公开(公告)号：JP2004515441A

公开(公告)日：2004-05-27

申请号：JP2002548750

申请日：2001-12-06

Applicant: マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジーMassachusetts Institute Of Technology

Inventor： ネイサン イー． スコット， ,  マウンギー ジー． バウェンディー，

IPC: C01B19/04 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  H01L33/00

CPC classification number: C01B17/20 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/64 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/605 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0083 ,  Y10S516/922 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/822 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/916 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。 このナノクリスタライトは、１５０Å未満の直径を有する。 このナノクリスタライトは、狭いサイズ分布を有するナノクリスタライトのメンバーであり得る。 このナノクリスタライトは、球形、棒形、円盤形または他の形状であり得る。 このナノクリスタライトは、半導体材料のコアを含み得る。 コアは、このコアの表面上にオーバーコーティングを有し得る。 このオーバーコーティングは、このコアの組成とは異なる組成を有する半導体材料であり得る。

公开(公告)号：JP2018178116A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2018077676

申请日：2018-04-13

Applicant: 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司

Inventor： 周 必泰 ,  周 尚威

IPC: C09K11/89 ,  C09K11/87 ,  C09K11/74 ,  C09K11/70 ,  C09K11/64 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/62 ,  C09K11/60 ,  C09K11/59 ,  C09K11/58 ,  C09K11/56 ,  C09K11/67 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  G09F9/00 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1335 ,  C09K11/88

CPC classification number: G03B21/204 ,  B82Y20/00 ,  B82Y35/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/883 ,  F21S10/007 ,  F21V9/30 ,  F21V14/08 ,  G02B1/04 ,  G02B26/008 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/812 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: 【解決手段】円盤形状を形成するように配置された複数の色変換装置であって、少なくとも1個の量子ドット102aと、当該少なくとも1個の量子ドットの表面を封入するシリカ材料104aとを含む複合材料100aを含むそれぞれの色変換装置と、前記円盤形状の中心に配置された回転部分と、を有するプロジェクターカラーホイール。 【効果】従来の蛍光体に比べて、プロジェクターカラーホイールの色域を改善することができる。さらに、シリカ(SiO2)材料を使用して量子ドットを封入することにより、熱安定性が高められる。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP2006265022A

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：JP2005083707

申请日：2005-03-23

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： TOKUMITSU HIDEZO

IPC: C01B25/08

CPC classification number: C09K11/70 ,  C01B25/087 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/896

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing nanometer-scale InP particulates efficiently and industrially advantageously in a short time, and also to provide a dispersion of the InP particulates.
SOLUTION: This method comprises reacting, in a solvent, an In-basic ingredient comprising two or more In-compounds with a P-ingredient comprising at least one P-compound to produce InP particulates. The above two or more In-compounds comprise at least one first In-compound which has a group to be removed by reacting with a functional group of the P-compound having P atoms adjacent to In atoms upon the formation of the In-P bond, and at least one second In-compound which has an electron density lower than that of the first In-compound in the In atom in the compound. As for the above solvent, a Lewis basic solvent is used. Besides, the dispersion of the InP particulates obtained by the above method is also provided.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 待解决的问题：提供在短时间内有效和工业上有效地生产纳米级InP颗粒的方法，并且还提供InP颗粒的分散体。 解决方案：该方法包括在溶剂中使包含两种或更多种In化合物的碱性成分与包含至少一种P化合物的P成分反应以产生InP颗粒。 上述两种或更多种In化合物包含至少一种第一In化合物，其具有在形成In-P键时与具有与In原子相邻的P原子的P化合物的官能团反应除去的基团 和至少一种第二In化合物，其电子密度低于化合物中的In原子中的第一In化合物的电子密度。 对于上述溶剂，使用路易斯碱性溶剂。 此外，还提供了通过上述方法获得的InP颗粒的分散体。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4994599B2

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：JP2005083707

申请日：2005-03-23

Applicant: Hoya株式会社

Inventor： 秀造 徳光

IPC: C01B25/08

CPC classification number: C09K11/70 ,  C01B25/087 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/896

公开(公告)号：JP4219164B2

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：JP2002548750

申请日：2001-12-06

Applicant: マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジーMassachusetts Institute Of Technology

Inventor： ネイサン イー． スコット， ,  マウンギー ジー． バウェンディー，

IPC: C01B19/04 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C09K11/08 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  H01L33/00

CPC classification number: C01B17/20 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/64 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/605 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0083 ,  Y10S516/922 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/822 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/916 ,  Y10T428/2991

Abstract: A method of synthesizing or manufacturing a nanocrystal from a metal-containing compound.

公开(公告)号：JP2008184382A

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：JP2008121690

申请日：2008-05-07

Applicant: Massachusetts Inst Of Technol ,  マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジーMassachusetts Institute Of Technology

Inventor： BAWENDI MOUNGI G ,  STOTT NATHAN E

IPC: C01B19/04 ,  C01G11/02 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  H01L33/00

CPC classification number: C01B17/20 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/64 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  C30B29/605 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0083 ,  Y10S516/922 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/82 ,  Y10S977/822 ,  Y10S977/823 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/916 ,  Y10T428/2991

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a new and useful nanocrystallite. SOLUTION: The method of manufacturing a nanocrystallite comprises: a process in which a metal M or an M containing salt and a reducing agent are contacted to form an M-containing precursor, wherein M is Cd, Zn, Mg, Hg, Al, Ga, In or Tl; a process in which the M-containing precursor is made by being contacted with X donors to, form a mixture, wherein X is O, S, Se, Te, N, P, As or Sb; and a process in which the mixture is heated under the presence of amines to form a nanocrystallite. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造新的和有用的纳米微晶的方法。 解决方案：制造纳米晶体的方法包括：使金属M或含M的盐和还原剂接触以形成含M前体的方法，其中M为Cd，Zn，Mg，Hg， Al，Ga，In或Tl; 通过与X供体接触以形成其中X为O，S，Se，Te，N，P，As或Sb的混合物制备含M前体的方法; 以及其中混合物在胺存在下加热以形成纳米晶体的方法。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT