公开(公告)号：KR100913211B1

公开(公告)日：2009-08-24

申请号：KR1020020085827

申请日：2002-12-28

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 이소베아츠오 ,  다이리키고지 ,  시바타히로시 ,  고쿠보치호 ,  아라오다츠야 ,  하야카와마사히코 ,  미야이리히더카즈 ,  시모무라아키히사 ,  다나카고이치로 ,  야마자키순페이 ,  아키바마이

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 기판 상에, 요철을 가진 절연막을 형성하고, 이 절연막 상에 반도체막을 형성함으로써, 레이저광에 의한 결정화 시에 반도체막에 응력이 집중적으로 걸리는 부분을 선택적으로 형성한다. 구체적으로는, 반도체막에 띠형 또는 직사각형의 요철을 마련한다. 그리고, 이 반도체막에 형성된 띠형 요철을 따라 또는 직사각형의 장축이나 단축 방향을 따라 연속 발진 레이저광을 조사한다.
요철, 절연막, 응력, 마커, 반도체장치, 연속 발진 레이저광

公开(公告)号：KR100961931B1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020030014229

申请日：2003-03-07

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아라오다츠야

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/1396

Abstract: 한 쌍의 기판 사이에 액정층이 배치되고, 한 쌍의 기판 중 하나에는, 개구부가 형성되어 있는 차광층과 TFT를 포함하는 화소 영역이 제공되고, 상기 TFT를 구성하는 반도체층이 상기 차광층과 겹쳐 상기 개구부의 일 변을 따라 형성되고, 상기 액정층을 투과하는 광이 상기 개구부의 일 변에 수직인 편광으로서 입사하도록 액정 분자의 배향이 제어되어 있다. 액정층은 특히 TN 모드 액정으로 이루어져 있다.
액정 표시장치, 박막트랜지스터, 액정층, 화소 영역, 개구부, TN 모드 액정, 편광

Abstract translation: 设置在所述一对基板之间，在上述一对基板中的一个液晶层，提供了一种包括一个光屏蔽层和TFT，其形成开口的像素区域，和构成TFT的半导体层，其中所述光屏蔽层 并且控制液晶分子的取向，使得透过液晶层的光作为垂直于开口一侧的偏振光入射。 液晶层特别由TN模式液晶构成。

公开(公告)号：KR1020030074285A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020030014229

申请日：2003-03-07

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 아라오다츠야

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/1396

Abstract: 한쌍의 기판사이에 액정층을 배치하고, 그 한쌍의 기판 중 하나에 TFT와 개구부가 형성되어 있는 차광층을 포함하는 화소 영역을 제공하고, 상기 TFT를 구성하는 반도체층을 상기 차광층에 중첩시킨 상태로 개구부의 일측을 따라 형성시키고, 액정층을 투과하는 광이 개구부의 일측에 대해 수직으로 편광되는 광으로서 입사되게 액정 분자의 배향을 제어하게 되어 있다. 액정층은 특히 TN모드 액정으로 이루어져 있다.

公开(公告)号：KR1020030057484A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020020085827

申请日：2002-12-28

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 이소베아츠오 ,  다이리키고지 ,  시바타히로시 ,  고쿠보치호 ,  아라오다츠야 ,  하야카와마사히코 ,  미야이리히더카즈 ,  시모무라아키히사 ,  다나카고이치로 ,  야마자키순페이 ,  아키바마이

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 기판상에 요철을 마련한 절연막을 형성하고, 이 절연막상에 반도체막을 형성함으로써 레이저광에 의한 결정화시에 상기 반도체막에 응력이 집중적으로 걸리는 부분을 선택적으로 형성한다. 구체적으로는 반도체막에 띠형 또는 직사각형의 요철을 마련한다. 그리고 이 반도체막에 형성된 띠의 요철을 따라 또는 직사각형의 장축이나 단축 방향을 따라 연속 발진의 레이저 광을 조사한다.