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    半導体パッケージ
    4.
    发明专利
    半導体パッケージ 有权
    半导体封装

    公开(公告)号：JPWO2013164876A1

    公开(公告)日：2015-12-24

    申请号：JP2014513315

    申请日：2012-05-01

    申请人： 三菱電機株式会社

    发明人： 明洋 松末 ,  明洋 松末

    IPC分类号： H01S5/022 ,  H01L31/02

    CPC分类号： H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L31/024 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011

    摘要： 積層セラミック基板(1)上に金属製リング(2)が設けられている。積層セラミック基板(1)上において金属製リング(2)内に半導体レーザ(6)が設けられている。ガラス窓(9)付きの金属製キャップ(10)が金属製リング(2)に接合されている。金属製リング(2)は半導体レーザ(6)を覆う。金属製キャップ(10)の外側面に外部ヒートシンク(11)が接合されている。これらの構成により、高周波特性、生産性、及び放熱性を向上させることができる。

    摘要翻译： 金属环（2）提供了一种多层陶瓷基板（1）上。 叠层半导体激光器（6）中的金属环（2）在所述陶瓷基片（1）提供。 玻璃窗（9）与金属帽（10）被接合到金属环（2）。 金属环（2）覆盖所述半导体激光器（6）。 金属帽（10）（11）的外表面上的外部散热器接合。 利用这些构造，高频特性，生产率，并且能够提高散热性。

    グレーティング型光送信機およびその形成方法
    5.
    发明专利
    グレーティング型光送信機およびその形成方法 审中-公开
    基于成像的光学发射器及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015165567A

    公开(公告)日：2015-09-17

    申请号：JP2015040154

    申请日：2015-03-02

    申请人： 光引研創股▲ふん▼有限公司

    发明人： 陳 書履 ,  那 允中

    IPC分类号： G02B6/34 ,  H01S5/042 ,  H01S5/187

    CPC分类号： H01S5/06206 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/187 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12107 ,  G02B6/1226 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226

    摘要： 【課題】ドープ領域の電圧または電流を印加することにより、コヒーレント光を変調するグレーティング型光送信機を提供する。 【解決手段】正面変調型グレーティングレーザ素子661は、第1の反射器666と第2の反射器674とに囲まれた干渉領域(共振器)670を有する。レーザ素子661は、干渉領域670の上部に形成されたグレーティング領域680をさらに備え、第1の電極691と第2の電極692と第3の電極693の3つの電極を含む。3つの電極同士の相対的な電界を変化させることによって干渉領域670内の電荷キャリアの量が調整される。その結果、干渉領域670内で生成される光子の量が調整されることにより、光は第1の方向に共振し、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って放出される。 【選択図】図6A

    摘要翻译： 要解决的问题：提供通过在掺杂区域中施加电压或电流来调制相干光的基于光栅的光发射器。解决方案：前侧调制型光栅激光器元件661包括由第一反射器限定的干涉区域（空腔）670 666和第二反射器674.激光元件661还包括形成在干涉区域670的上部上的光栅区域680，并且包括第一电极691，第二电极692和第三电极693的三个电极。量 通过改变三个电极之间的相对电场来调节干涉区域670内的电荷载流子。 因此，调整在干涉区域670内产生的光子的量，从而使光在第一方向上共振，沿着与第一方向不同的第二方向发光。

    エンファシス信号生成回路
    6.
    发明专利
    エンファシス信号生成回路 有权
    振动信号发生电路

    公开(公告)号：JP2015139039A

    公开(公告)日：2015-07-30

    申请号：JP2014008477

    申请日：2014-01-21

    申请人： 富士通株式会社

    发明人： ▲角▼田 有紀人

    IPC分类号： H04B3/04 ,  H04L25/03

    CPC分类号： H03K5/1252 ,  H01S5/0428 ,  H03K5/14 ,  H04B10/25073 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/03343 ,  H04L25/03885 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/183

    摘要： 【課題】タップ数を増加させることなく、位相特性を補償でき、良好なエンファシス信号が得られるエンファシス信号生成回路の実現。 【解決手段】入力信号を分岐し、分岐した信号を遅延して遅延信号を出力する分岐・遅延部12と、入力信号および遅延信号の少なくとも1つの高周波成分を抽出して高周波信号を出力する高周波抽出部20,21と、入力信号、遅延信号および高周波信号を加減算する加減算部16と、を有するエンファシス信号生成回路。 【選択図】図4

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种可以补偿相位特性并获得优异的加强信号而不增加抽头数的强调信号发生电路。解决方案：强调信号产生电路包括：分支和延迟部分12，其分支输入信号， 延迟分支信号，并输出延迟信号; 提取输入信号的至少一个高频分量和信号延迟的高频提取部分20和21，并输出高频信号; 减法和加法部分16，其减去并相加输入信号，延迟信号和高频信号。

    面発光型半導体レーザおよび光伝送装置
    8.
    发明专利
    面発光型半導体レーザおよび光伝送装置 有权
    表面发射半导体激光和光学发射器

    公开(公告)号：JP2015032801A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：JP2013163757

    申请日：2013-08-07

    申请人： 国立大学法人東京工業大学 ,  Tokyo Institute Of Technology ,  富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

    发明人： KOYAMA FUMIO ,  HAMED DARYL ,  KONDO TAKASHI ,  SHIROKISHI NAOTERU ,  TAKEDA KAZUTAKA ,  NAKAYAMA HIDEO

    IPC分类号： H01S5/183

    CPC分类号： H01S5/1835 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18344 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/3432

    摘要： 【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】基板100上にモノリシックに形成された駆動用メサ20、結合部30および制御用メサ40を含んで構成される。基板100上には、n型の下部DBR102、活性領域104、p型の上部DBR108が形成され、上部DBR108内には、酸化領域106Aと非酸化領域106Bとを含む電流狭窄層106が形成される。結合部30は、駆動用メサ20と制御用メサ40とを光学的に結合し、駆動用メサ20で生じた光の一部を制御用メサ40へ伝播させ、かつ制御用メサ40で反射された光を駆動用メサ20へ帰還させる。【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够进行高速调制的表面发射半导体激光器。解决方案：表面发射半导体激光器被构造成包括在基板100，耦合部分30和控制台面40上一体地形成的驱动台面20。 在基板100上形成n型下DBR 102，有源区104和p型上DBR 108.在上部形成有包含氧化区106A和非氧化区106B的电流收缩层106 DBR 108.耦合部分30光学耦合驱动台面20和控制台面40，使得在驱动台面20中产生的光的一部分传播到控制台面40，并将在控制台面40上反射的光返回到 驾驶台面20。