ミリ波フィルタアレイ
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021531708A

    公开(公告)日:2021-11-18

    申请号:JP2021523580

    申请日:2019-07-12

    摘要: ミリ波フィルタアレイ用の方法、システム、および装置が説明される。フィルタアレイは、誘電体の誘電体層を用いて形成されたユニットセルのアレイを含み、誘電体層は、第1の表面および反対側の第2の表面を有する。各ユニットセルは、誘電体層の第1の表面と第2の表面との間に少なくとも部分的に延びかつ誘電体層内に共振空間を定める導電性側壁層を有する。各ユニットセルは、第1の表面上に形成されていて、誘電体層の共振空間の少なくとも一部分を覆うとともに導電性側壁層に電気的に接続されている金属化層をさらに有する。各ユニットセルは、誘電体層の第1の表面上に形成された高周波入力−出力(RF I/O)接点を有する。 【選択図】図2

    ポスト壁導波路及びフィルタモジュール

    公开(公告)号:JP2021016146A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:JP2020009353

    申请日:2020-01-23

    发明人: 上道 雄介

    摘要: 【課題】励振部同士の距離を従来よりも長くすることなく、且つ、この距離を容易に設計変更可能なポスト壁導波路を提供すること。 【解決手段】ポスト壁導波路は、複数の共振領域と、第1励振領域と、第2励振領域と含み、上記複数の共振領域の各々は、平面視において円形状であり、上記第1励振領域に設けられた第1励振部と上記第2励振領域に設けられた第2励振部との距離である励振部間距離は、上記最初段の共振領域と上記最後段の共振領域の中心間距離以下である。 【選択図】図2

    スイッチ装置
    5.
    发明专利
    スイッチ装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020150466A

    公开(公告)日:2020-09-17

    申请号:JP2019047557

    申请日:2019-03-14

    发明人: 上道 雄介

    摘要: 【課題】ミリ波帯において利用可能なスイッチ装置であって、低い損失と高いアイソレーション特性とを両立可能なスイッチ装置を提供すること。 【解決手段】スイッチ装置(1)は、広壁(導体層2)に開口(AP1〜AP5)が形成されたポスト壁導波路(フィルタ本体1M)と、開口(AP1〜AP5)を塞ぐ部分が導電性を有する材料により構成されたカバー(5)と、カバー(5)により開口(AP1〜AP5)が塞がれている第1状態と、開口(AP1〜AP5)が開放されている第2状態とを切り替えるカバー制御機構(アクチュエーター6)と、を備えている。 【選択図】図1

    キャビティタイプの無線周波数フィルター

    公开(公告)号:JP2020519213A

    公开(公告)日:2020-06-25

    申请号:JP2020509409

    申请日:2018-05-02

    IPC分类号: H01P7/06 H01P1/207

    摘要: 本発明は、キャビティ構造を有する無線周波数フィルターとして、キャビティを有するために、内部が中空であり、一側に開放面を有する筐体と、筐体の中空に位置する共振素子と、共振素子に対応する位置に、予め設定した直径のネジホールを備え、筐体の開放面を密封するカバーと、カバーのネジホールにネジ結合し、上端の少なくとも一部分には、外側に一部が突出する構造である係止顎が形成される周波数チューニングネジと、周波数チューニングネジの前記係止顎にかかる構造で、前記周波数チューニングネジと前記カバーとの間に結合され、薄い板が中空部を有するリング状であり、端から前記中空部側に上昇する傾きを有するテーパー(taper)状で構成され、予め設定した付勢力を有する付勢固定部材を含む。 【選択図】図1a

    マイクロ波装置
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020072354A

    公开(公告)日:2020-05-07

    申请号:JP2018204431

    申请日:2018-10-30

    申请人: 株式会社PMT

    摘要: 【課題】簡素な構造で性能ばらつきを抑制可能なマイクロ波装置を提供する。 【解決手段】マイクロ波装置100は、マイクロ波発生器10と、マイクロ波を導く給電経路部20と、マイクロ波が導入される空胴30aを内部に有する共振器30と、を含む。給電経路部20は、中心導体21、絶縁体及び外部導体を有する。空胴30a内には、TM010モード又はTM110モードの電磁界が励起される。前記外部導体の終端部は、共振器30の上壁部32及び下壁部33のうちの一方の壁部に電気的に接続される。中心導体21は、空胴30a内にマイクロ波を導入する導入部21aを有する。導入部21aは、前記一方の壁部に形成された孔32aを前記一方の壁部に対して電気的に絶縁された状態で貫通して空胴30a内に突出し、且つ、共振器30の内側面30bの近傍で中心軸Oと平行に延伸する。 【選択図】図1

    高周波モジュール
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019179790A

    公开(公告)日:2019-10-17

    申请号:JP2018066837

    申请日:2018-03-30

    摘要: 【課題】モジュール内共振とそれによる高周波回路の特性劣化を抑制することができる高周波モジュールを提供する。 【解決手段】高周波モジュール(1)は、導体から形成されて内部空間を有する筐体(20)と、前記筐体の前記内部空間に収容される高周波回路基板(10)と、前記内部空間を規定する前記筐体の内壁のうち前記高周波回路基板と対向する内壁と前記高周波回路基板との間に設けられた抵抗体(30)とを有する。 【選択図】 図4