公开(公告)号：JP2021172850A

公开(公告)日：2021-11-01

申请号：JP2020076871

申请日：2020-04-23

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 中村 太一 ,  秦 誠一 ,  岡 智絵美 ,  山崎 貴大

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  C23C14/14 ,  C22C38/00

Abstract: 【課題】大きい磁歪量を発現できる磁歪材料を提供する。 【解決手段】磁歪材料は、次式(1): Fe (100−x−y) Ga x Sm y (1) (式中、合金を構成するFe原子、Ga原子およびSm原子の総数を基準として、xはGa含有率(at%)、yはSm含有率(at%)であり、xおよびyは、x−y直交座標系において、不等式:y≦0.33x−0.67、y≧1.5x−24およびy≧0.25x+7.5を満たす) で表されるFeGaSm合金から成る。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2021118287A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：JP2020011503

申请日：2020-01-28

Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構

Inventor： リャオ メイヨン ,  ジャン ジロン ,  サン リウエン ,  小出 康夫

IPC: G01R33/02 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01L43/00 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  H01L41/06 ,  C30B29/52 ,  C30B23/02 ,  H01L41/12

Abstract: 【課題】小型で、高温下でも安定に動作する磁気センサーを提供する。 【解決手段】 単結晶ダイヤモンド層上に支持部を介して梁が形成されており、梁は単結晶のダイヤモンド板と磁気感応層を含んで形成されており、磁気感応層はFe x Ga (1−x) (xは0.7以上0.9以下)またはFe y Ga (1−y−z) B z (yは0.5以上0.85以下、zは0.05以上0.2以下)とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021064735A

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：JP2019189512

申请日：2019-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 野口 隆男 ,  岡野 靖久

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/47 ,  H01L41/20 ,  H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H02N2/00 ,  H01L41/319

Abstract: 【課題】優れた圧電特性を示す電子デバイス用素子、および当該電子デバイス用素子を有する電子デバイスを提供すること。 【解決手段】圧電体薄膜を有する電子デバイス用素子である。膜積層部は、エピタキシャル成長膜から成る圧電体薄膜を有する。そして、圧電体薄膜は、結晶軸が3軸すべての方向において揃って配向するようにエピタキシャル成長した膜であり、少なくとも3種のドメインを有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020169881A

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：JP2019071171

申请日：2019-04-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岡野 靖久 ,  野口 隆男

IPC: G01L9/16 ,  G06F3/041 ,  G06F3/046 ,  G01H3/00 ,  H01L41/113 ,  H01L41/47 ,  H01L41/12 ,  G01L1/12

Abstract: 【課題】感度および耐久性が良好であって、小型化可能な物理量センサ素子、圧力センサなどを提供する。 【解決手段】磁化された磁化部である磁化膜123を有し、変形することにより膜の延在方向とは交差する方向に磁化膜123が振動する膜部120と、磁化膜123の振動による磁場の変動によって歪を生じる磁歪部である磁歪層155と、磁歪層155の歪による変形を検知する圧電層152とからなる非接触検知部150と、を有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2020161820A

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：JP2020052571

申请日：2020-03-24

Applicant: 国立大学法人信州大学

Inventor： 劉 小晰

IPC: H01L41/47 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H02N2/18 ,  H01L41/12

Abstract: 【課題】微弱な振動や応力を高感度に検出しエネルギーハーベストが可能な自己発電式の発電素子およびこれを応用した振動、応力・歪に関するセンサを提供する。 【解決手段】磁歪を有する短冊状の磁性膜にコイルを周回した発電素子において、短冊状の磁性膜の長手方向と交差する方向に誘導磁気異方性の磁化容易軸を付与することによって磁性膜の磁気異方性を低減させ、微弱な振動や力に対しても高感度に磁化の変化を生じさせ高い誘導起電力を得て発電する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020118504A

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：JP2019008437

申请日：2019-01-22

Applicant: ABLIC INC

Inventor： HIKICHI TOMOO ,  FUKAI KENTARO

IPC: G01L1/26 ,  H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47 ,  H01L43/06

Abstract: 【課題】常温と同様の補償誤差を高温の場合にも実現でき、半導体センサのチップの面積を従来例に比較して低減することが可能な応力補償制御回路を提供する。【解決手段】本発明は、半導体センサに印加される応力による検出感度の変化を補償する応力補償制御回路であり、第1ディプレッショントランジスタと第1エンハンスメントトランジスタとの応力によるトランスコンダクタンスの変化の違いにより、印加されている応力に対応する応力補償電圧を生成する応力補償電圧生成回路を備え、応力補償電圧に基づき、半導体センサに印加される応力に対応して、検出感度の補償を行なう。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019204257A

