公开(公告)号：KR20210028808A

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020190109666A

申请日：2019-09-04

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김대관 ,  노요환 ,  김채성 ,  변근영

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N9/04

CPC分类号： H04N5/347 ,  G02B3/0006 ,  G02B5/201 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/335 ,  H04N9/0455 ,  H01L27/1462

摘要： 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 제1 렌즈부를 통해 입사되는 광 신호를 수신하여 적어도 하나의 서브 이미지를 획득하는 복수의 픽셀들, 상기 복수의 픽셀들의 상부에 배치되고, 상기 제1 렌즈부와 동일한 굴절률을 갖는 평탄화층, 및 상기 평탄화층의 상부에 배치되고, 상기 제1 렌즈부를 통해 입사되는 광 신호를 입사각에 따라 구분하여 상기 복수의 픽셀들 각각에 전달하는 제2 렌즈부를 포함하며, 상기 제2 렌즈부는 반도체 기판 상에서 상기 평탄화층과 일체로서 형성되고, 상기 적어도 하나의 서브 이미지를 병합하여 하나의 피사체 이미지를 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210027780A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190108630A

申请日：2019-09-03

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 양윤희

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14607 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14629

摘要： 본 발명의 일 실시 예에 따른 이미지 센서는, 픽셀 어레이의 로우 방향 또는 컬럼 방향을 따라 연장되는 에어 그리드, 및 상기 로우 방향을 따라 연장되는 에어 그리드와 상기 컬럼 방향을 따라 연장되는 에어 그리드의 교차점에 배치된 홀을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：JP2018195908A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2017096403

申请日：2017-05-15

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 横川 創造 ,  村上 裕隆 ,  伊藤 幹記

IPC分类号： H04N5/369 ,  G02B5/18 ,  G02B5/20 ,  H01L27/146 ,  H04N9/07

CPC分类号： G02B5/1842 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645

摘要： 【課題】GMRフィルタ等の光の入射面又は入射面に平行な面における電磁波の干渉を利用する構造色フィルタを備える撮像素子、又は、撮像素子を備える装置を小型化する。 【解決手段】撮像素子は、光の入射面又は前記入射面に平行な面における電磁波の干渉を利用する構造色フィルタと、隣接する前記構造色フィルタの間において電磁波を反射する反射部とを備える。本技術は、例えば、GMRフィルタを備えるイメージセンサ、例えば、裏面照射型又は表面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2018190946A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017145445

申请日：2017-07-27

申请人： 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 ,  VisEra Technologies Company Limited

发明人： 郭 武政 ,  林 國峰 ,  ▲呉▼ 宗霖 ,  謝 錦全

IPC分类号： H04N5/369 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/14669

摘要： 【課題】イメージセンサーを提供する。 【解決手段】イメージセンサーが提供される。イメージセンサーは、互いに隣接する第一領域と第二領域を有する基板、および、基板の第一領域上に設置される第一光電変換素子を有する。第一光電変換素子は、基板上に形成される第一金属層と、第一金属層上に形成される第一光電変換層、および、第一光電変換層上に形成される第二金属層、を有する。 【選択図】図1B

公开(公告)号：JP2018186211A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017087940

申请日：2017-04-27

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 高橋 史年 ,  國清 辰也 ,  佐藤 英則 ,  後藤 洋太郎

IPC分类号： H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14629 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469

摘要： 【課題】半導体チップの面積を拡大することなく、裏面照射型のCMOSイメージセンサの暗時特性および転送効率を向上させる。 【解決手段】CMOSイメージセンサの一画素は、転送トランジスタTTと、pn接合部を備えるフォトダイオードPDとを有し、平面視においてフォトダイオードPDを構成するn型領域NR上に分離絶縁膜SOを介して反射層RLが形成されている。この反射層RLは、さらに転送トランジスタTTのゲート電極GE上にキャップ絶縁膜GSOを介して延在している。そして、ゲート電極GE上において層間絶縁膜ILに形成されたコンタクトホールCNを通じて、第1層目の信号配線ML1がゲート電極GEおよび反射層RLの両方と電気的に接続され、ゲート電極GEおよび反射層RLに同じ電位が印加される。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018181910A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017074499

