公开(公告)号：KR1020120135411A

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020127024236

申请日：2011-03-16

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

发明人： 도바시가즈야 ,  후세다카시

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/0273

摘要： 레지스트 이외의 기판 재료를 산화시키는 일 없이, 용제를 이용한 종래의 레지스트 제거 방법에 비해 레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 제거 장치 및 레지스트 제거 방법을 제공하는 것에 있다. 레지스트를 성막한 웨이퍼 W에서 레지스트를 제거하는 레지스트 제거 장치에, 유기계 용제 분자가 복수 집합해서 이루어지는 클러스터를 웨이퍼 W에 분사하는 클러스터 분사 수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120105367A

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：KR1020120025460

申请日：2012-03-13

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 가네코사토시

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67051 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  H01L21/6708

摘要： PURPOSE: A liquid treatment apparatus, a liquid treatment method, and a recording medium are provided to uniformly process a substrate by supplying a plurality of processing liquids using a long nozzle. CONSTITUTION: A rotation plate(30) comprises a plate(31) and a rotary shaft(32). A circular hole is formed on the center of the plate. The rotary shaft is extended from the plate. A substrate holding part(40) holds a substrate(W) which can be rotated. A rotation driving part(50) rotates and drives the substrate held by the substrate holding part. A processing liquid supply part supplies processing liquid to the substrate. A moving drive part(123) transfers the processing liquid supply part. [Reference numerals] (201) Process controller; (202) User interface; (203) Memory part

摘要翻译： 目的：提供液体处理装置，液体处理方法和记录介质，以通过使用长喷嘴供给多种处理液体来均匀地处理基板。 构成：旋转板（30）包括板（31）和旋转轴（32）。 在该板的中心形成圆形的孔。 旋转轴从板延伸。 基板保持部（40）保持能够旋转的基板（W）。 旋转驱动部（50）旋转并驱动由基板保持部保持的基板。 处理液体供应部件将处理液体供应到基板。 移动驱动部（123）传送处理液供给部。 （附图标记）（201）过程控制器; （202）用户界面; （203）内存部分

公开(公告)号：KR1020120092722A

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：KR1020127019468

申请日：2008-05-15

申请人： 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드

发明人： 버터바아우,제퍼리,더블류. ,  데크라커,데이비드 ,  윌리암슨,리차드,이.

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  H01L21/6708

摘要： 일태양에서, 기판을처리하는방법은기판표면상에물질을갖는기판을처리실에위치시키는단계와; 기판에충돌하기위해액체처리조성물의스트림을직향시키는단계와, 기판에충돌하거나액체처리조성물과충돌하기위해증기의스트림을직향하는단계를포함한다. 본발명의또 다른태양은기판에서물질특히, 감광제를제거하는것으로, 처리조성물은황산및/또는그 건조종 및전구물질을포함하는액체황산조성물이다. 또다른태양에서, 황산및/또는그 건조종 및전구물질을포함하는액체황산조성물은기판표면의일부분을처리하기에유효한양으로기판의전체표면보다적은기판의일부에분배되고, 액체황산조성물은수증기에노출되기전의액체황산조성물의온도이상으로액체황산조성물의온도를증가하기에유효한양으로수증기에노출된다. 기판은처리단계중 수증기및/또는질소가스환경으로에워싸진다.

公开(公告)号：KR20120051842A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：KR20100113154

申请日：2010-11-15

申请人： FIS CO LTD

发明人： LEE TAI HUI ,  PARK JAE SIN ,  KIM YU CHAN

IPC分类号： C03C15/00 ,  C25F3/02 ,  G02F1/13 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6708 ,  C03C15/00 ,  G02F2001/133302

摘要： PURPOSE: An etching apparatus equipped with a guide blade is provided to prevent from precipitation of sludge into a spraying tool and attachment of sludge to a guide blade and a glass. CONSTITUTION: An etching apparatus equipped with a guide blade comprises a guide vane(10) and a spraying tool(20). The guide blade comprises a first and second side portions(12) which are mutually distanced and is formed along the longitudinal direction. An interval between the first and the second side portions are gradually narrower by moving towards a gravity direction. The spraying tool is located along the longitudinal directions of the first and the second side portions. The etchant is sprayed towards the first and the second side portions.

