公开(公告)号：JP2017025201A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：JP2015145103

申请日：2015-07-22

申请人： 国立大学法人名古屋大学 ,  日亜化学工業株式会社

发明人： 鳥本 司 ,  亀山 達矢 ,  深津 明弘 ,  小谷松 大祐

IPC分类号： C09K11/62 ,  C09K11/88 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357 ,  C09K11/08

CPC分类号： C09K11/621 ,  C01G15/006 ,  H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  H01L33/504 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

摘要： 【課題】バンド端発光可能であり、かつ低毒性の組成とすることが可能な三元系または四元系の半導体ナノ粒子を提供する。 【解決手段】M 1 、M 2 、およびZを含む、平均粒径が50nm以下の半導体ナノ粒子(M 1 は、Ag、CuおよびAuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、M 2 は、Al、Ga、InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、Zは、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である)を、M 1 の塩とともに、溶媒中で加熱することにより、M 1 の原子数対M 2 の原子数の比(M 1 /M 2 )を0.990以上、1.089以下とすると、350〜1000nmの範囲内にある波長の光が照射されたときに、蛍光寿命が200ns以下の蛍光を発することが可能な半導体ナノ粒子を得ることができる。 【選択図】なし

摘要翻译： A是带边缘可以发光，并且提供了三元或四元系统的半导体纳米粒子，其可以是低毒性的组合物。 的M1，M2，以及Z，或小于50nm的半导体纳米粒子的平均粒径（M1是从由Ag，Cu和Au中，M2是，Al组成的组中选择的至少一种元素， GA，从由在与所述组中的至少一个元件T1，Z是，S，至少一个是一个元素）选自Se和Te的在溶剂中选择，M1盐，加热 通过原子数对0.990以上，当低于1.089，当波长在350〜1000nm的范围内的光被照射时，荧光寿命M1的M2（M1 / M2）的原子数之比 所以能够得到能够发射荧光以下200纳秒的半导体纳米粒子。 系统技术领域

公开(公告)号：JP4948747B2

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：JP2003581553

申请日：2003-03-28

申请人： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー ,  ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション

发明人： ウィング−ケウング ウー ,  セス エー． コエ ,  モンギ ジー． バウェンディ ,  ブラディミル ブロビック

IPC分类号： H05B33/14 ,  B32B3/00 ,  B32B9/04 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC分类号： H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/883 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5096 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/952 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/2991

公开(公告)号：JP2009524924A

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：JP2008551929

申请日：2007-01-24

申请人： エヌエックスピー ビー ヴィ

发明人： アガーワル プラブハット ,  ヒュレック フレッド

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/1054 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/938

摘要： トランジスタが、真性または低濃度ドーピング領域(26,28)によって分離されたソース(24)およびドレイン(29)を有するナノワイヤ(22,22')を備えている。 真性または低濃度ドーピング領域(26,28)とソース(24)またはドレイン(29)の一方との間の界面にポテンシャルバリアが形成される。 ポテンシャルバリアの付近にゲート電極(32)を設けて、ゲート電極(32)に適切な電圧を印加することによって、ポテンシャルバリアの実効的な高さおよび／または幅を調整することができる。

公开(公告)号：JP2005263580A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：JP2004080653

申请日：2004-03-19

申请人： Kanagawa Acad Of Sci & Technol ,  Nippon Oil Corp ,  新日本石油株式会社 ,  財団法人神奈川科学技術アカデミー

发明人： NAKAYAMA KEISUKE ,  KUBO TAKAYA ,  NISHIKITANI YOSHINORI ,  MASUDA HIDEKI

IPC分类号： B82B1/00 ,  B01J21/06 ,  B01J35/02 ,  B01J37/12 ,  B82B3/00 ,  C01G23/053 ,  C25D11/34 ,  H01G9/20 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01G9/2031 ,  B01J21/063 ,  B01J35/026 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/053 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/54 ,  C25D11/34 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/81 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/832 ,  Y10S977/948 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/1314 ,  Y10T428/298

