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公开(公告)号:JPWO2017138370A1
公开(公告)日:2018-11-29
申请号:JP2017002883
申请日:2017-01-27
申请人: ソニー株式会社
IPC分类号: G02B5/20 , G02B5/22 , H04N9/07 , H01L27/146
CPC分类号: G02B5/20 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N9/07
摘要: 本技術は、低感度画素と高感度画素で分光特性を変えることなく受光感度差をつけることにより、ダイナミックレンジの拡大を実現することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像素子は、受光感度の異なる高感度画素と低感度画素の2種類の画素を配列した画素アレイ部を備える。低感度画素は、可視光領域の光の透過率を所定の割合で低下させるグレイフィルタを、カラーフィルタの上側または下側に備える。本技術は、例えば、固体撮像素子等に適用できる。
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公开(公告)号:JP6431618B2
公开(公告)日:2018-11-28
申请号:JP2017547346
申请日:2016-08-31
申请人: 京セラ株式会社
发明人: 西野 智雄
IPC分类号: H04N5/225 , G02B7/02 , G03B17/55 , G03B17/02 , H01L27/146
CPC分类号: H04N5/2252 , B60R11/04 , G02B7/02 , G03B15/00 , H01L27/14 , H01L27/14618 , H04N5/2254
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公开(公告)号:JPWO2017126319A1
公开(公告)日:2018-11-22
申请号:JP2017000072
申请日:2017-01-05
申请人: ソニー株式会社
IPC分类号: H01L27/146 , H04N5/369
摘要: 本技術は、裏面照射型の固体撮像素子の品質の低下を抑制しつつ、パッドを浅い位置に形成することができるようにする固体撮像素子及び電子機器に関する。 固体撮像素子は、入射光を光電変換素子に集光する集光層と、前記光電変換素子が形成されている半導体層と、配線及び外部接続用のパッドが形成されている配線層とが積層され、前記集光層及び前記半導体層を貫通する貫通孔により前記パッドの第1の面の少なくとも一部が露出している画素基板を備える。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。
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公开(公告)号:JPWO2017126024A1
公开(公告)日:2018-11-08
申请号:JP2016051393
申请日:2016-01-19
申请人: オリンパス株式会社
发明人: 齊藤 晴久
IPC分类号: H01L27/146 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/335
CPC分类号: H01L27/14645 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H04N5/369 , H04N5/378
摘要: 固体撮像装置は、第1の基板と、第2の基板と、第3の基板と、複数のマイクロバンプとを有する。前記第1の基板は、複数の第1の光電変換素子を有する。前記第2の基板は、複数の第1の貫通電極を有する。前記複数のマイクロバンプは、前記第1の基板と前記第2の基板とを電気的に接続する。前記第1の基板において、前記複数の第1の光電変換素子は、画素領域に配置されている。前記第2の基板において、前記複数の第1の貫通電極は、前記画素領域に対応する第1の領域と異なる第2の領域のみに配置されている。
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公开(公告)号:JPWO2017110627A1
公开(公告)日:2018-10-18
申请号:JP2016087264
申请日:2016-12-14
申请人: 京セラ株式会社
IPC分类号: H01L23/02 , H04N5/335 , H04N5/225 , H01L27/146
CPC分类号: H01L23/02 , H01L27/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H04N5/225 , H04N5/335 , H01L2924/00014
摘要: 撮像素子実装用基板は、無機基板と配線基板と接合材とを備えている。無機基板は、上面の中央領域に撮像素子が実装される撮像素子実装部を有する。無機基板は、撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった突起部を有する。配線基板は無機基板の上面に設けられ、撮像素子実装部を取り囲むとともに突起部と下面の一部が接する枠状である。配線基板は、上面にレンズ実装部を有する。接合材は無機基板と配線基板の間に設けられている。
