公开(公告)号：KR100913211B1

公开(公告)日：2009-08-24

申请号：KR1020020085827

申请日：2002-12-28

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 이소베아츠오 ,  다이리키고지 ,  시바타히로시 ,  고쿠보치호 ,  아라오다츠야 ,  하야카와마사히코 ,  미야이리히더카즈 ,  시모무라아키히사 ,  다나카고이치로 ,  야마자키순페이 ,  아키바마이

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 기판 상에, 요철을 가진 절연막을 형성하고, 이 절연막 상에 반도체막을 형성함으로써, 레이저광에 의한 결정화 시에 반도체막에 응력이 집중적으로 걸리는 부분을 선택적으로 형성한다. 구체적으로는, 반도체막에 띠형 또는 직사각형의 요철을 마련한다. 그리고, 이 반도체막에 형성된 띠형 요철을 따라 또는 직사각형의 장축이나 단축 방향을 따라 연속 발진 레이저광을 조사한다.
요철, 절연막, 응력, 마커, 반도체장치, 연속 발진 레이저광

公开(公告)号：KR1020120028247A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020110091078

申请日：2011-09-08

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 에기유지 ,  다나카데쓰히로 ,  이사도시유키 ,  미야이리히데카주 ,  다이리키고지 ,  구로사와요이치 ,  스즈키구니히코

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to include a concavo-convex shaped region which includes nitrogen on a microcrystal semiconductor region, thereby improving on-current and electric filed effect mobility of a thin film transistor. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating film(105) is arranged between the gate electrode and a semiconductor lamination. The semiconductor lamination comprises a microcrystal semiconductor region(133a) and a pair of amorphous semiconductor regions(133b). The microcrystal semiconductor region is formed adjacent to the pair of amorphous semiconductor regions and an insulating film(137). The amorphous semiconductor region is arranged adjacent to an impurity semiconductor film(131a).

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管，其包括在微晶半导体区域上包括氮的凹凸形区域，从而提高薄膜晶体管的导通电流和电场效应迁移率。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘膜（105）布置在栅电极和半导体层叠之间。 半导体层叠包括微晶半导体区域（133a）和一对非晶半导体区域（133b）。 微晶半导体区域与一对非晶半导体区域和绝缘膜（137）相邻地形成。 非晶半导体区域与杂质半导体膜（131a）相邻配置。

公开(公告)号：KR1020160134533A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020160057983

申请日：2016-05-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 다이리키고지 ,  야마자키슌페이

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/04 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/109

Abstract: 본발명은촬상성능이우수한촬상장치를제공한다. 또는, 저조도하에서의촬상이용이한촬상장치를제공한다. 또는, 저소비전력의촬상장치를제공한다. 또는, 화소간의특성편차가작은촬상장치를제공한다. 또는, 집적도가높은촬상장치를제공한다. 제 1 전극, 제 2 전극, 제 1 층, 제 2 층을가지고, 제 1 층은제 1 전극과제 2 전극사이에제공되고, 제 2 층은제 1 층과제 2 전극사이에제공되고, 제 1 층은셀레늄을가지고, 제 2 층은 In, Ga, Zn, O를가지는광전변환소자이다. 또한, 제 2 층을 In-Ga-Zn 산화물을가지는층으로하여도좋다. 셀레늄을결정셀레늄으로하여도좋다. 제 1 층이광전변환층으로서의기능을가지고, 제 2 층이정공주입저지층으로서의기능을가지는광전변환소자로하여도좋다. 또한, In-Ga-Zn 산화물을 c축배향된결정을가지는산화물로하여도좋다.