摘要翻译： 目的：提供一种配有导向叶片的蚀刻装置，以防止污泥沉淀到喷涂工具中，并将污泥附着到导向叶片和玻璃上。 构成：配备有导向叶片的蚀刻装置包括导叶（10）和喷涂工具（20）。 导向叶片包括相互间隔并沿纵向方向形成的第一和第二侧部（12）。 第一和第二侧部之间的间隔通过向重力方向移动而逐渐变窄。 喷涂工具沿着第一和第二侧部的纵向方向设置。 将蚀刻剂喷向第一和第二侧部分。

公开(公告)号：KR101140770B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020067022521

申请日：2005-04-27

申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

发明人： 가츠오카세이지 ,  세키모토마사히코 ,  와타나베데루유키 ,  가토료 ,  요코야마도시오 ,  스즈키겐이치 ,  고바야시겐이치

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C2/003 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1642 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/76849

摘要： 기판처리유닛은, 하나의 기판처리유닛으로 다른 처리액을 사용한 처리를 행함으로써, 기판처리의 프로세스 전체에서의 공간의 절감 및 기판 반송에 필요한 에너지의 절감을 도모할 수 있다. 이 기판처리유닛은, 기판(W)을 유지하는 상하 이동 자유로운 기판 유지부(72)와, 기판 유지부(72)의 주위를 포위하는 외조(70)와, 기판 유지부(72)의 아래쪽에 위치하여 외조(70)의 내부에 배치되고, 내부에 약액 처리부(84)를 가지는 내조(74)와, 내조(74)의 상단 개구부를 폐쇄 자유롭고, 적어도 2종류 이상의 처리액을 개별로 분무하는 복수의 스프레이 노즐(116, 118)을 가지는 스프레이처리용 컵(76)을 가지고, 외조(70) 및 내조(74)는 개별의 배액라인(78, 92)을 가진다.

公开(公告)号：KR101136772B1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020050027766

申请日：2005-04-01

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 우즈칼 ,  스미스마이클지알 ,  팍스존 ,  가르시아제임스피 ,  드라리오스존엠

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67063 ,  B05C9/02 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

摘要： 기판 표면상에 유체 메니스커스를 생성하는 제 1 분기관 모듈을 포함하는 기판을 프로세싱하는 장치가 개시된다. 또한, 장치는 제 1 분기관 모듈과 연결되고, 또한 제 1 분기관 모듈을 기판 표면 근방으로 이동시켜 유체 메니스커스를 생성하는 제 2 분기관 모듈을 포함한다.
유체 메니스커스, 제 1 분기관 모듈, 제 2 분기관 모듈

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的设备，其包括用于在衬底表面上产生流体弯液面的第一歧管模块。 该装置还包括与第一歧管模块连接并且还将第一歧管模块移动到靠近衬底表面以产生流体弯液面的第二歧管模块。

公开(公告)号：KR20120035607A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：KR20100097236

申请日：2010-10-06

申请人： LG SILTRON INC

发明人： AHN JIN WOO ,  YI JAE HWAN ,  KIM BONG WOO

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3063

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/67051

摘要： PURPOSE: A manufacturing apparatus of a semiconductor device is provided to uniformly etch a wafer by arranging liquid medicine supply nozzles on a central region with a larger number compared to a peripheral region. CONSTITUTION: An upper plate(30) is arranged on a spin chuck(10). The upper plate is classified into a central region and a peripheral region which surrounds the central region. Liquid medicine spray nozzles(49) are opened from the lower surface of the upper plate. The liquid medicine spray nozzles spray liquid medicine or etchant on a wafer. A liquid medicine supply tube(45) supplies the etchant or a washing solution to the liquid medicine spray nozzles.

