モード同期半導体ディスクレーザ(SDL)
    8.
    发明专利
    モード同期半導体ディスクレーザ(SDL) 审中-公开
    锁模半导体激光器磁盘(SDL)

    公开(公告)号:JP2016535934A

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:JP2016524141

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 本発明はモード同期半導体ディスクレーザ(SDL)に関する。このレーザは、第1および第2ミラー(6,7)を終端とし、第3ミラーにより折り返された共振器を備える。第3ミラーは、所定の中心波長λ0を有する共振フィールドを発生させるのに適したSDL(8)を具え、第2ミラーは、共振フィールドを所定の波長でモード同期することに適した強度可飽和ミラー(7)を具える。中心波長λ0における共振器の反射能は、第1および/または第2ミラーの反射能プロファイルを、所定の波長よりも短い波長へとシフトすることで低減され、中心波長λ0よりも長い波長において利得を抑制する。第2ミラー(7)の反射能プロファイル(32)を、所望の出力波長(3)の反射能プロファイルと一致させないことによって、顕著にノイズが低減された、安定したモード同期レーザを提供する。SDLは、レーザ放射(3)に対応するピーク波長を有する反射能プロファイル(1)を具えたDBRを含み得る。利得媒体は、対応する反射能プロファイル(2)によって示されるFSRを具えたファブリペローをもたらす活性領域のRPG構造を含む。可飽和吸収ミラーのDBRのピーク反射は、RPG活性領域のFSRの半分から一つ分に対応する大きさだけレーザ放射に対して短い波長に向けてシフトし得る。【選択図】図6

    Abstract translation: 本发明涉及一种锁模半导体激光器磁盘(SDL)。 此激光器包括第一和第二反射镜(6,7)和端部包括由所述第三反射镜折叠的谐振器。 第三反射镜包括一个SDL(8),其适于产生具有预定中心波长.lambda.0,第二反射镜,强度饱和适合于锁模共振场在给定波长的谐振场 包括反射镜(7)。 在中心波长λ0的谐振器的反射率在第一和/或第二反射镜的反射率曲线,它是由转移到更短的波长大于预定波长,增益在较长波长比中心波长λ0减小 压制。 第二反射镜(7)(32)的反射率曲线,由不与所需的输出波长(3),显著降低噪音的反射率曲线一致,以提供稳定的锁模激光器。 SDL可以包括具有对应于激光辐射的峰值波长配备有反射率曲线(1)的DBR(3)。 增益介质包括导致在配备有由相应的反射率曲线(2)表示FSR法布里 - 珀罗的有源区的RPG结构。 可饱和吸收镜的DBR的反射峰可朝较短波长相对于通过激光辐射从RPG有源区的FSR的一半对应一分钟转移到大小。 点域6

    垂直外部共振器面発光レーザーのための導光
    9.
    发明专利
    垂直外部共振器面発光レーザーのための導光 审中-公开
    光垂直外腔表面发射激光器

    公开(公告)号:JP2016518031A

    公开(公告)日:2016-06-20

    申请号:JP2016512307

    申请日:2014-05-04

    Abstract: 本発明は、垂直発光レーザーデバイスのための活性利得層スタック(21)であって、活性利得層スタック(21)が半導体材料を含み、半導体材料が、垂直方向に延在するメサ(24)を少なくとも1つ形成するように構成される、活性利得層スタック(21)に関する。上記メサ(24)を少なくとも部分的に囲む、横方向の隣接領域(25)は、第2屈折率(n2)を有する。上記メサ(24)の少なくとも一部分は、第1屈折率(n1)を有し、メサ(24)の上記一部分に横方向に隣り合う隣接領域(25)の一部分は、第2屈折率(n2)を有する。上記第1屈折率(n1)は、上記第2屈折率(n2)よりも大きく、メサ(24)の横方向の径は、活性利得層スタック(21)の横方向の閉じ込め係数を増加させるように選ばれる。本発明は、このようなスタックを含むレーザーデバイス、さらにこのようなスタックの作動方法、ならびにこのようなスタックの製造方法にも関する。VECSELは下部ミラーおよび外部共振器ミラーにて成長させたIV−VI族の半導体利得材料を含む。単一の基板(23)に複数のメサ(22)を成長させることもできる。単一横モード作動を改善する、周囲の材料(25)のより低い屈折率によって、反導波を防ぐ。