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide titania which is excellent in industrial productivity and has the shape of a nanotube that is uniform and has a sufficient aspect ratio. SOLUTION: The titania having the shape of the nanotube with an aspect ratio of ≥6 can be produced by subjecting titanium metal or an alloy containing titanium as a main component to anodic oxidation in an electrolyte solution containing halogen atom-containing ions, such as the aqueous solution of perchloric acid. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提供工业生产率优异并且具有均匀且具有足够的纵横比的纳米管的形状的二氧化钛。 解决方案：具有纵横比≥6的纳米管形状的二氧化钛可以通过使钛金属或含有钛作为主要成分的合金在含有含卤原子的离子的电解液中进行阳极氧化来制造， 例如高氯酸的水溶液。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005103746A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：JP2003413856

申请日：2003-12-11

申请人： Hitachi Software Eng Co Ltd ,  日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社

发明人： SATO KEIICHI ,  KUWAHATA SUSUMU

IPC分类号： G01N31/22 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00 ,  C01G13/00 ,  C01G15/00 ,  C01G21/00 ,  C01G41/00 ,  C09C1/00 ,  C09C1/36 ,  C09C3/08 ,  C09K11/56 ,  G01N21/78

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01G11/00 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/00 ,  C09C1/3692 ,  C09K11/56 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/83 ,  Y10T428/2991

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve durability against external factors of a semiconductor nanoparticle provided with a surface treatment such as an OH coating or ammonia treatment. SOLUTION: Durability against the external factors is applied to the semiconductor nanoparticle provided with a surface treatment such as the OH coating or ammonia treatment and having high-emission properties by performing coating with an organic material such as hexylamine, dodecylamine, trioctylmethylammonium, tridodecilmethylammonium, and similar organic material, by migrating the semiconductor nanoparticle from an aqueous phase to an organic solvent such as hexane or toluene. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提高具有表面处理如OH涂层或氨处理的半导体纳米颗粒的外部因素的耐久性。 解决方案：通过用诸如己胺，十二烷基胺，三辛基甲基铵等有机材料的涂覆，将外部因素的耐久性应用于具有OH涂层或氨处理等表面处理的半导体纳米粒子，并具有高发射性， 十三烷基甲基铵和类似的有机材料，通过将半导体纳米颗粒从水相迁移到有机溶剂如己烷或甲苯中。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004083405A

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：JP2003295214

申请日：2003-08-19

申请人： Haldor Topsoe As ,  ハルドール・トプサー・アクチエゼルスカベット

发明人： BRORSON MICHAEL ,  JACOBSEN CLAUS J H ,  HANSEN THOMAS WILLUM

IPC分类号： B82B3/00 ,  C01G47/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01G47/00 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/813

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rhenium sulfide (IV) material which has a nanotube shape.
SOLUTION: The rhenium sulfide (IV) (ReS
2 ) nanotube material consists of a hollow cylindrical body of concentric rhenium sulfide (IV) layers and distance between ReS
2 layers is 0.5-0.7 nm. The nanotube material composed of a rhenium atom layer sandwiched between two layers of sulfur atoms is obtained.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2017536697A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2017524027

申请日：2015-11-06

申请人： ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション ,  ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション

发明人： リ，テ−ウ ,  イム，サンヒョク ,  チョウ，ヒムチャン ,  キム，ヨン−ホン

IPC分类号： H01L51/48 ,  C09K11/06 ,  H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L51/0077 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G21/16 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/60 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C07F7/24 ,  C09K11/06 ,  C09K11/665 ,  C09K2211/10 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/426 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/442 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5206 ,  H01L2251/308 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/948 ,  Y10S977/95

