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公开(公告)号:KR101681695B1
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:KR1020100039502
申请日:2010-04-28
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/068 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/068 , H01L31/075 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체장치의전극에관한반도체장치의제작방법또는접합단계를갖는반도체장치의제작방법에관한것이고, (1) Al 전극을사용함으로써고저항이되는것, (2) Al이 Si과함께합금을형성하는것, (3) 스퍼터법에의하여형성하는막이고저항이되는것, (4) 접합단계에서는, 각각면의표면요철이크면접합불량이일어나는것이과제이다. 금속기판또는금속막이형성된기판을갖고, 금속기판위 또는금속막위의구리(Cu) 도금막을갖고, Cu 도금막위의배리어막과, 배리어막위의단결정실리콘막과, 단결정실리콘막위의전극층을갖는반도체장치를사용한다. Cu 도금막과금속기판또는금속막을접합할때에열 압착법을사용한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的电极或半导体器件的制造方法,其包括接合工序,其问题是:(1)由于使用Al电极而导致的半导体器件的高电阻,(2) 通过Al和Si形成合金,(3)通过溅射法形成的膜的高电阻,以及(4)如果接合表面具有大的不平坦度时引起的接合步骤中的不良接合。 半导体装置包括金属基板或具有金属膜的金属基板,通过使用热压接法在金属基板或金属膜上结合的铜(Cu)电镀膜,在Cu镀膜上的阻挡膜, 阻挡膜上的单晶硅膜,以及单晶硅膜上的电极层。
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公开(公告)号:KR1020120071373A
公开(公告)日:2012-07-02
申请号:KR1020120059023
申请日:2012-06-01
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/7806 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00 , H01L27/1225 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to form the display unit of a large area by using the large size of substrate at low costs. CONSTITUTION: A molybdenum film(102) is formed on a substrate(101). A gate electrode(104) is formed on the molybdenum film. A first insulating layer(105) is formed on the gate electrode. A semiconductor film(106) having an amorphous structure is formed on the first insulating layer. An amorphous semiconductor film(107) is formed on the semiconductor film. A source electrode and a drain electrode are formed on the amorphous semiconductor film.
Abstract translation: 目的:通过以低成本使用大尺寸的基板,提供半导体器件以形成大面积的显示单元。 构成:在基板(101)上形成钼膜(102)。 在钼膜上形成栅电极(104)。 在栅电极上形成第一绝缘层(105)。 在第一绝缘层上形成具有非晶结构的半导体膜(106)。 在半导体膜上形成非晶半导体膜(107)。 在非晶半导体膜上形成源电极和漏电极。
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公开(公告)号:KR101142924B1
公开(公告)日:2012-05-10
申请号:KR1020110045749
申请日:2011-05-16
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F2001/13613 , H01L27/3246 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , Y10S438/976 , Y10S438/977
Abstract: 본 발명의 목적은, 박리층에 손상을 주지 않는 박리방법을 제공하고, 작은 면적을 갖는 박리층의 박리뿐만 아니라, 큰 면적을 갖는 박리층을 전면에 걸쳐 바람직한 수율로 박리하는데 있다. 본 발명에서는, 고정 기판을 접착한 후, 유리 기판에 스크라이브 또는 레이저광 조사를 함으로써 트리거를 제공하여 유리 기판의 일부를 제거한다. 그리고, 그 제거된 부분으로부터 박리시켜 감으로써 바람직한 수율로 박리한다. 또한, 단자전극의 접속부를 제외한 전면(단자전극의 주연부를 포함)을 수지로 덮어, 크랙을 방지한다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种分离方法,该方法不会损坏分离层,以及剥离脱模层具有较小的面积,这是剥离具有大面积,以在整个表面上所希望的产率的剥离层。 在本发明中,在接合固定基板之后,通过用激光对玻璃基板进行划刻或照射以去除玻璃基板的一部分来提供触发器。 然后,从去除部分剥离,以期望的收率进行剥离。 另外,除了端子电极的连接部分之外的前表面(包括端子电极的外围边缘)被树脂覆盖以防止破裂。
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公开(公告)号:KR1020110056471A
公开(公告)日:2011-05-30
申请号:KR1020110045749
申请日:2011-05-16
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F2001/13613 , H01L27/3246 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , Y10S438/976 , Y10S438/977 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L51/5237
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to exfoliate a large size thin film with high yield. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a semiconductor device, a metal layer(101a) is formed on a first substrate(100). An oxide film(101b) is formed on the metal layer. An exfoliate layer(103) including device is formed on the oxide film. A part of the first substrate is removed. The first substrate is separated from the exfoliate layer.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造半导体器件的方法,以高产率剥离大尺寸薄膜。 构成:在半导体装置的制造方法中,在第一基板(100)上形成金属层(101a)。 在金属层上形成氧化膜(101b)。 在氧化膜上形成包括器件的剥离层(103)。 去除第一衬底的一部分。 第一衬底与剥离层分离。
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公开(公告)号:KR101033797B1
公开(公告)日:2011-05-13
申请号:KR1020057013208
申请日:2003-12-24
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: G02F1/136 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 박리 공정을 간략화하고, 또한 대형 기판에 대한 박리·전사를 균일하게 행하는 방법을 제공한다. 본 발명은 박리공정에 있어서의 제 1 접착제의 박리와 제 2 접착제와의 경화를 동시에 행하고, 제작 공정을 간략화하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명은 반도체 소자의 전극까지 형성된 박리 적층을 소정의 기판에 전사하는 타이밍을 연구하는 것을 특징으로 한다. 특히 대형 기판에 복수의 반도체 소자를 형성한 상태에서 박리를 행하는 경우, 압력차를 이용하여 기판을 흡착하여 박리를 하는 것을 특징으로 한다.
필름 기판, 박리 공정, 반도체 소자, 절연막, 반도체막-
公开(公告)号:KR101028352B1
公开(公告)日:2011-04-11
申请号:KR1020100036698
申请日:2010-04-21
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14
Abstract: 본 발명의 목적은 적층체(laminate) 내의 피박리체(object to be peeled)에 손상을 주지 않고 단시간에 피박리체를 전사체(transferring member)에 전사하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 기판 상에 제작한 반도체 소자를 전사체, 대표적으로 플라스틱 기판에 전사하는 반도체 장치 제작 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은, 기판 상에 박리층(peeling layer)과 피박리체를 형성하는 단계와; 양면 테이프를 통해 상기 피박리체와 지지체를 접착하는 단계와; 상기 박리층으로부터 상기 피박리체를 물리적인 방법으로 박리한 후 상기 피박리체를 전사체에 접착하는 단계와; 상기 피박리체로부터 상기 지지체와 상기 양면 테이프를 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种在短时间内将弹性体转印到转印部件上而不损坏层压体中的待剥离物体的方法。 本发明的另一个目的是提供一种半导体器件制造方法,用于将在衬底上制造的半导体器件转移到通常为塑料衬底的转移体上。 该方法包括:在衬底上形成剥离层和附着的配体; 通过双面胶带将支架粘合到支架上; 用物理方法剥离释放层的支撑物,然后将支撑物粘合到支撑物上; 并从支架上剥下支架和双面胶带。
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公开(公告)号:KR1020100119841A
公开(公告)日:2010-11-11
申请号:KR1020100039502
申请日:2010-04-28
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/028 , H01L31/068 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02008 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/068 , H01L31/075 , Y02E10/50 , H01L21/3223 , H01L27/12 , H01L31/0392 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing thereof are provided to extract the efficiency of charge by using the electrode of a photovoltaic device. CONSTITUTION: In a semiconductor device and a manufacturing method thereof, a substrate(31) has a surface functioning as an electrode. The substrate is formed with a metal substrate and a metal film. The metal substrate is a Cu substrate. The substrate having the metal film is a glass plate which a Cu film is formed.
