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公开(公告)号：JP2021170595A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073158
申请日：2020-04-15
申请人： 国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社デンソー , 浜松ホトニクス株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301 , C30B29/38 , C30B33/00 , B23K26/57 , B23K26/53 , H01L21/02
摘要： 【課題】縦型GaNデバイスにおける裏面電極の高い密着性を得ることができるGaN半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】GaNで構成され、一面110aと該一面110aと反対側の他面110bとを有し、一面110a側において、半導体素子のうちの一面110a側の構成部分となる一面側素子構成部分11が形成されたチップ構成基板110と、他面110bに接触させられた裏面電極を構成する金属膜61と、を有した構成とする。そして、他面110bが、断面台形状を成す複数の凸部および該凸部の間に位置する凹部による凹凸を有し、複数の凸部それぞれが構成する断面台形状の上底面が、一面110aに対向するようにする。 【選択図】図4B
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公开(公告)号：JP2021155322A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2021029123
申请日：2021-02-25
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： C30B33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L21/324 , C30B29/38
摘要： 【課題】特性の優れた半導体素子を実現可能な下地基板およびこれを用いた半導体素子を提供する。 【解決手段】半導体素子用下地基板の製造方法が、板状のZnドープGaN単結晶を得る単結晶取得工程と、板状のZnドープGaN単結晶の少なくとも一方主面にアッシングダメージ層を形成するダメージ層形成工程と、を備え、ダメージ層形成工程においては、一方主面に励起波長が325nmのHe−Cdレーザーを800W/cm 2 の励起強度にて照射してフォトルミネッセンス測定を行ったときのバンド端発光の発光強度に対するバンド端より長波長側における発光の発光強度の比が10%以上となるように、一方主面をプラズマアッシングすることによって、アッシングダメージ層を形成する、ようにした。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6943388B2
公开(公告)日：2021-09-29
申请号：JP2017196005
申请日：2017-10-06
申请人： 国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社 , 信越化学工業株式会社
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公开(公告)号：JP2021141387A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020035907
申请日：2020-03-03
申请人： 住友金属鉱山株式会社
发明人： 阿部 広
摘要： 【課題】単結晶のスライス加工後に行われるラッピング加工による基板割れを防止するため、ラッピング加工を行わない新たな加工プロセスを用いた圧電性酸化物単結晶基板の製造方法を提供すること 【解決手段】圧電性酸化物単結晶基板の製造方法は、圧電性酸化物単結晶基板の製造方法であって、圧電性酸化物単結晶をスライス加工して得られた薄板状の単結晶薄板に、エッチング処理を施すエッチング工程と、エッチング処理を施した単結晶薄板の表裏面を平面研削加工する平面研削工程と、を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021098623A
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2019230424
申请日：2019-12-20
申请人： 株式会社SUMCO
发明人： 鈴木 洋二
摘要： 【課題】極低酸素・窒素ドープ単結晶シリコンインゴットから切り出される単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の良否を簡便にかつ精度良く評価することが可能な、単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の評価方法を提供する。 【解決手段】極低酸素・窒素ドープ単結晶シリコンインゴットから採取したウェーハ状試料又は縦割り試料の表面に対して、Cuデコレーション処理と、これに引き続くライトエッチング処理又はセコエッチング処理を施す。その後、前記表面を観察して、前記表面における顕在化された欠陥の有無と存在領域に基づいて、前記単結晶シリコンインゴットから切り出される単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の良否を評価する。 【選択図】図7
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公开(公告)号：KR102239736B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020200110065A
申请日：2020-08-31
申请人： 에스케이씨 주식회사
CPC分类号： C30B23/002 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B35/002
摘要： 탄화규소 잉곳의 제조과정 중, 본격적으로 잉곳을 성장시키는 단계에서, 반응용기 내부에서 외부 방향으로 경사진 각도를 갖는 가이드를 구비하고, 가열수단을 소정 속도로 이동시켜 반응용기 내부의 온도 분포를 잉곳의 성장에 따라 변화시키는 탄화규소 잉곳의 제조방법, 탄화규소 잉곳 제조용 시스템 및 이에 따라 제조된 탄화규소 잉곳에 관한 것이다.
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公开(公告)号：JP6856052B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2018095153
申请日：2018-05-17
申请人： 信越半導体株式会社
发明人： 大槻 剛
IPC分类号： G01N23/223 , C30B33/00 , H01L21/66
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公开(公告)号：KR20210027441A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020217003152A
申请日：2018-08-01
IPC分类号： B23K26/352 , B23K26/062 , C30B29/04 , C30B33/00
CPC分类号： B23K26/062 , B23K26/352 , C30B29/04 , C30B33/00
摘要： 어블레이션이 발생하는 임계값 에너지 밀도 (Es) 를 검출하고, 그 임계값 에너지 밀도 (Es) 에 기초하여 설정된 평활화 조사 에너지 밀도 (Ef) 로 평활화 처리를 실시하므로, 다결정 다이아몬드막의 결정 사이즈나 품위, 도핑 원소 등에 따라 어블레이션이 발생하는 임계값 에너지 밀도 (Es) 가 상이해도, 항상 어블레이션이 가능한 평활화 조사 에너지 밀도 (Ef) 로 적절히 평활화 처리를 실시할 수 있다. 또, 평활화 조사 에너지 밀도 (Ef) 는, 임계값 에너지 밀도 (Es) 의 1 배 ∼ 15 배의 범위 내라는 낮은 값으로 설정되기 때문에, 다결정 다이아몬드막의 내부에 대한 레이저광의 투과가 억제되어 요철 표면의 볼록부가 우선적으로 연마 제거되고, 요철 표면의 오목부의 바닥으로부터의 연마량 및 변질층 두께의 합계 치수가 2.0 ㎛ 이하라는 적은 양으로, 표면 조도 (Ra) 가 0.2 ㎛ 이하가 되도록 평활화 처리를 실시할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102223738B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020190079090A
申请日：2019-07-02
申请人： 성균관대학교산학협력단
摘要： 하기 화학식 1 로서 표시되는 전구체 및 황을 반응시켜 하기 화학식 2 로서 표시되는 일차원 단결정 벌크 물질을 합성하는 단계; 및 상기 일차원 단결정 벌크 물질로부터 일차원 나노 사슬 구조체를 분리하는 단계를 포함하는, 일차원 나노 사슬 구조체의 제조 방법에 관한 것이다:
[화학식 1]
MX
2 ;
[화학식 2]
M
6 S
9
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a X
a
;
(상기 화학식 1 또는 2 에서, M 은 Mo, Cr, W 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 전이금속을 포함하고, X 는 I, F, Cl, Br 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 할로겐을 포함하고, a 는 4 내지 8 의 정수인 것임).
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