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于垂直发射激光器件的有源增益层堆叠(21),在垂直方向上延伸的有源增益层堆叠(21)包括半导体材料,半导体材料,台面(24) 被配置为至少一种形式中,本发明涉及有源增益层堆叠(21)。 围绕所述台面(24)至少部分地横向相邻区域(25)具有第二折射率(n2)。 在台面(24)至少一部分,所述第一折射率具有(N1)中,台面(24)邻近所述横向相邻的区域的一部分,所述部分(25),所述第二折射率(n2) 有。 所述第一折射率(N1),第二折射率(n2)低于台面的横向直径(24)高,从而增加有源增益层堆叠的横向限制因子(21) 它选择。 本发明是一种包括这样的堆的激光设备,还涉及用于操作这种堆叠,以及一种用于制造堆叠的方法的方法。 VECSEL包括半导体增益材料组IV-VI在下部反射镜和外部谐振器反射镜生长。 另外,也可以以生长多个台面(22)在单个衬底(23)上的。 改善单横模操作中,周围的材料(25)的折射率低的折射率,从而防止抗波导。

    自己配置励起光学系及び高利得を具備する光励起固体レーザ装置
    10.
    发明专利
    自己配置励起光学系及び高利得を具備する光励起固体レーザ装置 有权
    具有自配置激发光学系统和高增益激励固体激光装置

    公开(公告)号:JP2016503957A

    公开(公告)日:2016-02-08

    申请号:JP2015546114

    申请日:2013-11-05

    Abstract: 本発明は、レーザ共振器内の1又は複数の固体レーザ媒体100と、1又は複数の励起レーザダイオード200と、励起放射反射ミラー300と、を有する光励起固体レーザ装置に関する。レーザ共振器は、固体レーザ媒体100の第1の側に設けられた1又は複数の第1の共振器ミラーと、固体レーザ媒体100の第2の側に設けられた1又は複数の第2の共振器ミラー310,320,330とを有する。第1及び第2の共振器ミラーは、前記レーザ媒体100の各々を通じて、少なくとも2つの異なる直進路上にレーザ放射をガイドするために配置される。励起レーザダイオード200は、上記励起放射反射ミラー300における、励起放射510の反射によって、固体レーザ媒体100を光励起するために配置される。励起放射反射ミラー300及び第2の共振器ミラー310,320,330は、単一のミラー要素600において、一体的に形成される。固体レーザ装置の当該設計により、励起光学系の簡単なアラインメントと、レーザ装置の高利得化と、がもたらされる。本発明の固体レーザ装置は、小型化が実現可能である。

    Abstract translation: 本发明包括一个或在激光谐振器更固态激光介质100,和一个或多个泵浦激光二极管200中,激发辐射的反射镜300,涉及光泵浦具有固态激光装置。 激光腔,和一个或多个设置在所述固态激光介质100的第一侧上的第一谐振器反射镜的,设置在所述固态激光介质100的一个或多个第二的第二侧 和谐振器反射镜310,320和330。 第一和第二谐振器反射镜,通过各激光介质100的被布置成引导所述激光辐射以至少两个不同的直路径。 泵激光二极管200,在激发辐射的反射镜300,激发辐射510的反射被定位光激发固体激光媒介100。 激发辐射的反射镜300和第二谐振器反射镜310,320和330,在单个反射镜元件600,形成为一体。 由固体激光装置的设计,和激发光学系统的简单对准,激光装置的高增益,它被提供。 本发明的固体激光装置中,小型化得以实现。

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