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：JP2018098586

申请日：2018-05-23

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 服部 成人

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/47 ,  H01L41/12 ,  G06F3/041

Abstract: 【課題】改善された構造体及び触感呈示装置を提供する。 【解決手段】構造体は、触感を呈示する。構造体は、圧電素子の伸縮変位に応じて構造体を振動させるアクチュエータに当接可能な当接部を有する。当接部は、アクチュエータに対して非接着である。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2019168250A

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：JP2018054343

申请日：2018-03-22

Applicant: 本田技研工業株式会社

Inventor： 田中 陽介 ,  有村 豊 ,  星野 大介 ,  大図 達也 ,  相馬 慎吾

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/113 ,  H01L41/04 ,  B60L50/16 ,  H02K11/24 ,  B60K6/442 ,  B60K6/26 ,  G01L3/10

Abstract: 【課題】トルクセンサに関する設計上の自由度及び検出精度を向上することが可能なモータユニット及び車両を提供する。 【解決手段】モータユニット80は、中空部320を有する出力シャフト204を備える駆動モータ24と、中空部320内に配置されたトルクセンサ50とを有する。出力シャフト204は磁性体で構成される。車両10は、モータユニット80を備えることができる。駆動モータ24は、例えば、車両10の走行駆動力を生成する走行モータとすることができる。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018048897A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2016184197

申请日：2016-09-21

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 藤 慶彦 ,  原 通子 ,  増西 桂 ,  東 祥弘 ,  加治 志織 ,  湯澤 亜希子 ,  永田 友彦 ,  大津 賢治 ,  岡本 和晃 ,  馬場 祥太郎

IPC: G01C19/5614 ,  G01C19/5747 ,  G01C19/5726 ,  H01L41/09 ,  H01L41/12 ,  G01C19/5628

CPC classification number: G01P15/09 ,  G01C19/5607 ,  G01C19/5719 ,  G01P3/44 ,  G01P15/0922 ,  G01P15/097 ,  G01P15/105 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828

Abstract: 【課題】感度を向上できるセンサ及びセンサパッケージを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、センサは、支持部、可動部、第1圧電素子及び磁性素子を含む。可動部は、支持部と接続され第1延在方向に延びる。第1圧電素子は、可動部に固定される。第1圧電素子は、第1電極と、第1電極と可動部との間に設けられた第2電極と、第1、第2電極の間に設けられた第1圧電層と、を含む。磁性素子は、可動部に固定される。磁性素子は、第1磁性層と、第2磁性層と、第1、第2磁性層の間に設けられた第1中間層と、を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017510818A

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2016575607

申请日：2015-03-10

Applicant: コアテク, インコーポレイテッドQortek, Inc. ,  コアテク, インコーポレイテッドQortek, Inc.

Inventor： ガレス ジェイ． ノウルズ， ,  ガレス ジェイ． ノウルズ， ,  ウィリアム エム． ブラッドレー， ,  ウィリアム エム． ブラッドレー， ,  ジョナサン エム． ズーク， ,  ジョナサン エム． ズーク， ,  ロス バード， ,  ロス バード， ,  シャファクキャン ツンクデミール， ,  シャファクキャン ツンクデミール，

IPC: G01R15/14 ,  G01R33/02 ,  H01L41/06 ,  H01L41/12 ,  H01L41/20 ,  H01L41/47

CPC classification number: G01R15/183 ,  G01L1/127 ,  G01L1/2206 ,  G01R15/18 ,  G01R33/0052 ,  H01L41/12

Abstract: 非接触電流センサは、通電導体を取り囲むギャップがある磁性コアを含む。磁歪要素は、前記ギャップがある磁性コアに機械的に接合されている。前記通電導体内を流れる電流は、前記磁歪要素を流れる前記磁性コア内の磁場を誘導する。前記ギャップがある磁性コアは、前記磁歪要素が機械的に接合した取付部を備える。前記取付部は、前記磁歪要素内の磁束を増加させる形状を有する。歪みゲージは、磁束によって誘導された前記磁歪要素の変位を測定するために、前記磁歪要素に機械的に接合している。【選択図】図2