公开(公告)号：JP2018534565A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2018521358

申请日：2016-10-29

Applicant: ニューポート コーポレーション

Inventor： カリー ジョン ,  チャンドラー クリストファー ,  ワッツ ウェイド ,  ハリオット ニコラス

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2875 ,  G01R31/2635 ,  H01S5/0014

Abstract: 大電力レーザダイオード試験システムが開示され、この大電力レーザダイオード試験システムは、ハウジングを含み、このハウジング内には少なくとも1つのデバイス試験モジュールコンパートメントが画定され、大電力レーザダイオード試験システムは、デバイス試験モジュールコンパートメント内に配置された電力供給装置、システム制御装置、および熱制御システムを含むとともにデバイス試験モジュールを含み、このデバイス試験モジュール内には少なくとも1つのキャリヤ装置受け具がハウジング本体に取り外し可能に結合された状態で形成され、大電力レーザダイオード試験システムは、少なくとも1つのキャリヤ装置を更に含み、少なくとも1つのキャリヤ装置は、デバイス試験モジュールに形成されたキャリヤ装置ポート内に取り外し可能に配置された状態でキャリヤ装置に結合された少なくとも1つのレーザダイオードデバイスを支持するよう構成されている。

公开(公告)号：JP2018511054A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2017550213

申请日：2016-03-16

Applicant: タレス

Inventor： ミネ,ジャン ,  ピエ,グレゴワール ,  フェネルー,パトリック

IPC: G01J9/04 ,  H01S5/065

CPC classification number: G01J9/04 ,  G01S7/4911 ,  G01S7/497 ,  G01S17/325 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0622

Abstract: 本発明の一主題は、レーザー光源の周波数変調f(t)を測定する方法であって、以下のステップ、すなわち−変調コントローラにより、レーザー光源を周期Tにわたり変調するステップと、−所与の周期Tにおいて、レーザー光源の下流に位置していて2本のアーム間に遅延τを生じさせることが可能な干渉計の2本のアーム間でビート光度の測定を複数回実行し、変調の制御により当該測定を同期化するステップと、−測定値から周波数f(t)を計算するステップとを含み、−各周期T中、f(t)は変化するが遅延τは一定であるとみなされ、−遅延τは複数の周期Tにわたり時間の関数として変化し、−所与の周期の時点tiで実行される測定は時点ti+kTで反復され(k≧1)、遅延τは実行される都度変化することを特徴とする。

公开(公告)号：JP2018046118A

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：JP2016179018

申请日：2016-09-13

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 鴫原 君男 ,  西川 智志

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/026 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1025 ,  H01S5/168 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: 【課題】本発明は、フィルタ領域の長さを長くすることなく、高次モードを抑制できるブロードエリア半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】ブロードエリア半導体レーザ装置は、導波路領域と、フィルタ領域とを備える。導波路領域は、電流が注入される活性領域と、該活性領域を挟むクラッド領域と、を有する。活性領域をフィルタ領域に対して凸又は凹として、フィルタ領域における高次モードの広がりを促進することを特徴とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6185581B2

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：JP2015521622

申请日：2013-06-11

Applicant: マイクロビジョン,インク.

Inventor： ロタール,ブルース、シー. ,  ジマーマン,デール,ユージーン ,  サンドガッセ,ジョエル

IPC: H01S5/062 ,  G02B26/10 ,  H01S5/068

CPC classification number: G03B21/2033 ,  G02B26/10 ,  G02B27/01 ,  G03B21/2053 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/06812 ,  H04N9/3129 ,  H04N9/3194 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06804 ,  H01S5/4093

公开(公告)号：JP6124731B2

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：JP2013166763

申请日：2013-08-09

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 望月 敬太

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/0687

CPC classification number: G01J1/4257 ,  G01J1/0414 ,  G01J1/0488 ,  G01J3/0286 ,  G01J3/26 ,  G01J1/0411 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/4031

公开(公告)号：JP6039493B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2013092112

申请日：2013-04-25

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 堀 雄一郎

IPC: G01N21/17

CPC classification number: G01J9/0246 ,  G01B9/02004 ,  G01B9/02069 ,  G01B9/02091 ,  G01N21/4795 ,  G01J2009/0253 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/18366

公开(公告)号：JP6032075B2

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：JP2013055693

申请日：2013-03-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾中 美紀

IPC: H04B10/50 ,  H01S5/062 ,  H04B10/073

CPC classification number: H01S5/0021 ,  G01R31/2635 ,  G01R31/2642 ,  H01S5/0014 ,  H04B10/0779 ,  H04B10/50