Abstract translation: 光电转换元件包括第一电极，第二电极，第一层和第二层。 第一层设置在第一电极和第二电极之间。 第二层设置在第一层和第二电极之间。 第一层含硒。 第二层包含In，Ga，Zn和O.第二层可以含有In-Ga-Zn氧化物。 硒可以是结晶硒。 第一层用作光电转换层。 第二层用作空穴注入阻挡层。 In-Ga-Zn氧化物可以具有c轴对准的晶体。

公开(公告)号：KR101191094B1

公开(公告)日：2012-10-15

申请号：KR1020077006672

申请日：2005-08-10

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 다이리키고지 ,  마루야마준야 ,  다무라토모코 ,  수기야마에이지 ,  도젠요시타카

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648

Abstract: 본 발명의 목적은 무선 칩의 비용을 감소시키며, 더욱이 무선 칩을 대량 생산하여 무선 칩의 비용을 감소시키며, 게다가 소형화 및 경량화된 무선 칩을 제공하는데 있다. 유리 기판 또는 석영 기판으로부터 박리된 박막 집적 회로가 제 1 기체와 제 2 기체 사이에 형성되는 무선 칩은 본 발명에 따라 제공된다. 실리콘 기판으로 형성된 무선 칩과 비교할 때, 본 발명에 따른 무선 칩은 소형화, 박막화, 및 경량화를 달성한다. 본 발명에 따른 무선 칩에 포함된 박막 집적 회로는 적어도 LDD(저농도 도핑된 드레인) 구조를 가진 n-형 박막 트랜지스터, 단일 드레인 구조를 가진 p-형 박막 트랜지스터, 및 안테나로서 기능하는 도전층을 포함한다.
무선 칩, 박막 집적 회로, 논리 회로

公开(公告)号：KR1020070067691A

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：KR1020077006672

申请日：2005-08-10

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 다이리키고지 ,  마루야마준야 ,  다무라토모코 ,  수기야마에이지 ,  도젠요시타카

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13

Abstract: It is an object of the present invention to reduce the cost of a wireless chip, further, to reduce the cost of a wireless chip by enabling the mass production of a wireless chip, and furthermore, to provide a downsized and lightweight wireless chip. A wireless chip in which a thin film integrated circuit peeled from a glass substrate or a quartz substrate is formed between a first base material and a second base material is provided according to the invention. As compared with a wireless chip formed from a silicon substrate, the wireless chip according to the invention realizes downsizing, thinness, and lightweight. The thin film integrated circuit included in the wireless chip according to the invention at least has an n-type thin film transistor having an LDD (Lightly Doped Drain) structure, a p-type thin film transistor having a single drain structure, and a conductive layer functioning as an antenna.

Abstract translation: 本发明的目的在于降低无线芯片的成本，并且通过实现无线芯片的批量生产，进一步降低无线芯片的成本，此外，提供小型化，轻量化的无线芯片。 根据本发明，提供一种其中从玻璃基板或石英基板剥离的薄膜集成电路形成在第一基材和第二基材之间的无线芯片。 与由硅基板形成的无线芯片相比，根据本发明的无线芯片实现了小型化，薄型化和轻量化。 包括在根据本发明的无线芯片中的薄膜集成电路至少具有具有LDD（轻掺杂漏极）结构的n型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p型薄膜晶体管和导电 层作为天线起作用。

公开(公告)号：KR1020030057484A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020020085827

申请日：2002-12-28

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 이소베아츠오 ,  다이리키고지 ,  시바타히로시 ,  고쿠보치호 ,  아라오다츠야 ,  하야카와마사히코 ,  미야이리히더카즈 ,  시모무라아키히사 ,  다나카고이치로 ,  야마자키순페이 ,  아키바마이

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 기판상에 요철을 마련한 절연막을 형성하고, 이 절연막상에 반도체막을 형성함으로써 레이저광에 의한 결정화시에 상기 반도체막에 응력이 집중적으로 걸리는 부분을 선택적으로 형성한다. 구체적으로는 반도체막에 띠형 또는 직사각형의 요철을 마련한다. 그리고 이 반도체막에 형성된 띠의 요철을 따라 또는 직사각형의 장축이나 단축 방향을 따라 연속 발진의 레이저 광을 조사한다.