固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

    公开(公告)号:JPWO2017138370A1

    公开(公告)日:2018-11-29

    申请号:JP2017002883

    申请日:2017-01-27

    摘要: 本技術は、低感度画素と高感度画素で分光特性を変えることなく受光感度差をつけることにより、ダイナミックレンジの拡大を実現することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像素子は、受光感度の異なる高感度画素と低感度画素の2種類の画素を配列した画素アレイ部を備える。低感度画素は、可視光領域の光の透過率を所定の割合で低下させるグレイフィルタを、カラーフィルタの上側または下側に備える。本技術は、例えば、固体撮像素子等に適用できる。

    固体撮像素子及び電子機器
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2017126319A1

    公开(公告)日:2018-11-22

    申请号:JP2017000072

    申请日:2017-01-05

    IPC分类号: H01L27/146 H04N5/369

    CPC分类号: H01L27/14 H04N5/369 H04N5/374

    摘要: 本技術は、裏面照射型の固体撮像素子の品質の低下を抑制しつつ、パッドを浅い位置に形成することができるようにする固体撮像素子及び電子機器に関する。 固体撮像素子は、入射光を光電変換素子に集光する集光層と、前記光電変換素子が形成されている半導体層と、配線及び外部接続用のパッドが形成されている配線層とが積層され、前記集光層及び前記半導体層を貫通する貫通孔により前記パッドの第1の面の少なくとも一部が露出している画素基板を備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。

    撮像装置、電子機器
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2017110515A1

    公开(公告)日:2018-10-11

    申请号:JP2016086659

    申请日:2016-12-09

    摘要: 本技術は、瞳補正を適切に行える構成とすることができるようにする撮像装置、電子機器に関する。 所定の色成分の光を吸収して信号電荷を生成する光電変換膜と、光電変換膜の下部に設けられた第1の下部電極と、第1の下部電極と接続される第2の下部電極と、第1の下部電極と第2の下部電極を接続するビアと、第2の下部電極より下側に形成され、入射光の光量に応じた信号電荷を生成するフォトダイオードとを備え、画角中心のフォトダイオードの中心とビアの中心との第1の距離と、画角端のフォトダイオードの中心とビアの中心との第2の距離は異なる。本技術は、撮像装置に適用できる。

    放射線撮像装置および撮像システム

    公开(公告)号:JP2018128355A

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:JP2017021603

    申请日:2017-02-08

    摘要: 【課題】エネルギーサブトラクション処理に基づく放射線画像の取得を可能に構成された放射線撮像装置の荷重に対する耐性を向上させて信頼性を向上させるのに有利な技術を提供する。 【解決手段】中央領域およびその周辺領域を含む第1センサ基板と、該中央領域に配置された第1シンチレータとを含む第1の撮像用パネルと、中央領域およびその周辺領域を含む第2センサ基板と、該中央領域に配置された第2シンチレータとを含み、前記第1の撮像用パネルの上方に配置された第2の撮像用パネルと、前記第1の撮像用パネルを下方側から支持する支持基台と、前記第2センサ基板の周辺領域に上方側から加わる荷重を前記支持基台で受けるように、前記第2センサ基板の周辺領域の下方側に配置された支持部材と、を含む。 【選択図】図1