公开(公告)号：KR102084274B1

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：KR1020147019334

申请日：2012-12-05

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  아키모토겐고 ,  노나카유스케 ,  가네무라히로시

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR102091996B1

公开(公告)日：2020-03-23

申请号：KR1020190046051

申请日：2019-04-19

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 혼다다츠야 ,  가네무라히로시 ,  아키모토켄고 ,  히라이시스즈노스케

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101972758B1

公开(公告)日：2019-04-29

申请号：KR1020120029208

申请日：2012-03-22

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 혼다다츠야 ,  가네무라히로시 ,  아키모토켄고 ,  히라이시스즈노스케

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020160065005A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020150166111

申请日：2015-11-26

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  오카자키케니치 ,  가네무라히로시 ,  구로사키다이스케 ,  시마유키노리 ,  코에즈카쥬니치 ,  미야케히로유키

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: (과제) 산화물반도체막을갖는반도체장치에있어서, 전기특성이우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. (해결수단) 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는, 제 1 전극과, 제 1 전극위의제 1 절연막과, 제 1 절연막위의산화물반도체막과, 산화물반도체막위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 2 전극을가지며, 산화물반도체막은, 제 1 산화물반도체막과, 제 2 산화물반도체막을가지며, 제 1 산화물반도체막의전도대하단의에너지와, 제 2 산화물반도체막의전도대하단의에너지의차가 0.2eV 이상이며, 트랜지스터는, 드레인전압 1V당에있어서의단위채널폭당드레인전류의변화율이 2% 이하가되는전기특성을나타내는영역을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种具有氧化物半导体膜的半导体器件。 特别地，本发明提供一种具有优异电特性的晶体管的半导体器件。 晶体管具有：第一电极; 在所述第一电极上方的第一绝缘膜; 所述氧化物半导体膜在所述第一绝缘膜上方; 氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜; 和在第二绝缘膜上方的第二电极。 氧化物半导体膜具有：第一氧化物半导体膜; 和第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜的导带的下端的能量与第二氧化物半导体膜的导带的下端的能量之间的差异等于或高于0.2eV，而晶体管具有区域 其示出了每1V漏极电压的每单位沟道宽度的漏极电流变化率为2％以下的电特性。

公开(公告)号：KR1020130055521A

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：KR1020120127915

申请日：2012-11-13

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키순페이 ,  혼다타츠야 ,  히라이시스즈노스케 ,  가네무라히로시 ,  오오타마사시

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78603

Abstract: PURPOSE: A semiconductor element, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device including the same are provided to stabilize the electrical properties of a transistor by forming an oxide semiconductor layer with crystallinity in a wide directional range of a film thickness. CONSTITUTION: An underlayer(102) with crystallinity is formed on a substrate(100). An oxide semiconductor layer(106) with the crystallinity is formed on the underlayer. A gate insulation layer(108) is formed on the oxide semiconductor layer. A gate electrode(110) is formed on the gate insulation layer. A source electrode(114a) and a drain electrode(114b) are electrically connected to the oxide semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体元件及其制造方法以及包括该半导体元件的半导体器件，以通过在膜厚度的宽方向范围内形成结晶度的氧化物半导体层来稳定晶体管的电性能。 构成：在基板（100）上形成具有结晶性的底层（102）。 在底层上形成具有结晶性的氧化物半导体层（106）。 在氧化物半导体层上形成栅极绝缘层（108）。 栅电极（110）形成在栅极绝缘层上。 源电极（114a）和漏电极（114b）电连接到氧化物半导体层。

公开(公告)号：KR1020150028760A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020147019334

申请日：2012-12-05

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  아키모토겐고 ,  노나카유스케 ,  가네무라히로시

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 트랜지스터에 안정된 전기적 특성을 공급하여, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제작한다. 다결정 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 산화물 반도체막이 성막된다. 이 경우, 성막 이전 또는 성막 시의 성막 챔버 내의 물 분압을 10
-3 Pa 이하, 바람직하게는 10
-4 Pa 이하, 보다 바람직하게는 10
-5 Pa 이하로 설정한다. 이렇게 하여, 치밀한 산화물 반도체막이 얻어진다. 산화물 반도체막의 밀도는 6.0 g/cm
3 초과 6.375 g/cm
3 미만이다.

公开(公告)号：KR1020120109350A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120029208

申请日：2012-03-22

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 혼다다츠야 ,  가네무라히로시 ,  아키모토켄고 ,  히라이시스즈노스케

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor film and a semiconductor device are provided to improve the reliability of the semiconductor device by using the oxide semiconductor film comprising indium zinc oxide for a transistor. CONSTITUTION: An oxide semiconductor film is composed of indium zinc oxide. The oxide semiconductor film includes a hexagonal crystal structure. A first insulating film is provided between a gate electrode and the oxide semiconductor film. A source electrode and a drain electrode are contacted to the oxide semiconductor film. A second insulating film is formed on the oxide semiconductor film.

Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体膜和半导体器件，以通过使用包含用于晶体管的氧化铟锌的氧化物半导体膜来提高半导体器件的可靠性。 构成：氧化物半导体膜由氧化铟锌构成。 氧化物半导体膜包括六方晶系结构。 在栅电极和氧化物半导体膜之间设置第一绝缘膜。 源电极和漏电极与氧化物半导体膜接触。 在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜。