이온 소스의 수명 연장 방법

    公开(公告)号:KR101898597B1

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:KR1020137009378

    申请日:2011-09-12

    摘要: 본발명은부분적으로반도체및 마이크로전자제조에사용되는이온주입장치의이온소스구성요소에서증착물의형성및/또는축적을방지하거나감소시키는방법과관련되어있다. 이온소스구성요소는이온화챔버및 이온화챔버내에포함된하나이상의구성요소를포함한다. 본방법은이온화챔버내에도펀트기체를도입하는것을포함하는데, 여기서도펀트기체는이온화중에플루오르이온/라디칼의형성을방지또는감소시키기에충분한조성을갖는다. 이어서도펀트기체는이온화챔버의내부상의및/또는이온화챔버내에포함된하나이상의구성요소상의증착물의형성및/또는축적을방지또는감소시키기에충분한조건하에이온화된다. 증착물은잦은정지시간을발생시키고, 장치이용을감소시키는등 이온주입장치의정상적작동에불리한영향을미친다.

    주사 전자 현미경 및 화상 생성 방법

    公开(公告)号:KR101840232B1

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:KR1020167019382

    申请日:2015-02-10

    IPC分类号: H01J37/16 H01J37/28

    摘要: 대기압하에서관찰가능한하전입자선장치에있어서는, 하전입자선을투과하는격막을이용하여, 시료를배치하는대기압공간과하전입자광학계측의진공공간을격리한다. 이격막은매우얇기때문에파손되는경우가많다. 이때문에, 격막의교환빈도가증가하고, 교환작업에의한편리성의저하나러닝코스트의증가라고하는문제가발생하고있었다. 당해과제를해결하기위해서, 주사전자현미경은, 1차전자선을시료(6) 상에조사하는전자광학경통(2)과, 전자광학경통내부와직결되며, 적어도 1차전자선의조사중에내부가상기전자광학경통내부보다저진공의상태로되는케이싱(7)과, 시료(6)가재치되는대기압분위기의공간과저진공상태의케이싱내부를격리하고또한상기 1차하전입자선을투과하는격막(10)을구비하는것을특징으로한다(도 1 참조).

    이온 소스 구성요소의 세척 방법

    公开(公告)号:KR101770845B1

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:KR1020127011129

    申请日:2010-09-24

    摘要: 본발명은부분적으로반도체및 마이크로전자제조에사용되는이온주입장치의이온소스구성요소를세척하는방법과관련이있다. 이온소스구성요소는이온화챔버및 이온화챔버내에포함되는하나이상의구성요소를포함한다. 이온화챔버의내부및/또는이온화챔버내에포함되는하나이상의구성요소는그 위에도펀트기체, 예를들어카르보란(CBH) 내에포함되는성분의적어도일부의증착물을가진다. 그방법은이온화챔버내로세척용기체를도입하는단계및 이온화챔버의내부로부터및/또는이온화챔버내에포함된하나이상의구성요소로부터적어도일부의증착물을제거하기에충분한조건하에서증착물과세척용기체가반응하는단계를포함한다. 세척용기체는 F, 영족기체및/또는질소로부터선택된하나이상의비활성기체및 임의적인 O의혼합물또는산소/플루오르-함유기체및 영족기체및/또는질소로부터선택된하나이상의비활성기체의혼합물이다. 증착물은이온주입장치의정상적인작동에나쁜영향을미쳐잦은정지시간의발생및 장치이용을감소시킨다.

    이온 소스 및 이를 동작시키기 위한 방법
    8.
    发明公开
    이온 소스 및 이를 동작시키기 위한 방법 有权
    延伸的生命之源

    公开(公告)号:KR1020160003248A

    公开(公告)日:2016-01-08

    申请号:KR1020157034280

    申请日:2014-05-02

    摘要: 이온소스는, 이온소스챔버, 이온소스챔버내에배치되며아크플라즈마를생성하기위해전자들을방출하도록구성된캐소드, 및전자들을다시아크플라즈마내로반사시키기위한반사전극을포함한다. 이온소스챔버및 캐소드는내화금속을포함할수 있다. 이온소스챔버는, 할로겐종을이온소스챔버에제공하도록구성된가스소스를더 포함한다. 반응성삽입부는, 반응성삽입부가이온소스챔버내에배치되지않을때의제 1 세트의동작조건들하에서의이온소스챔버내의내화금속재료의제 2 에칭레이트보다더 작은제 1 세트의동작조건들하에서의이온소스챔버내의내화금속재료의제 1 에칭레이트를산출하기위하여할로겐종과상호동작할수 있다.

    摘要翻译: 离子源包括离子源室,设置在离子源室内并且被配置为发射电子以产生电弧等离子体的阴极,以及构造成将电子排斥回到电弧等离子体中的反射器。 离子源室和阴极可以包括难熔金属。 离子源室还包括被配置为向离子源室提供卤素物质的气体源。 反应性插入物与卤素物质相互作用,以在离子源室内的难熔金属材料的小于第二蚀刻速率的第一组操作条件下产生耐热金属材料在离子源室内的第一蚀刻速率 当反应性插入物未设置在离子源室内时,在第一组操作条件下。

    주입 용품에서 인 축적을 최소화하기 위한 대체 물질 및 혼합물
    9.
    发明公开
    주입 용품에서 인 축적을 최소화하기 위한 대체 물질 및 혼합물 审中-实审
    替代植物材料和混合物以最小化植入物中的磷酸酶

    公开(公告)号:KR1020140125429A

    公开(公告)日:2014-10-28

    申请号:KR1020147025524

    申请日:2013-02-14

    IPC分类号: H01L21/265 H01J37/317

    摘要: 본 발명은 이온 주입기 시스템에서 원치 않는 인 침착물의 축적을 감소시키기 위하여 인 도판트 소스 조성물로서 포스핀 대신 또는 포스핀과 함께 플루오르화인을 사용하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 플루오르화인은 PF
    3 및/또는 PF
    5 를 포함할 수 있다. 플루오르화인과 포스핀을 이온 주입기로 함께 유동시킬 수 있거나, 이러한 인 도판트 소스 물질 각각을 이온 주입기로 별도로 교대하여 또한 연속적으로 유동시켜, 인 도판트 소스 물질로서 포스핀만 사용하는 상응하는 공정 시스템에 비해 주입기에서의 원치 않는 인 고형분 축적을 감소시킬 수 있다.

    하전 입자빔 묘화 장치, 애퍼처 유닛 및 하전 입자빔 묘화 방법
    10.
    发明公开
    하전 입자빔 묘화 장치, 애퍼처 유닛 및 하전 입자빔 묘화 방법 无效
    充电颗粒光束写字装置,光纤单元和充电颗粒光束写入方法

    公开(公告)号:KR1020140111948A

    公开(公告)日:2014-09-22

    申请号:KR1020140022091

    申请日:2014-02-25

    摘要: A charged particle beam drawing apparatus related to the embodiment comprises a beam emitting unit emitting a charged particle beam; an aperture including an opening through which the charged particle beam emitted by the beam emitting unit passes; an aperture beam tube formed on the surface of the aperture, and acting as a thermally conductive member with a thermal conductivity; and a heater formed on the surface of the aperture beam tube, and supplying heat to the aperture through the aperture beam tube.

    摘要翻译: 与实施例相关的带电粒子束描绘装置包括发射带电粒子束的束发射单元; 包括开口的孔,由所述光束发射单元发射的带电粒子束穿过所述开口; 形成在孔的表面上并且用作具有导热性的导热构件的孔径束管; 以及形成在孔径光束管的表面上的加热器,并且通过孔径光束管向孔提供热量。