カーボンナノチューブの製造装置及び方法

    公开(公告)号:JP2021533076A

    公开(公告)日:2021-12-02

    申请号:JP2021529513

    申请日:2019-11-26

    摘要: 本発明は新材料技術分野に属し、ナノカーボン材料に関し、特にカーボンナノチューブの製造装置及び製造方法に関する。この装置は、触媒剤蒸発室、化学気相堆積室及び気固分離室を直列に接続したものであり、アーク炎で発生した高温と衝撃とを利用して、触媒剤蒸発室内の触媒剤を直接超微細触媒剤に蒸発させ、接続された通路を介して化学気相堆積室に入れる。同時に、キャリアガスと炭素源ガスとを、それぞれ触媒剤蒸発室と化学気相堆積室とに導入し、触媒剤と高温熱分解した有機炭素源とを反応させ、カーボンナノチューブを生成し、さらに気固分離装置を介して分離収集する。この方法はアーク高温蒸発による生成された触媒剤が超微細寸法で原子状態でさえも化学気相成長区間に入ることを保持でき、活性が高く、寸法が小さく、高結晶度の単層カーボンナノチューブを製造する有効な方法である。また、装置が簡単であり、連続製造が可能であり、重大な産業化価値がある。

    接続構造体及び接続構造体の製造方法

    公开(公告)号:JP2021158067A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020059836

    申请日:2020-03-30

    发明人: 會澤 英樹

    摘要: 【課題】接続部における組み付け不良を抑制し、導電性が良好な接続構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る接続構造体1は、複数のカーボンナノチューブ素線11が撚り合わされたカーボンナノチューブ撚り線10と、カーボンナノチューブ撚り線10を挟持する接続部材20とを備え、カーボンナノチューブ素線11の密度が0.8g/cm 3 以上であり、カーボンナノチューブ撚り線10の撚り度が30T/m以上であり、カーボンナノチューブ撚り線10の熱膨張係数が−0.05×10 −5 /K以下であり、且つ、接続部材20の熱膨張係数が0/Kより大きい。 【選択図】図1

    カーボンナノチューブの製造方法

    公开(公告)号:JP2021143117A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:JP2020044789

    申请日:2020-03-13

    发明人: 増原 直治

    摘要: 【課題】所望の外径を有するカーボンナノチューブを製造できるカーボンナノチューブの製造方法を提供すること。 【解決手段】 カーボンナノチューブの所望の外径に対応する特定の重量平均分子量を有するシロキサンポリマーが溶解するシロキサンポリマー溶液を、基材に塗布して、シロキサンポリマー溶液の塗膜を形成した後、シロキサンポリマーを硬化させてケイ素含有層を形成し、次いで、ケイ素含有層上に触媒層を形成し、触媒層上にカーボンナノチューブを形成する。 【選択図】図4

    放熱シート及び放熱シートの製造方法

    公开(公告)号:JP2021090014A

    公开(公告)日:2021-06-10

    申请号:JP2019220613

    申请日:2019-12-05

    摘要: 【課題】発熱体や放熱体への接着性と、発熱体と放熱体との間の熱伝導性を確保することを目的とする。 【解決手段】放熱シートは、互いに並列配置される複数の線状炭素材料を有する炭素材料層と、前記線状炭素材料の端部と接する第1面を有し、厚さが1μm未満である接着樹脂層と、前記接着樹脂層の複数の面のうち前記第1面と反対側の第2面に接する離型シートと、を備える。接着樹脂層の厚さを1μm未満とすることで、接着性を確保しつつ、放熱シートの熱伝導性を向上させることができる。 【選択図】図2

    カーボンナノチューブ成長用基板の製造方法

    公开(公告)号:JP2020105065A

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:JP2019211579

    申请日:2019-11-22

    发明人: 増原 直治

    IPC分类号: C01B32/16

    摘要: 【課題】基板を用いた化学気相成長法によるカーボンナノチューブの製造において、単位面積当たりのカーボンナノチューブの生成量(カーボンナノチューブの長さ、およびカーボンナノチューブの嵩密度)を大きくすることができるカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法の提供。 【解決手段】原料としてシロキサンポリマーを含む第1溶液を調製する溶液調製工程と、第1溶液を基材に塗布し、シロキサンポリマーを硬化させることにより、基材の表面に高密度なシリカ膜を形成する成膜工程とを含む製造方法。 【選択図】図1