摘要： ペロブスカイト発光素子用発光層及びこれの製造方法とこれを利用したペロブスカイト発光素子を提供する。本発明の有機無機ハイブリッドペロブスカイト発光素子用発光層の製造方法は、発光層塗布用部材上に有機無機ペロブスカイトナノ結晶構造を含む有機無機ペロブスカイトナノ粒子を含む溶液をコーティングしてナノ粒子の第1薄膜を形成するステップを含む。これに、ナノ粒子発光体中にFCCとBCCを組み合わせた結晶構造を有する有機無機ハイブリッドペロブスカイトが形成され、有機平面と無機平面が交互に積層されているラメラ構造を形成されており、無機平面に励起子が拘束されて高い色純度を生じ得る。また、ペロブスカイトをナノ粒子に製造された後、発光層に導入することによって素子の発光効率及び輝度を向上させることができる。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2013235816A

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：JP2012260946

申请日：2012-11-29

申请人： Nanosys Inc ,  ナノシス・インク.

发明人： DAVID STUMBO ,  STEPHEN EMPEDOCLES ,  FRANCISCO LEON ,  J WALLACE PARCE

IPC分类号： H01B3/00 ,  H01G4/10 ,  H01G4/18

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/936

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide artificial dielectrics with nanostructures.SOLUTION: Artificial dielectrics using nanostructures, such as nanowires, are disclosed. In embodiments, artificial dielectrics using other nanostructures, such as nanorods, nanotubes, or nanoribbons and the like are disclosed. The artificial dielectric includes a dielectric material with a plurality of nanowires (or other nanostructures) embedded within the dielectric material. Very high dielectric constants can be achieved with an artificial dielectric using nanostructures. The dielectric constant can be adjusted by varying the length, diameter, carrier density, shape, aspect ratio, orientation, and density of the nanostructures. Additionally, a controllable artificial dielectric using nanostructures, such as nanowires, is disclosed in which the dielectric constant can be dynamically adjusted by applying an electric field to the controllable artificial dielectric. A wide range of electronic devices can use artificial dielectrics with nanostructures to improve performance.

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有纳米结构的人造电介质。解决方案：公开了使用纳米结构的人造电介质，例如纳米线。 在实施例中，公开了使用其他纳米结构的人造电介质，例如纳米棒，纳米管或纳米带等。 人造电介质包括具有嵌入电介质材料内的多个纳米线（或其他纳米结构）的电介质材料。 使用纳米结构的人造电介质可以实现非常高的介电常数。 可以通过改变纳米结构的长度，直径，载流子密度，形状，纵横比，取向和密度来调节介电常数。 此外，公开了使用纳米结构的可控人造电介质，例如纳米线，其中可以通过向可控人造电介质施加电场来动态地调整介电常数。 各种电子器件可以使用具有纳米结构的人造电介质来提高性能。

公开(公告)号：JP5349956B2

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：JP2008508795

申请日：2006-04-25

申请人： スモルテック エービー

发明人： カビール、モハメド、シャフィクル

IPC分类号： H01J1/304 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073

CPC分类号： C23C16/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/26 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/31786 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/827 ,  Y10S977/832 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/939

摘要： The present invention relates to a method of forming nanostructures, comprising providing a conductive substrate; depositing a stack of layers on the conductive substrate; and growing nanostructures on the stack of layers. The stack of layers comprises at least one intermediate layer and a catalyst layer formed on the at least one intermediate layer. The at least one intermediate layer is made of a material that is different from a material of the conductive substrate and a material of the catalyst layer; and the stack of layers comprises materials permitting interdiffusion of the layers between the conducting substrate and the nanostructures.

公开(公告)号：JP4279455B2

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：JP2000528736

申请日：1999-01-22

申请人： ミッドウエスト リサーチ インスティチュート

发明人： ジェイ カーチス、カルヴィン ,  エス ギンレイ、デイビド ,  エル シュルツ、ダグラス

IPC分类号： B82B3/00 ,  C01G3/00 ,  B01J13/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/00 ,  C01B19/04 ,  C01G13/00 ,  C03C17/22 ,  C09D1/00 ,  C30B5/00 ,  H01L21/208 ,  H01L21/363 ,  H01L21/368 ,  H01L51/42

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/02 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/22 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/287 ,  C03C2218/113 ,  C30B5/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/89