摘要翻译： 目的：提供一种半导体器件的制造装置，以与周边区域相比，在具有较大数量的中心区域上配置液体药物供给喷嘴来均匀地蚀刻晶片。 构成：在旋转卡盘（10）上布置有上板（30）。 上板分为中心区域和围绕中心区域的周边区域。 药液喷嘴（49）从上板的下表面开口。 液体药物喷嘴喷洒液体药物或蚀刻剂在晶片上。 液体药物供给管（45）将蚀刻剂或洗涤液供给到药液喷雾喷嘴。

公开(公告)号：KR1020120034423A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095975

申请日：2010-10-01

申请人： 주식회사 엠엠테크

发明人： 안길수 ,  장승일

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/30604

摘要： PURPOSE: A processing apparatus of a silicon substrate for etching a surface is provided to improve etching precision by eliminating an etchant and water through supplying a liquid removing air to a surface of a substrate. CONSTITUTION: A substrate(10) comprises a base substrate(11), a silicon film(12), and a silicon oxide film(13). A support stand(20) supports a substrate including the silicon film. A liquid nozzle part(31) supplies liquid for etching the silicon oxide film to a surface of the substrate. A liquid driving part(32) drives the liquid nozzle part. A liquid reservoir(35) supplies the liquid to the liquid nozzle part.

摘要翻译： 目的：提供一种用于蚀刻表面的硅衬底的处理装置，以通过向衬底表面提供液体去除空气来消除蚀刻剂和水来提高蚀刻精度。 构成：衬底（10）包括基底（11），硅膜（12）和氧化硅膜（13）。 支撑架（20）支撑包括硅膜的基板。 液体喷嘴部分（31）将用于将氧化硅膜蚀刻的液体供应到基板的表面。 液体驱动部（32）驱动液体喷嘴部。 液体储存器（35）将液体供应到液体喷嘴部分。

公开(公告)号：KR101127778B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020067013312

申请日：2004-12-30

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 베일리앤드류디3세 ,  로호카레시리칸트피

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32115 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684

摘要： 노출된 도전성 재료를 패시베이팅하는 시스템 및 방법은 기판을 프로세스 챔버에 위치시키는 단계와 프로세스 챔버 내로 수소종을 주입하는 단계를 포함된다. 프로세스 챔버 내에 수소종 플라즈마가 형성된다. 표면층종은 기판의 상부 표면으로부터 환원된다. 환원된 표면층종은 프로세스 챔버로부터 퍼징된다.
프로세스 챔버, 수소종, 표면층종

公开(公告)号：KR101126219B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020067020962

申请日：2005-03-31

申请人： 포르슝스젠트룸 율리히 게엠베하

发明人： 뮬러요아킴 ,  슈외페군나르 ,  지크만힐데가르트 ,  레크베른트 ,  레프만토비아스 ,  아펜젤러볼프강 ,  세흐르브록브리기테

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/6708

摘要： 본 발명은, 강성 또는 가요성 지지체 상에 배치되는 사전 구조화된 아연 산화물층을 포함하는 기판을 처리하기 위한 간단한 방법에 있어서, ZnO가 에칭 매체로 처리되고 이어서 세정액으로 처리되는, 상기 기판 처리 방법에 관한 것이다. 여기서 에칭액 및 세정액을 이용한 처리는 기판이 기판 처리 장치를 통과하여 운반되는 동안에 이루어진다. 상기 방법은 공정 기술적 측면에서 복잡하지 않으며, 최대 1㎡ 크기의 ZnO 층의 균질한 거친 처리 및 텍스처링을 규칙적으로 가능하게 한다. 강성 또는 가요성 지지체 상에 배치되는 사전 구조화된 아연 산화물층을 포함하는 기판을 처리하기 위한 장치는 이를 위해 에칭액으로 기판을 처리하기 위한 제1 수단과, 세정액으로 기판을 처리하기 위한 제2 수단과, 제1 수단으로부터 제2 수단으로 기판을 운반하기 위한 추가 수단, 특히 이송 롤러를 포함한다.
지지체, 아연 산화물층, 기판 처리용 장치, 에칭액, 기판, 제 1 수단, 세척액, 제 2 수단, 추가 수단