公开(公告)号：JP2018190803A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017090592

申请日：2017-04-28

申请人： Tianma Japan株式会社

发明人： 関根 裕之

IPC分类号： H01L29/786 ,  H04N5/369 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14663 ,  G01T1/241 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14636 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/115

摘要： 【課題】高精細、高フレームレート及び高いSN比という特性を有するイメージセンサ等を提供すること。 【解決手段】イメージセンサは、基板上に配置された第1ゲート電極及び第2ゲート電極を有する第1のTFTと、第2のTFTと、a−Si薄膜の第1面及び第1のTFTの第2ゲート電極に電気的に接続されている第1の電極、並びに第2の制御線に接続される第2の電極を有し、第1のTFTと積層方向で互いに重畳するように第1のTFTの上部に配置されている光電変換素子とを含む画素が、アレイ状に複数配置され、第1及び第2のTFTと光電変換素子との間に位置し、第1及び第2のTFTへ水素が拡散することを抑制するガスバリア膜を備え、第1の電極及び第2ゲート電極は同一層であり、各画素においては、ガスバリア膜に開口部が設けられていない。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018170482A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2017069130

申请日：2017-03-30

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 瀬能 未奈都 ,  難波 伸 ,  角村 泰史

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 【課題】太陽電池セルの発電効率を高める。 【解決手段】太陽電池セル10は、第1導電型または第2導電型の結晶性半導体の基板18と、基板18の一主面上に設けられる非晶質層20と、非晶質層20上に設けられる第1導電型半導体層21と、非晶質層20の第1凹部33内に設けられ、非晶質層20より高い導電性を有し、第1導電型半導体層21と接する第1高導電部分31と、第1導電型半導体層21上に設けられる第1電極14と、を備える。第1導電型半導体層21は、第1領域W1に設けられてもよい。非晶質層20上の第2領域W2に設けられる第2導電型半導体層22と、第2導電型半導体層22上に設けられる第2電極15と、をさらに備えてもよい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6312060B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2014544312

申请日：2013-10-29

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 藤嶋 大介 ,  長谷川 勲 ,  井手 大輔

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP2018026388A

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：JP2016155419

申请日：2016-08-08

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 松山 謙太

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 【課題】発電効率を高めた太陽電池を提供する。 【解決手段】表面にテクスチャが設けられた第1導電型の結晶性シリコン基板10と、結晶性シリコン基板10の表面上に位置するi型非晶質シリコン層16と、を備え、テクスチャは、谷部の曲率半径R1が山部の曲率半径R2よりも大きく、結晶性シリコン基板10は、表面に第1導電型のドーパントを含む第1導電型高ドープ領域10bを備え、第1導電型高ドープ領域10bにおけるドーパント濃度は、結晶性シリコン基板10の厚み方向中心におけるドーパント濃度よりも高い太陽電池とする。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2016152022A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2017507363

申请日：2016-02-23

申请人： パナソニックIpマネジメント株式会社

发明人： 慶一郎 益子 ,  慶一郎 益子

IPC分类号： H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

摘要： 太陽電池セルの製造方法は、半導体基板10の主面上の少なくとも一部に設けられた半導体層の上に絶縁層23を設けることと、絶縁層23の上にマスク層31を設けることと、マスク層31の一部をレーザ照射により除去して絶縁層23が露出する第1開口部41を形成することと、第1開口部41に露出する絶縁層23をエッチング剤により除去して半導体層が露出する第2開口部を形成することと、を備える。

公开(公告)号：JP6227287B2

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：JP2013123308

申请日：2013-06-12

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/512 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/103 ,  G06F3/04886 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3234

公开(公告)号：JP6223424B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2015508699

申请日：2014-03-27

申请人： シャープ株式会社

发明人： 木本 賢治

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

公开(公告)号：JPWO2015156233A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2016512703

申请日：2015-04-03

申请人： シャープ株式会社

发明人： 真臣 原田 ,  真臣 原田 ,  敏彦 酒井 ,  敏彦 酒井 ,  利人 菅沼 ,  利人 菅沼 ,  和也 辻埜 ,  和也 辻埜 ,  督章 國吉 ,  督章 國吉 ,  神川　剛 ,  剛 神川

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： p層またはn層のドーパントが隣接する層に拡散するのを抑制することができる光電変換装置を提供する。光電変換装置(1)は、シリコン基板(10)と、シリコン基板(10)の一方の面に形成され、実質的に真性な真性非晶質層(11)と、真性非晶質層(11)上に形成される第1導電型非晶質層(12)とを備える。第1導電型非晶質層(12)は、第1濃度層(121)と、第1濃度層(121)に積層される第2濃度層(122)とを含む。第2濃度層(122)のドーパント濃度は、8×1017cm−3以上であって、第1濃度層のドーパント濃度よりも低い。

公开(公告)号：JPWO2015060434A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015543929

申请日：2014-10-24

申请人： シャープ株式会社

发明人： 賢治 木本 ,  賢治 木本 ,  直城 小出 ,  直城 小出 ,  健 稗田 ,  健 稗田 ,  中村　淳一 ,  淳一 中村

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

摘要： 不純物を含む非晶質半導体層と当該非晶質シリコン層上に形成される電極との接触抵抗が高くなるのを抑えて、素子特性を向上させることができる、光電変換素子を提供する。光電変換素子(10)は、半導体基板(12)、第1半導体層(20n)と、第2半導体層(20p)と、第1電極(22n)と、第2電極(22p)とを備える。第1半導体層(20n)は、第1導電型を有する。第2半導体層(20p)は、第1導電型とは反対の第2導電型を有する。第1電極(22n)は、第1半導体層(20n)上に形成される。第2電極(22p)は、第2半導体層(20p)上に形成される。第1電極(22n)及び第2電極(22p)のうち少なくとも一方の電極は、複数の金属結晶粒を含む。電極の面内方向における金属結晶粒の平均結晶粒径は、電極の厚みよりも大きい。

公开(公告)号：JP5958765B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：JP2012531914

申请日：2011-08-31

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 西田 豊三

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03762 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548