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公开(公告)号:JPWO2017110515A1
公开(公告)日:2018-10-11
申请号:JP2016086659
申请日:2016-12-09
申请人: ソニー株式会社
IPC分类号: H01L27/30 , H04N9/07 , H04N5/369 , H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N9/07
摘要: 本技術は、瞳補正を適切に行える構成とすることができるようにする撮像装置、電子機器に関する。 所定の色成分の光を吸収して信号電荷を生成する光電変換膜と、光電変換膜の下部に設けられた第1の下部電極と、第1の下部電極と接続される第2の下部電極と、第1の下部電極と第2の下部電極を接続するビアと、第2の下部電極より下側に形成され、入射光の光量に応じた信号電荷を生成するフォトダイオードとを備え、画角中心のフォトダイオードの中心とビアの中心との第1の距離と、画角端のフォトダイオードの中心とビアの中心との第2の距離は異なる。本技術は、撮像装置に適用できる。
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公开(公告)号:JP6384879B2
公开(公告)日:2018-09-05
申请号:JP2016570458
申请日:2015-01-23
申请人: オリンパス株式会社
IPC分类号: A61B1/05 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/225
CPC分类号: A61B1/051 , A61B1/0011 , A61B1/00114 , A61B1/00124 , A61B1/005 , A61B1/04 , H01L24/16 , H01L27/14 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L2224/16227 , H04N5/2256 , H04N2005/2255
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公开(公告)号:JP2018128355A
公开(公告)日:2018-08-16
申请号:JP2017021603
申请日:2017-02-08
申请人: キヤノン株式会社
CPC分类号: A61B6/00 , G01T1/20 , G01T7/00 , H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/32 , H04N5/335
摘要: 【課題】エネルギーサブトラクション処理に基づく放射線画像の取得を可能に構成された放射線撮像装置の荷重に対する耐性を向上させて信頼性を向上させるのに有利な技術を提供する。 【解決手段】中央領域およびその周辺領域を含む第1センサ基板と、該中央領域に配置された第1シンチレータとを含む第1の撮像用パネルと、中央領域およびその周辺領域を含む第2センサ基板と、該中央領域に配置された第2シンチレータとを含み、前記第1の撮像用パネルの上方に配置された第2の撮像用パネルと、前記第1の撮像用パネルを下方側から支持する支持基台と、前記第2センサ基板の周辺領域に上方側から加わる荷重を前記支持基台で受けるように、前記第2センサ基板の周辺領域の下方側に配置された支持部材と、を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JPWO2017047215A1
公开(公告)日:2018-08-02
申请号:JP2016070759
申请日:2016-07-14
申请人: 富士フイルム株式会社
IPC分类号: H01L27/146 , G02B5/22
CPC分类号: H01L27/14621 , C08K5/0091 , C08K5/33 , C09K3/00 , G02B5/208 , G02B5/22 , H01L27/14
摘要: 優れた赤外線遮蔽性および可視透明性を有し、かつ、耐熱性に優れた膜を製造可能な近赤外線吸収組成物、膜、近赤外線カットフィルタおよび固体撮像素子を提供する。近赤外線吸収組成物は、銅化合物と、ラジカルトラップ剤と、180℃以上でラジカルを発生する樹脂と、を含む。
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公开(公告)号:JP2018113637A
公开(公告)日:2018-07-19
申请号:JP2017004081
申请日:2017-01-13
发明人: 川崎 凌平
IPC分类号: H01L27/146 , H01L27/14 , A61B1/00 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC分类号: A61B1/00 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要: 【課題】パルス信号の時間幅を十分に確保することができる。 【解決手段】単位画素毎のAD変換器において、パルス生成回路は、比較器の出力信号を遅延させた遅延信号を前記比較器に帰還させるとともに、前記出力信号と前記遅延信号とを演算してパルス信号を生成する。ラッチ回路は、前記パルス生成回路により生成されたパルス信号をラッチする。本開示は、例えば、積層型で、裏面照射型の固体撮像素子に適用することができる。 【選択図】図2
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