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公开(公告)号：JP2021183563A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021144420
申请日：2021-09-06
申请人： 株式会社SUMCO
摘要： 【課題】シリコンウェーハ表層のボイド欠陥を消去する不活性雰囲気アニール処理後に外周部のスリップ転位の発生を抑制可能なシリコンウェーハを効率良く得られるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 【解決手段】2.89×10 13 atoms/cm 3 以上5.38×10 14 atoms/cm 3 以下の窒素が含有されたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の外周研削後の直胴部における固化率が9.6%以上の領域でのリング状のOSF領域の内径が当該直胴部から切り出されたシリコンウェーハの直径の78%以上95%以下の範囲内となるように、シリコン単結晶を引き上げる。 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP6961893B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2020501833
申请日：2019-05-22
申请人： エルジー・ケム・リミテッド
发明人： リー、ホリム , キム、ジュンワン , チュン、チャンイェプ , コ、ジュン ミン
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公开(公告)号：JP2021127839A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020020660
申请日：2020-02-10
申请人： FTB研究所株式会社
发明人： 堀岡 佑吉
IPC分类号： F24F7/06 , F24F13/08 , F24F11/64 , F24F11/74 , F24F11/80 , C30B15/00 , C30B29/06 , F24F110/10 , F24F110/20 , F24F110/30 , F24F110/64 , F24F7/007
摘要： 【課題】 炉から上昇気流が生じる場合であっても、クリーンルーム内の気流の乱れを抑制することを可能とする気流制御装置、気流制御方法及び気流制御システムを提供する。 【解決手段】 気流制御装置は、ヒータによって加熱される炉を有する2以上の製造装置が設けられるクリーンルームにおいて、前記2以上の製造装置のそれぞれに対応する2以上の給気口に連通する給気ダクトに供給される気体を制御する制御部を備える。前記制御部は、前記炉が開かれた場合に、開かれた炉を有する第1製造装置に対応する第1給気口から前記クリーンルーム内に給気される気体の流量を増大する気流調節制御を実行する。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP2021107325A
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：JP2021077913
申请日：2021-04-30
申请人： 株式会社SUMCO
摘要： 【課題】従来にはない、直径300mmという大径であり、かつ低抵抗率のn型シリコン単結晶のインゴットを提供する。 【解決手段】赤リンを主たるドーパントとして含み、シリコン単結晶の直胴部開始位置の電気抵抗率が1.2mΩcm以上、1.7mΩcm以下であり、シリコン単結晶の直胴部最後部の電気抵抗率が0.8mΩcm以上、1.0mΩcm以下である直径300mmウェーハ用のn型シリコン単結晶のインゴット。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2021080131A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019208719
申请日：2019-11-19
申请人： FTB研究所株式会社
摘要： 【課題】炭素濃度が低い大口径単結晶の成長を実現する単結晶成長装置の提供。 【解決手段】シリコン単結晶を成長させる単結晶成長炉にガスフローを整流するガスフロー管7を配設し、該ガスフロー管7の少なくとも表面層の材質を炭化ケイ素(SiC)とすることにより、シリコン酸化物と還元反応を起こさず、結晶中に含まれる炭素濃度を低減するとともに、成長中の結晶に外部から放射される輻射熱を遮断し、炉材の寿命を伸ばすとともに、結晶中の炭素濃度を低減する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021070608A
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：JP2019198233
申请日：2019-10-31
申请人： クアーズテック株式会社
发明人： 山川 敬士
摘要： 【課題】カーボンサセプタに保持された石英ガラスルツボと、前記カーボンサセプタとの密着性を向上するとともに、石英とカーボンとにより生じる反応ガスを効率的に排出する。 【解決手段】外層に石英ガラスからなる不透明層を有する石英ガラスルツボであって、 第一の曲率を有する底部と、前記底部の周縁部に形成され、第二の曲率を有するコーナー部と、前記コーナー部から上端開口まで延びる直胴部とを有し、前記不透明層における気泡密度が、前記上端開口側よりも前記底部側が高くなるよう勾配を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021070593A
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：JP2019196678
申请日：2019-10-29
申请人： 株式会社SUMCO
发明人： 末若 良太
摘要： 【課題】シリコン単結晶育成中の結晶内の熱応力を加味してシリコン単結晶における点欠陥の分布を求めることができる点欠陥シミュレーターを提案する。 【解決手段】本発明による点欠陥シミュレーター1は、シリコン単結晶における熱応力の影響を加味した移流拡散方程式を用いて、CZ法によりシリコン単結晶を引き上げ中の空孔および格子間シリコンの濃度分布を計算する点欠陥シミュレーターであり、応力の項の係数である応力係数をフィッティングパラメータとして、実験結果と一致するように計算結果を調整する解析部13を備えることを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021066627A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2019192518
申请日：2019-10-23
申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社
摘要： 【課題】Fe−Ga系合金の単結晶から形成される磁歪素子の表面において磁区幅が小さい磁区構造を有する磁歪材料の提供。 【解決手段】Fe、Ga及びX(XはSmまたはCe)で構成される単結晶の磁歪材料102であって、式:Fe(100−α−β)−Gaα−Xβ(式中、αはGa含有率(at%)、βはX含有率(at%)である)で表され、また、α及びβは下記不等式:14≦α≦20、0.05≦β≦5を満足し、磁歪材料の単一磁区における最も長い部分の長さが10μm〜30μmであることを特徴とする磁歪材料。 【選択図】図1
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