公开(公告)号：JP2016100380A

公开(公告)日：2016-05-30

申请号：JP2014234196

申请日：2014-11-19

Applicant: 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社

Inventor： 金坂 洋起

IPC: H01S5/0683

CPC classification number: H01S5/042 ,  G02F1/0123 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/0687 ,  G02F2203/60 ,  H01S5/50

Abstract: 【課題】消費電力の低減を図ったレーザ装置を提供する。 【解決手段】複数種類の駆動電流に応じて駆動条件が制御される半導体レーザ111と、前記駆動電流の和が所定の閾値以下となるように前記駆動条件を制御する制御部12と、を備える。さらに半導体レーザ111の温度を設定温度に制御する熱電クーラ110と半導体レーザ111が動作する環境温度を検出する温度センサ114を備え、半導体レーザ111は利得領域で発光した光を増幅する半導体増幅領域35を含み、前記複数種類の駆動電流は熱電クーラ110のための第1の駆動電流と、半導体増幅領域35のための第2の駆動電流を含む。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供功耗降低的激光装置。解决方案：激光装置包括：半导体激光器111，其驱动条件根据多种驱动电流进行控制; 以及用于控制驱动条件使得驱动电流之和等于或低于预定阈值的控制单元12。 激光装置还包括：用于将半导体激光器111的温度控制到设定温度的热电冷却器110; 以及用于检测半导体激光器111工作的环境温度的温度传感器114。 半导体激光器111包括用于放大由增益区域发射的光的半导体放大区域35; 多种类型的驱动电流包括用于热电冷却器110的第一驱动电流和用于半导体放大区35的第二驱动电流。图1

公开(公告)号：JP2015133381A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2014003379

申请日：2014-01-10

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 森田 大介 ,  河原 弘幸 ,  木村 晋治

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/3056 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/12 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3434 ,  H01S5/4087 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3174 ,  H01S2301/173 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34306

Abstract: 【課題】本発明は、光変調器部のフォトルミネッセンス波長とレーザ部の発振波長の差分値のばらつきを低減する半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造システムを提供することを目的とする。 【解決手段】基板に、下部光閉じ込め層と光吸収層と上部光閉じ込め層を形成し、これらの一部を除去することで、光変調器部を形成する第1工程と、該基板の該光変調器部が形成されていない部分に、回折格子を有するレーザ部を形成する第2工程と、該上部光閉じ込め層の上にドーパントの拡散を抑制する拡散抑制層を形成する工程と、該レーザ部と該拡散抑制層の上にコンタクト層を形成する第3工程と、を備える。そして、該コンタクト層のドーパントの種類と、該上部光閉じ込め層のドーパントの種類を一致させたことを特徴とする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，半导体器件和制造半导体器件的系统，其能够降低光调制器部分的光致发光波长与光调制器部分的光致发光波长之间的差异值的变化， 激光器部件。解决方案：制造半导体器件的方法包括：第一步骤，在衬底上形成下部光限制层，光吸收层和上部光限制层，然后去除这些层的一部分 以形成光调制器部分; 在所述基板的形成有不具有光调制部的部分上形成具有衍射光栅的激光部的第二工序; 在上部光限制层上形成抑制掺杂剂扩散的扩散抑制层的步骤; 以及在激光部分和扩散抑制层上形成接触层的第三步骤。 接触层的掺杂剂的类型和上限约束层的掺杂剂的类型彼此一致。

公开(公告)号：JP2015088626A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2013226020

申请日：2013-10-30

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 坂野 英一

IPC: H01S5/0687

CPC classification number: H01S5/0617 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1212

Abstract: 【課題】 エタロンの光透過特性の誤差を抑制することができる波長可変レーザ装置の試験方法および波長可変レーザ装置を提供する。 【解決手段】 波長可変レーザ装置の試験方法は、波長可変レーザと、エタロンを有する波長検知手段と、を備える波長可変レーザ装置の試験方法であって、前記エタロンの自由スペクトル領域間隔を測定する第1ステップと、前記自由スペクトル領域間隔のトップとボトムとの間に設けられた目標値に、波長をチューニングすることで、駆動条件を取得する第2ステップと、前記駆動条件をメモリに格納する第3ステップと、を含む。 【選択図】 図7

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于测试波长可变激光装置和能够抑制标准具的透光特性误差的波长可变激光装置的方法。解决方案：公开了一种用于测试波长可变激光装置的方法， 配备有波长可变激光器和具有标准具的波长检测装置。 该方法包括：用于测量标准具的自由谱区间隔的第一步骤：用于通过将波长调谐到设置在自由谱区间隔的顶部和底部之间的目标值来获取驱动条件的第二步骤; 以及将驱动条件存储在存储器中的第三步骤。