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公开(公告)号：JP6870085B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2019524216
申请日：2016-12-14
发明人： ハラルト、ヘルトライン , ハインツ、クラウス
IPC分类号： C01B33/029 , C23C16/24 , C30B29/06 , C30B15/00 , C01B33/03
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公开(公告)号：JP2019535625A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2019524216
申请日：2016-12-14
发明人： ハラルト、ヘルトライン , ハインツ、クラウス
IPC分类号： C01B33/029 , C23C16/24 , C30B29/06 , C30B15/00 , C01B33/03
摘要： 本発明は、反応器中に水素およびシラン、および/またはハロシランを含有する反応ガスを導入することを含んでなる多結晶シリコンの製造方法であって、反応器が、元素のケイ素を熱分解によって堆積して多結晶シリコンを形成する少なくとも1つの被加熱キャリア体を含んでなる、方法に関する。排ガスを連続運転で反応器外に排出し、前記排ガスから回収された水素を循環ガスとして反応器に供給する。循環ガスは、1000ppmv未満の窒素含有量を有する。さらに、本発明は、2ppba未満の窒素成分を有する多結晶シリコンに関する。
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3.发明专利
公开(公告)号：JP2019530147A
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2019512890
申请日：2017-09-19
申请人： ダイナテック エンジニアリング エーエス
发明人： フィルトヴェット ヴェルナー オー.
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/03 , H01M4/36 , H01M4/38
摘要： リチウムイオン充電式電池におけるアノード材料として使用するためのケイ素粒子を製造する方法であって、以下のステップ:a)任意に、ケイ素シード粒子および/もしくはリチウムシード粒子を、別個の任意のステップとして、またはステップb)に含まれるように回転可能な反応器中に導入するか、あるいはケイ素もしくはリチウムシード粒子または内部コア材料を生成するステップ、b)CVDのためのケイ素含有第1反応ガスを反応器中に導入し、反応器をCVD条件下での回転に設定して;ケイ素に富むコア粒子をシード粒子上で成長させ、その間反応器を、前記コア粒子上の重力の自然加速度の少なくとも1000倍を超える求心加速度を生じる回転速度で回転させるステップ、c)任意に、第2の反応ガス、液体または材料をステップa)およびb)の反応器、またはステップb)のコア粒子を導入した第2の反応器中に導入して、コア材料よりも低いケイ素含有量の第2の材料を成長させ、第2の反応ガス、液体または材料が第1の反応ガスとは異なるステップによって特色を示す、前記方法。本発明はまた、リチウムイオン充電式電池におけるアノード材料として使用するためのケイ素粒子、回転反応器の当該方法のための使用、およびこの方法を操作するための反応器を提供する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2019069898A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2018242190
申请日：2018-12-26
发明人： カール・ヘッセ , エーリッヒ・ドルンベルガー , クリスティアン・ライマン
IPC分类号： C01B33/03
摘要： 【課題】ウエハ表面の電気的再結合−活性面積率を減少させ、比較的高い太陽電池効率を有する多結晶シリコンの最適化された製造方法の提供。 【解決手段】底部および内面を含むシリコン融液を受け入れるためのるつぼ3を提供する工程であって、るつぼの少なくとも底部は、Si 3 N 4 、酸化Si 3 N 4 およびSiO 2 からなる群から選択される1つ以上の化合物を含むコーティング4を有する工程、るつぼの底部のコーティングと接触してるつぼ内にシリコン層1を配置する工程、シリコン層と接触してるつぼ内に多結晶シリコン2を配置する工程、多結晶シリコンおよびシリコン層が完全に融解してシリコン融液を形成するまでるつぼを加熱する工程、シリコン融液を一方向凝固させて多結晶シリコンブロックをもたらす工程を含み、るつぼを加熱するとおよび/またはシリコン層を融解するとシリコン層は還元剤を放出することを特徴とする該方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6193476B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2016510986
申请日：2014-04-15
发明人： ベックエッサー,ディルク , ヘルライン,ハラルト
CPC分类号： C01B33/03 , B01J8/1809 , B01J8/1827 , B01J8/1872 , C01B33/027 , B01J2208/00017 , B01J2208/00548 , B01J2208/00628 , B01J2208/00663 , B01J2208/00725 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B01J2208/00902 , B01J2208/065
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公开(公告)号：JP2016522782A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2016512281
申请日：2014-04-28
发明人： ペドロン，ジーモン , フォルストポイントナー，ゲーアハルト
CPC分类号： C01B33/03 , B01J8/0015 , B01J8/1827 , B01J8/1836 , B01J8/1872 , B01J8/24 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B01J2208/00902 , B01J2208/065 , C01B33/027 , C23C16/24 , C23C16/442
摘要： 本発明は、粒状ポリシリコンを有する流動床用の内部反応器管および反応器底部を有する容器と、内部反応器管内で流動床を加熱するための加熱装置と、流動化ガスを供給するための反応器底部の少なくとも1つの開口および反応ガスを供給するための反応器底部の少なくとも1つの開口と、反応器排ガスを排出するための装置と、シリコン粒子を供給するための供給装置と、粒状ポリシリコンのための除去パイプをとを備え、供給される少なくとも1つの質量流を超臨界的に広げるために、ラバールノズルが、内部反応器管の外側の反応器底部の開口の少なくとも1つの前方に据え付けられる、粒状ポリシリコンを製造するための流動床反応器に関する。
摘要翻译： 本发明包括具有内部反应器管和反应器为流化床粒状多晶硅，用于反应器管内加热所述流化床的加热装置的底部的容器中，用于供给流化气体 在反应器的底部，用于将至少一个孔和所述反应器底部的反应气体，并且用于排出所述反应器的废气中，供给装置用于供给硅的颗粒，粒状聚装置的至少一个开口 除去管为硅以大写，安装提供给加宽超临界的至少一个的质量流量，拉伐尔喷嘴是在反应器的底部的内反应器管外侧的前部开口中的至少一个 它涉及一种流化床反应器用于生产粒状多晶硅的。
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公开(公告)号：JP2016522778A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2016510986
申请日：2014-04-15
发明人： ベックエッサー，ディルク , ヘルライン，ハラルト
CPC分类号： C01B33/03 , B01J8/1809 , B01J8/1827 , B01J8/1872 , B01J2208/00017 , B01J2208/00548 , B01J2208/00628 , B01J2208/00663 , B01J2208/00725 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B01J2208/00902 , B01J2208/065 , C01B33/027
摘要： 本発明は、流動床内のガス流によりシリコン粒子を流動化する工程を有する流動床反応器内で粒状ポリシリコンを製造する方法であって、前記ガス流は加熱装置により850から1100℃の温度まで加熱される工程、少なくとも1つのノズルによりシリコン含有反応ガスを添加する工程、およびシリコン粒子上へシリコンを蒸着する工程を含む。本発明は、前記少なくとも1つのノズルのノズル開口の周りの軸対称領域の少なくとも56%において、反応ガス濃度が反応ガスの最大濃度の75%より高く(10から50モル%)、流動床の温度が前記軸対称領域の外側の流動床温度の95%より高く(850から1100℃)、固体濃度が流動床の縁の固体濃度の85%より高い(55から90体積%)ことを特徴とする。
摘要翻译： 本发明提供了一种用于生产粒状多晶硅的流化床反应器，其包括通过在流化床中，气体流850从1100℃通过加热装置温度的气体流流过的硅颗粒的步骤 过程中加热的方法，包括沉积硅的方法，以及在硅颗粒通过至少一个喷嘴加入到含硅反应气体。 本发明中，围绕喷嘴的喷嘴开口的轴向对称区的至少一个至少56％，反应气体的最大浓度的反应气体的浓度高于75％（10〜50摩尔％），则流化床的温度 特性值，但外流化床中的轴向对称区的（850从1100℃）的温度的大于95％，固体浓度为流化床的边缘的固体浓度高于85％（55〜90体积％），其 。
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公开(公告)号：JP2016520034A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2016515729
申请日：2014-05-21
发明人： シモン、ペドロン
IPC分类号： C01B33/03
CPC分类号： C01B33/03 , C01B33/027 , C01B33/029
摘要： 本発明は、600〜1200℃に加熱した流動床中で、供給した流動化するガスにより、シリコン粒子を流動化させ、シリコン含有反応ガスを加え、シリコン粒子上にシリコンを分離し、顆粒状ポリシリコンを形成し、次いでそのシリコンを反応器から取り出し、オフガスも取り出すことを含んでなる、流動床反応器における顆粒状ポリシリコンの製造方法に関する。この方法は、取り出されたオフガスが、流動化又は反応ガスの加熱に、又は熱交換器中で冷却水の加熱に使用されることを特徴とする。
摘要翻译： 本发明中，在加热至600〜1200℃，与供给的气体流化，所述硅颗粒被流化，含硅反应气体被加入时，硅上的硅颗粒分离，粒状聚流化床 硅形成，然后从反应器中取出的硅，所述废气还包括取出了一种用于在流化床反应器中制备粒状多晶硅的。 此方法中，废气被取出，流化气体或反应气体的加热，或者在换热器，其特征在于它被用来加热冷却水。
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公开(公告)号：JPWO2014010457A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014524746
申请日：2013-07-01
申请人： 株式会社トクヤマ
CPC分类号： C01B33/03 , C01B33/035 , F22B1/18 , Y02P20/124
摘要： 【課題】本発明は、ポリシリコンの析出工程から発生する高温の排ガスから効率良く熱を回収することを目的とする。また、本発明は、配管や装置におけるシリコン微粉やポリマーの付着残留を低減し、未反応原料ガス等の回収効率を上げ、洗浄頻度を低下させ、長時間の連続運転を可能にすることで、製造効率の向上を図ることを目的としている。【解決手段】本発明に係るポリシリコンの製造方法は、クロロシラン類を含む原料ガスによりポリシリコンを析出させる析出工程、および析出工程からの排ガスを、排ガス配管を備えたボイラー型熱回収装置に供給し熱回収する熱回収工程を備え、前記ボイラー型熱回収装置内の排ガス配管の出口ガス温度を200℃以上とすると共に、ボイラー型熱回収装置内の排ガス配管出口における排ガス流速を10m/秒以上に調整することを特徴としている。【選択図】図1
摘要翻译： 公开意在从多晶硅的析出步骤中产生的热废气有效地回收热量。 此外，本发明减少了在管道和设备的硅细粉末和聚合物，提高这种未反应的原料气体的回收效率的残余粘附性，清洗频率被降低，以允许长时间连续操作中， 其目的是在提高生产效率。 一种用于生产根据本发明的多晶硅的方法，沉积的步骤是通过源气体包括氯硅烷，和排气气体从沉积步骤沉积的多晶硅，供给到锅炉的热回收设备具有废气管 并且包括回收热的热回收步骤，而排气管的出口气体温度在锅炉热回收装置200℃和在锅炉热回收设备10米/秒以上的排气管出口500℃废气流量之间 它的特点是通过调整。 点域1
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公开(公告)号：JP5638572B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2012150744
申请日：2012-07-04
发明人： ヘックル ヴァルター , ヘックル ヴァルター , ミュラー バーバラ , ミュラー バーバラ , リング ローベアト , リング ローベアト
IPC分类号： C01B33/03
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/03 , C01B33/035 , C01B33/10778
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