公开(公告)号：KR1020160065005A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020150166111

申请日：2015-11-26

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  오카자키케니치 ,  가네무라히로시 ,  구로사키다이스케 ,  시마유키노리 ,  코에즈카쥬니치 ,  미야케히로유키

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: (과제) 산화물반도체막을갖는반도체장치에있어서, 전기특성이우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. (해결수단) 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는, 제 1 전극과, 제 1 전극위의제 1 절연막과, 제 1 절연막위의산화물반도체막과, 산화물반도체막위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 2 전극을가지며, 산화물반도체막은, 제 1 산화물반도체막과, 제 2 산화물반도체막을가지며, 제 1 산화물반도체막의전도대하단의에너지와, 제 2 산화물반도체막의전도대하단의에너지의차가 0.2eV 이상이며, 트랜지스터는, 드레인전압 1V당에있어서의단위채널폭당드레인전류의변화율이 2% 이하가되는전기특성을나타내는영역을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种具有氧化物半导体膜的半导体器件。 特别地，本发明提供一种具有优异电特性的晶体管的半导体器件。 晶体管具有：第一电极; 在所述第一电极上方的第一绝缘膜; 所述氧化物半导体膜在所述第一绝缘膜上方; 氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜; 和在第二绝缘膜上方的第二电极。 氧化物半导体膜具有：第一氧化物半导体膜; 和第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜的导带的下端的能量与第二氧化物半导体膜的导带的下端的能量之间的差异等于或高于0.2eV，而晶体管具有区域 其示出了每1V漏极电压的每单位沟道宽度的漏极电流变化率为2％以下的电特性。