申请日：2017-04-04

申请人： 浜松ホトニクス株式会社

发明人： 村松 雅治 ,  宮▲崎▼ 康人 ,  高橋 弘孝

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/76 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/10 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685

摘要： 【課題】開口の幅が狭く且つ深いトレンチであったとしても、トレンチの最深部にまでアキュムレーション層を確実に形成することができる光半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】光半導体装置1の製造方法は、複数の光電変換部2を有する半導体基板3を準備する第1ステップと、第1ステップの後に、各光電変換部2を互いに隔てるように半導体基板3にトレンチ9を形成する第2ステップと、第2ステップの後に、気相成長法によってトレンチ9の内面9aにボロン層11を形成する第3ステップと、第3ステップの後に、ボロン層11に熱拡散処理を施すことにより、トレンチ9の内面9aに沿って半導体基板3にアキュムレーション層12を形成する第4ステップと、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2017056347A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2016001813

申请日：2016-03-29

申请人： パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社

发明人： 大槻 浩久

IPC分类号： H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14603 ,  G01S7/4861 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/10 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14674 ,  H01L27/14812 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

摘要： 半導体基板上に二次元配置された複数の画素(100,200)の各々は、光電変換により電荷を生成するフォトダイオード(PD)と、フォトダイオード(PD)からそれぞれ電荷を読み出すための2つの読み出しゲート(RG0,RG1)と、各々2つの読み出しゲート(RG0,RG1)のうちの対応する読み出しゲートを介してフォトダイオード(PD)から受け取った電荷を一時的に保持するための2つのメモリ部(MEM0,MEM1)とを有する。行方向にて互いに隣接する2つの画素(100,200)は、2つの読み出しゲート(RG0,RG1)のうちの一方を共有する。

公开(公告)号：JP6366285B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2014016021

申请日：2014-01-30

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 乾 文洋

IPC分类号： H04N5/369 ,  H04N5/365 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

公开(公告)号：JP2018107358A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016254363

申请日：2016-12-27

申请人： キヤノン株式会社

发明人： 乾 文洋 ,  佐野 博晃

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

摘要： 【課題】 赤外光などの長波長側の光が入射した際に半導体基板の深い位置で生じた電荷が隣り合う画素の光電変換部等へ混入するおそれがある。 【解決手段】 第1マスクを用いて、電荷蓄積領域となる領域の下部に配された第1領域、および、素子分離部の下部であって第1領域と連続し、第1領域よりも浅い位置に配された第2領域に、第1導電型と異なる第2導電型の不純物イオンのイオン注入を行う第1工程と、第2マスクを用いて、電荷蓄積領域となる領域の下部であって、第1領域よりも浅い位置に配された第3領域、および、素子分離部の下部であって、第3領域および第2領域と連続し、かつ、第3領域および第2領域よりも浅い位置に配された第4領域に、第2導電型の不純物イオンのイオン注入を行う第2工程と、を有し、第1マスクおよび第2マスクは、素子分離部の上部を覆い、電荷蓄積領域となる領域の少なくとも一部に対応した開口部を有する。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP2018513570A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2018502620

申请日：2016-03-31

申请人： ダートマス カレッジ

发明人： マー ジアジュ ,  アンザギラ レオ ,  フォッサム エリック アール

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L27/14679 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14683 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3745

摘要： いくつかの実施形態は、接合電界効果トランジスタ(JFET)と、JFETのゲートとして機能するように構成された浮遊拡散とを含むイメージセンサ画素を提供する。イメージセンサが、複数の画素を含むことができ、少なくとも1つの画素は、半導体基板内に形成された浮遊拡散領域と、画素に蓄積された光電荷の浮遊拡散への移動を選択的に引き起こすように構成された移送ゲートと、(i)チャネル領域によって結合されたソース及びドレインと、(ii)浮遊拡散領域を含むゲートとを有するJFETと、を含む。【選択図】図1A