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公开(公告)号：KR101897553B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：KR1020127031240
申请日：2011-12-02
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
IPC分类号： H01L23/15
CPC分类号： H05K1/0306 , H01L23/15 , H01L23/49827 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K3/0094 , H05K3/245 , H05K3/4061 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
摘要： 세라믹스소결체기판에도전성비아가형성되어이루어지는세라믹스비아기판이며, 융점이 600℃이상 1100℃이하의금속(A), 당해금속(A)보다도융점이높은금속(B), 및, 활성금속을포함하는도전성의금속이쓰루홀에밀충전되어이루어지는도전성비아를가지고, 상기도전성비아와상기세라믹스소결체기판과의계면에활성층이형성되어있는, 세라믹스비아기판으로함으로써, 간이한방법으로제조할수 있는세라믹스비아기판으로한다.
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公开(公告)号：KR1020140008300A
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020137009017
申请日：2011-12-02
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
CPC分类号： H05K3/06 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , H05K2201/0341 , Y10T428/24967 , Y10T428/265
摘要： 보다 간편한 방법에 의해 파인 패턴을 형성할 수 있는 메탈라이즈드 기판의 제조 방법, 당해 방법에 의해 제조되는 메탈라이즈드 기판, 및 당해 방법에 있어서 사용하는 금속 페이스트 조성물을 제공한다. 질화물 세라믹스 소결체 기판(10), 당해 소결체 기판(10) 상에 형성된 질화티타늄층(20), 당해 질화티타늄층(20) 상에 형성된 구리 및 티타늄을 함유하는 밀착층(30), 당해 밀착층(30) 상에 형성된 구리 도금층(40)을 구비해서 이루어지며, 밀착층(30)의 두께가 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하인 메탈라이즈드 기판(100)으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020130002980A
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：KR1020127020101
申请日：2011-02-28
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
发明人： 다카하시나오토
CPC分类号： H05K1/092 , H01B1/026 , H01B1/22 , H05K1/0306 , H05K3/12 , H05K3/388 , H05K2203/1131 , H05K2203/1476
摘要： 메탈라이즈층의 저항값을 낮게 하고, 도전성을 양호한 것으로 함과 함께, 당해 메탈라이즈층의 밀착성을 양호하게 하고, 그리고, 메탈라이즈층 표면의 도금성을 양호하게 할 수 있는 메탈라이즈 기판의 제조 방법을 제공한다. 질화물 세라믹스 소결체 기판, 소결체 기판 상에 형성된 질화티타늄층, 및, 질화티타늄층 상에 형성된 구리, 은, 및 티타늄을 함유하는 금속층을 구비해서 이루어지는 메탈라이즈드 기판의 제조 방법에서, 질화물 세라믹스 소결체 기판 상에, 구리분(粉) 및 수소화티타늄분을 함유하는 제1 페이스트층을 적층해서 제1 적층체를 제조하는 공정, 제1 적층체의 제1 페이스트층 상에, 은과 구리의 합금분을 함유하는 제2 페이스트층을 적층해서 제2 적층체를 제조하는 공정, 및, 제2 적층체를 소성하는 것에 의해, 질화물 세라믹스 소결체 기판 상에 질화티타늄층 및 금속층을 형성하는 공정을 구비하는 것으로 한다.
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公开(公告)号：KR101787390B1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：KR1020137009017
申请日：2011-12-02
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
CPC分类号： H05K3/06 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/108 , H05K3/388 , H05K2201/0317 , H05K2201/0338 , H05K2201/0341 , Y10T428/24967 , Y10T428/265
摘要： 보다간편한방법에의해파인패턴을형성할수 있는메탈라이즈드기판의제조방법, 당해방법에의해제조되는메탈라이즈드기판, 및당해방법에있어서사용하는금속페이스트조성물을제공한다. 질화물세라믹스소결체기판(10), 당해소결체기판(10) 상에형성된질화티타늄층(20), 당해질화티타늄층(20) 상에형성된구리및 티타늄을함유하는밀착층(30), 당해밀착층(30) 상에형성된구리도금층(40)을구비해서이루어지며, 밀착층(30)의두께가 0.1㎛이상 5㎛이하인메탈라이즈드기판(100)으로한다.
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公开(公告)号：KR1020140001735A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020127031240
申请日：2011-12-02
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
IPC分类号： H01L23/15
CPC分类号： H05K1/0306 , H01L23/15 , H01L23/49827 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K3/0094 , H05K3/245 , H05K3/4061 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
摘要： 세라믹스 소결체 기판에 도전성 비아가 형성되어 이루어지는 세라믹스 비아 기판이며, 융점이 600℃ 이상 1100℃ 이하의 금속(A), 당해 금속(A)보다도 융점이 높은 금속(B), 및, 활성 금속을 포함하는 도전성의 금속이 쓰루홀에 밀충전되어 이루어지는 도전성 비아를 가지고, 상기 도전성 비아와 상기 세라믹스 소결체 기판과의 계면에 활성층이 형성되어 있는, 세라믹스 비아 기판으로 함으로써, 간이한 방법으로 제조할 수 있는 세라믹스 비아 기판으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020120006487A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020117021361
申请日：2010-03-29
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
CPC分类号： H05K1/092 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C23C18/06 , C23C18/08 , H01L23/498 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , C04B41/4556 , C04B41/5068 , C04B41/4539 , C04B41/4547 , C04B41/5116 , C04B41/5127 , C04B41/5133 , C04B35/58 , C04B35/581 , H01L2924/00
摘要： 질화물 세라믹스 소결체 기판(10) 위에, 소정의 금속 페이스트 조성물을 도포하고, 이것을 소정의 조건, 내열성 용기 내에서 소성하여, 기판(10)과 금속층(30)이 질화티타늄층(20)을 개재(介在)하여 접합된 메탈라이즈드 기판을 제조하는 방법.
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公开(公告)号：KR101336902B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020117021361
申请日：2010-03-29
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
CPC分类号： H05K1/092 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C23C18/06 , C23C18/08 , H01L23/498 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , C04B41/4556 , C04B41/5068 , C04B41/4539 , C04B41/4547 , C04B41/5116 , C04B41/5127 , C04B41/5133 , C04B35/58 , C04B35/581 , H01L2924/00
摘要： 질화물 세라믹스 소결체 기판(10) 위에, 소정의 금속 페이스트 조성물을 도포하고, 이것을 소정의 조건, 내열성 용기 내에서 소성하여, 기판(10)과 금속층(30)이 질화티타늄층(20)을 개재(介在)하여 접합된 메탈라이즈드 기판을 제조하는 방법.
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公开(公告)号：KR1020130002981A
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：KR1020127020103
申请日：2011-02-21
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
发明人： 다카하시나오토
CPC分类号： H05K3/386 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/1208 , H05K3/246 , H05K2201/0212
摘要： 포스트파이어법에 의한 파인(fine) 패턴 형성 방법을 제공한다. 세라믹 기판 상에, 유기 하지층(下地層)을 형성하는 제1 공정, 당해 유기 하지층 상에 금속 페이스트층을 형성해서, 메탈라이즈드 세라믹 기판 전구체를 제작하는 제2 공정, 및, 당해 메탈라이즈드 세라믹 기판 전구체를 소성하는 제3 공정을 포함하는 메탈라이즈드 세라믹 기판의 제조 방법에서, 유기 하지층이, 금속 페이스트층 중의 용매를 흡수하며, 금속 페이스트층을 소성하는 온도에서 열분해하는 층으로 한다.
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