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    面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
    6.
    发明专利
    面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 有权
    表面发射半导体激光器，表面发射半导体激光器制造方法，表面发射半导体激光器件，光学传输装置和信息处理装置

    公开(公告)号：JP2016046453A

    公开(公告)日：2016-04-04

    申请号：JP2014171319

    申请日：2014-08-26

    申请人： 富士ゼロックス株式会社

    发明人： 武田 一隆 ,  早川 純一朗 ,  村上 朱実 ,  城岸 直輝 ,  近藤 崇 ,  櫻井 淳

    IPC分类号： H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/18311 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3432

    摘要： 【課題】電流狭窄層の酸化領域の端部の傾斜の制御を容易にすることができる面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板上に、n型の下部DBR、活性領域104、p型の上部DBR106を有する。上部DBR106の最下層には、活性領域104と隣接するように電流狭窄層108が形成される。電流狭窄層108は、AlAsからなる高速酸化層108−1と、その直下に形成されるテーパ形成層108−2と、高速酸化層108−1上に形成される組成傾斜層108−3とを有する。組成傾斜層108−3のAl含有率の最大値は、高速酸化層108−1のAl含有率よりも小さい。 【選択図】図2

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种表面发射半导体激光器，其可以容易地控制电流限制层中的氧化区域的端部的倾斜。解决方案：表面发射半导体层具有n型低DBR，活性 区域104和p型上DBR 106。 上DBR 106包括在底层中，与有源区104相邻的电流限制层108.电流限制层108具有由AlAs组成的高速氧化层108-1，仅形成锥形形成层108-2 在高速氧化层108-1下面形成的组成梯度层108-3和形成在高速氧化层108-1上的组成梯度层108-3。 组成梯度层108-3的Al含量的最大值小于高速氧化层108-1的Al含量。图2

    面発光レーザーおよび原子発振器
    8.
    发明专利
    面発光レーザーおよび原子発振器 审中-公开
    表面发射激光和原子振荡器

    公开(公告)号：JP2015119137A

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：JP2013263458

    申请日：2013-12-20

    申请人： セイコーエプソン株式会社

    发明人： 金子 剛 ,  西田 哲朗 ,  倉知 祐司

    IPC分类号： H01S5/187

    CPC分类号： H01S5/187 ,  G04F5/145 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/3432 ,  H03L7/26 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18333

    摘要： 【課題】偏光方向の安定化を図ることができる面発光レーザーを提供する。 【解決手段】本発明に係る面発光レーザー100は、基板10と、基板10上方に設けられた積層体2と、を含み、積層体2は、基板10上方に設けられた第1ミラー層20と、第1ミラー層20上方に設けられた活性層30と、活性層30上方に設けられた第2ミラー層40と、を含み、平面視において、積層体2は、第1幅を有する第1部分2aと、第2幅を有する第2部分2bと、第1部分2aと第2部分2bとの間に設けられ、第1幅または第2幅よりも広い第3幅を有する第3部分2cと、を有し、第1部分2aの少なくとも一部を覆う樹脂層70が設けられている。 【選択図】図6

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够实现偏振方向稳定的表面发射激光器。解决方案：表面发射激光器100包括：基板10; 以及设置在基板10上方的层叠体2.层压体2包括：设置在基板10上的第一镜面层20; 设置在第一镜面层20上的有源层30; 以及设置在有源层30上方的第二镜层40.从平面图看，层压体2包括：具有第一宽度的第一部分2a; 具有第二宽度的第二部分2b; 并且第三部分2c插入在第一部分2a和第二部分2b之间，并且具有大于第一宽度或第二宽度的第三宽度。 层叠体2设置有覆盖第一部分2a的至少一部分的树脂层70。

    面発光型半導体レーザおよび光伝送装置
    10.
    发明专利
    面発光型半導体レーザおよび光伝送装置 有权
    表面发射半导体激光和光学发射器

    公开(公告)号：JP2015032801A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：JP2013163757

    申请日：2013-08-07

    申请人： 国立大学法人東京工業大学 ,  Tokyo Institute Of Technology ,  富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

    发明人： KOYAMA FUMIO ,  HAMED DARYL ,  KONDO TAKASHI ,  SHIROKISHI NAOTERU ,  TAKEDA KAZUTAKA ,  NAKAYAMA HIDEO

    IPC分类号： H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/1835 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/3432

    摘要： 【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】基板100上にモノリシックに形成された駆動用メサ20、結合部30および制御用メサ40を含んで構成される。基板100上には、n型の下部DBR102、活性領域104、p型の上部DBR108が形成され、上部DBR108内には、酸化領域106Aと非酸化領域106Bとを含む電流狭窄層106が形成される。結合部30は、駆動用メサ20と制御用メサ40とを光学的に結合し、駆動用メサ20で生じた光の一部を制御用メサ40へ伝播させ、かつ制御用メサ40で反射された光を駆動用メサ20へ帰還させる。【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够进行高速调制的表面发射半导体激光器。解决方案：表面发射半导体激光器被构造成包括在基板100，耦合部分30和控制台面40上一体地形成的驱动台面20。 在基板100上形成n型下DBR 102，有源区104和p型上DBR 108.在上部形成有包含氧化区106A和非氧化区106B的电流收缩层106 DBR 108.耦合部分30光学耦合驱动台面20和控制台面40，使得在驱动台面20中产生的光的一部分传播到控制台面40，并将在控制台面40上反射的光返回到 驾驶台面20。