于近似矩形再次将电子束。 .The

    球面収差補正装置、球面収差補正方法、および荷電粒子線装置
    9.
    发明专利
    球面収差補正装置、球面収差補正方法、および荷電粒子線装置 有权
    球形屈光度校正装置,球形抛光校正方法和充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:JP2015026431A

    公开(公告)日:2015-02-05

    申请号:JP2013153367

    申请日:2013-07-24

    Abstract: 【課題】像および回折図形の少なくとも一方の真円度のずれの補正と軸上収差の補正とを個別に行うことができる球面収差補正装置を提供する。【解決手段】球面収差補正装置100は、像および回折図形を取得する荷電粒子線装置用の球面収差補正装置であって、多段の六極子場を発生させる六極子場発生部110と、前記多段の六極子場の少なくとも1つに、前記像および前記回折図形の少なくとも一方の真円度のずれを補正する八極子場を重畳する八極子場重畳部120と、荷電粒子線を偏向させる偏向部130と、を含む。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够单独校正图像和衍射图案和轴向像差中的至少一个中的圆度的偏差的球面像差校正装置。解决方案:提供了一种用于带电粒子束装置的球面像差校正装置100 用于捕获图像和衍射图案,并且包括:用于产生多级六极场的六极场产生部分110; 用于将校正图像和衍射图案中的至少一个的圆形度的偏差的八极场叠加在多级六极场中的至少一个上的八极场叠加部分120; 以及用于偏转带电粒子束的偏转部分130。

    Molding offset adjustment method and charged particle beam drawing device
    10.
    发明专利
    Molding offset adjustment method and charged particle beam drawing device 审中-公开
    模具偏移调整方法和充电粒子束绘图装置

    公开(公告)号:JP2013207135A

    公开(公告)日:2013-10-07

    申请号:JP2012075655

    申请日:2012-03-29

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a molding offset adjustment method and a charged particle beam drawing device that accurately grasp a phenomenon and make an adjustment with high precision without changing a way used so far largely.SOLUTION: A molding offset adjustment method includes the steps of: confirming a reference point formed by a first molding aperture overlapping with a second molding aperture, mounted on a charged particle beam drawing device; deflecting a charged particle beam and changing a position of the first molding aperture so that an overlap region of the first molding aperture and the second molding aperture forms a predetermined shot size; measuring a current value of the charged particle beam passing through the overlap region; fitting the relation between the shot size and the corresponding current value using a cubic polynomial, and calculating a coefficient of the cubic polynomial with which the relation can be fitted; and correcting a molding offset amount using the calculated coefficient of the cubic polynomial.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种成型偏移调整方法和一种准确地掌握现象并进行高精度调整的带电粒子束拉制装置,而不改变迄今为止使用的方法。解决方案:一种成型偏移调整方法包括步骤 确定由安装在带电粒子束拉伸装置上的与第二成型孔重叠的第一成型孔形成的参考点; 偏转带电粒子束并改变第一模制孔的位置,使得第一模制孔和第二模制孔的重叠区域形成预定的喷射尺寸; 测量通过重叠区域的带电粒子束的电流值; 使用三次多项式拟合投射尺寸和对应的当前值之间的关系,并计算可以拟合该关系的三次多项式的系数; 以及使用所计算的三次多项式的系数来校正成型偏移量。

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