公开(公告)号：JP6223424B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2015508699

申请日：2014-03-27

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 木本 賢治

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

公开(公告)号：JPWO2016084299A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2016561224

申请日：2015-10-09

Applicant: パナソニックIpマネジメント株式会社

Inventor： 悟司 東方田 ,  悟司 東方田 ,  雅央 神田 ,  雅央 神田 ,  博喜 湯川 ,  博喜 湯川

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0376 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 太陽電池セル(16)は、n型単結晶シリコン基板(22)と、n型単結晶シリコン基板(22)の第1主面上に配置されるn型非晶質シリコン層(26)と、n型非晶質シリコン層(26)上に配置される受光面電極(28)と、n型単結晶シリコン基板(22)の第2主面上に配置されるp型非晶質シリコン層(32)と、p型非晶質シリコン層(32)上に配置される裏面電極(34)と、を備え、n型単結晶シリコン基板(22)は、3.5〜13Ωcmの範囲の抵抗率を有する。n型単結晶シリコン基板(22)とn型非晶質シリコン層(26)との間にi型非晶質シリコン層(24)を設け、n型単結晶シリコン基板(22)とp型非晶質シリコン層(32)との間に別のi型非晶質シリコン層(30)を設けることもできる。

公开(公告)号：JPWO2015156233A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2016512703

申请日：2015-04-03

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 真臣 原田 ,  真臣 原田 ,  敏彦 酒井 ,  敏彦 酒井 ,  利人 菅沼 ,  利人 菅沼 ,  和也 辻埜 ,  和也 辻埜 ,  督章 國吉 ,  督章 國吉 ,  神川　剛 ,  剛 神川

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: p層またはn層のドーパントが隣接する層に拡散するのを抑制することができる光電変換装置を提供する。光電変換装置(1)は、シリコン基板(10)と、シリコン基板(10)の一方の面に形成され、実質的に真性な真性非晶質層(11)と、真性非晶質層(11)上に形成される第1導電型非晶質層(12)とを備える。第1導電型非晶質層(12)は、第1濃度層(121)と、第1濃度層(121)に積層される第2濃度層(122)とを含む。第2濃度層(122)のドーパント濃度は、8×1017cm−3以上であって、第1濃度層のドーパント濃度よりも低い。

公开(公告)号：JP6041120B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2012066398

申请日：2012-03-22

Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

Inventor： 小山 雄司

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/052 ,  H01L31/053 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

公开(公告)号：JP5972263B2

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：JP2013517162

申请日：2011-06-20

Applicant: エボニック デグサ ゲーエムベーハー ,  Evonik Degussa GmbH

Inventor： ベルンハルト シュテュッツェル ,  ヴォルフガング ファールナー

IPC: H01L31/04 ,  C01B33/113 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1295 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1604 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5967555B2

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：JP2014522326

申请日：2012-06-29

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 桐畑 豊 ,  中須 匡人 ,  曽谷 直哉

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2016105475A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：JP2015226716

申请日：2015-11-19

Applicant: 株式会社リコー

Inventor： 佐藤 俊一

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/078 ,  H02S40/30 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/0543 ,  H01L31/02021 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

Abstract: 【課題】短波長帯用のセルによる変換効率の律速を抑制し、高効率化を図った集光型太陽電池を提供する。 【解決手段】集光型太陽電池100Aは、集光素子102と、集光素子102の光入射面、集光素子102の光出射面、又は、集光素子102よりも光入射経路における奥側に配置され、第1バンドギャップを有する第1光電変換セル110と、第1光電変換セル110よりも光入射経路における奥側に配置され、第1バンドギャップよりも小さい第2バンドギャップを有し、集光素子102で集光される光が入射される第2光電変換セル120と、第1光電変換セル110が出力する第1出力電流を出力する第1出力回路と、第1出力回路とは独立して構成され、第2光電変換セルが出力する第2出力電流を出力する第2出力回路とを含む。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种冷凝型太阳能电池，其通过用于短波段的电池抑制转换效率的速率控制，以实现高效率。解决方案：冷凝型太阳能电池100A包括：聚光元件102; 布置在聚光元件102的光入射表面上的第一光电转换单元110，聚光元件102的发光表面或相对于聚光元件102的光入射路径的深度侧，并且具有 第一带隙; 布置在相对于第一光电转换单元110的光入射路径的深度侧的第二光电转换单元120具有小于第一带隙的第二带隙，并且由聚光元件102聚光的光 是事件; 输出从第一光电转换单元110输出的第一输出电流的第一输出电路; 以及第二输出电路，其独立于第一输出电路构成并输出要从第二光电转换单元输出的第二输出电流。图2

公开(公告)号：JP2016105377A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：JP2014243471

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社ジャパンディスプレイ

Inventor： 佐藤 敏浩

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/26 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H01L31/042 ,  H01L31/054 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3227 ,  H01L27/3246 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/4293 ,  H01L51/5275 ,  Y02E10/52

Abstract: 【課題】隣接画素への光漏れを防止できる表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置は、絶縁表面上に設けられた画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた画素分離膜と、前記画素電極を覆うように設けられた発光層と、前記発光層及び前記画素分離膜を覆うように設けられた対向電極と、を備え、前記画素分離膜は、光電変換素子を含み、前記光電変換素子の第1電極及び第2電極のいずれか一方は前記対向電極に電気的に接続され、他方は前記光電変換素子で生成された電流が流れる配線に電気的に接続されることを特徴とする。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止光泄漏到相邻像素中并提供能够降低功耗的显示装置的显示装置。解决方案：一种显示装置，包括：设置在绝缘表面上的像素电极; 设置在像素电极的端部上的像素分离膜; 设置成覆盖像素电极的发光层; 以及设置成覆盖发光层和像素分离膜的对电极。 像素分离膜包括光电转换元件。 光电转换元件的第一电极和第二电极中的任一个电连接到对电极; 另一个电连接到其中由光电转换元件产生的电流流动的布线。选择图：图4

公开(公告)号：JP2016012590A

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：JP2014132134

申请日：2014-06-27

Applicant: 国立大学法人東京農工大学 ,  日新電機株式会社

Inventor： 鮫島 俊之 ,  安東 靖典 ,  高瀬 俊二

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/062 ,  H01L31/075 ,  H01L21/316 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L31/062 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 【課題】 先行技術よりも低い温度で半導体材料表面のパッシベーションを行うことができるパッシベーション方法を提供する。 【解決手段】 容器2内に、試料10として、例えばシリコン基板等の半導体材料を入れて、当該半導体材料を温度が100℃以上125℃以下の液相の水6中に浸して、当該半導体材料の表面のパッシベーションを行う。この時の水6に加えられる圧力は、例えば、1.0×10 5 Pa以上3.3×10 5 Pa以下である。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够在比现有技术低的温度下钝化半导体材料表面的钝化方法。解决方案：半导体材料的钝化方法包括：向容器2提供半导体材料，例如 ，例如作为样品10的硅衬底; 将半导体材料浸渍在温度​​等于或高于100℃且等于或低于125℃的液相的水6中; 并钝化半导体材料的表面。 此时施加到水6的压力例如等于或高于1.0×10Pa且等于或低于3.3×10Pa。

公开(公告)号：JP5838062B2

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：JP2011205443

申请日：2011-09-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 吉田 泰則

IPC: H01L31/06 ,  H01M4/38 ,  H01M14/00 ,  C30B29/62

CPC classification number: C01B33/06 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/075 ,  H01L31/182 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  C01P2004/04 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/2982