Abstract translation: 目的:提供一种半导体器件及其制造方法,以通过使用光电器件的电极来提取电荷的效率。 构成:在半导体器件及其制造方法中,衬底(31)具有用作电极的表面。 基板由金属基板和金属膜形成。 金属基板是Cu基板。 具有金属膜的基板是形成Cu膜的玻璃板。
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公开(公告)号:KR100993130B1
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:KR1020030031139
申请日:2003-05-16
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14
Abstract: 본 발명의 목적은 적층체(laminate) 내의 피박리체(object to be peeled)에 손상을 주지 않고 단시간에 피박리체를 전사체(transferring member)에 전사하는 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 기판 상에 제작한 반도체 소자를 전사체, 대표적으로 플라스틱 기판에 전사하는 반도체 장치 제작 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은, 기판 상에 박리층(peeling layer)과 피박리체를 형성하는 단계와; 양면 테이프를 통해 상기 피박리체와 지지체를 접착하는 단계와; 상기 박리층으로부터 상기 피박리체를 물리적인 방법으로 박리한 후 상기 피박리체를 전사체에 접착하는 단계와; 상기 피박리체로부터 상기 지지체와 상기 양면 테이프를 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
적층체, 피박리체, 전사체, 반도체 소자, 박리층, 양면 테이프, 지지체-
公开(公告)号:KR100985012B1
公开(公告)日:2010-10-04
申请号:KR1020090067129
申请日:2009-07-23
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76275 , H01L21/308 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/32 , H01L29/78603 , H01L51/0024 , H01L51/56
Abstract: 경량이고, 유연한(벤딩 가능한) 전체적으로 얇은 반도체 소자(박막 트랜지스터, 박막 다이오드, 실리콘 PIN 접합의 광전 변환 소자, 또는 실리콘 저항 소자)를 구비하는 반도체 장치와, 그 반도체 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명에서, 소자는 플라스틱 막 상에 형성되지 않는다. 대신, 기판과 같은 평평한 보드가 폼(form)으로 사용되고, 기판(제 3 기판(17))과 소자를 포함하는 층(박리된 층(13))간의 공간은, 제 2 접착제(16)로서 작용하는 응고제(통상적으로, 접착제)로 충전되고, 응고 접착제(제 2 접착제(16))만으로 소자를 포함하는 층(박리된 층(13))을 유지하기(hold) 위해 접착제를 응고한 후, 폼으로 사용되는 기판(제 3 기판(17))을 박리한다. 이러한 방법으로, 본 발명은 박막화와 경량화를 달성할 수 있다.
반도체 장치, 막, 기판, 박리, 박막Abstract translation: 具有(弯曲可能),薄半导体器件作为一个整体(薄膜晶体管,该薄膜光电转换元件,或二极管,硅PIN结的硅电阻元件)的重量轻,而且柔性半导体装置中,提供了制造半导体器件的方法。 在本发明中,元件不形成在塑料膜上。 相反,使用诸如基板的平板作为形式,并且基板(第三基板17)与包含元件(剥离层13)的层之间的空间用作第二粘合剂16 凝结剂(通常用粘接剂),然后用填充,固化粘合剂固化的粘合剂(第二粘合剂16),以保持层(剥离层13)包括装置只(保持),表单的 (第三基板17)剥离。 这样,本发明可以实现减薄和减轻。
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公开(公告)号:KR1020100058436A
公开(公告)日:2010-06-03
申请号:KR1020100036698
申请日:2010-04-21
Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
IPC: H01L29/786 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14 , H01L27/1266
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device and a manufacturing method of a display device are provided to adhere an object peeled off from a substrate to a transfer body without damaging the object to be peeled within a laminate. CONSTITUTION: An object to be peeled(13) is formed on a release layer(11). The one surface of a double sided tape(14) is adhered on the object to be peeled. A supporter(15) is adhered on the other surface of the double sided tape. The release layer is peeled off from the object to be peeled. The object to be peeled is adhered to a transferring member(17) using an adhesive(16).
Abstract translation: 目的:提供半导体器件的制造方法和显示装置的制造方法,以将从基板剥离的物体粘附到转印体上,而不会在层压体内损坏待剥离的物体。 构成:在剥离层(11)上形成有被剥离物(13)。 双面胶带(14)的一个表面粘附在待剥离的物体上。 支撑件(15)粘附在双面胶带的另一表面上。 剥离层从要剥离的物体剥离。 要使用粘合剂(16)将待剥离的物体粘附到转印部件(17)上。
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