公开(公告)号：KR1020160065005A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020150166111

申请日：2015-11-26

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 야마자키슌페이 ,  오카자키케니치 ,  가네무라히로시 ,  구로사키다이스케 ,  시마유키노리 ,  코에즈카쥬니치 ,  미야케히로유키

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: (과제) 산화물반도체막을갖는반도체장치에있어서, 전기특성이우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. (해결수단) 트랜지스터를갖는반도체장치로서, 트랜지스터는, 제 1 전극과, 제 1 전극위의제 1 절연막과, 제 1 절연막위의산화물반도체막과, 산화물반도체막위의제 2 절연막과, 제 2 절연막위의제 2 전극을가지며, 산화물반도체막은, 제 1 산화물반도체막과, 제 2 산화물반도체막을가지며, 제 1 산화물반도체막의전도대하단의에너지와, 제 2 산화물반도체막의전도대하단의에너지의차가 0.2eV 이상이며, 트랜지스터는, 드레인전압 1V당에있어서의단위채널폭당드레인전류의변화율이 2% 이하가되는전기특성을나타내는영역을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种具有氧化物半导体膜的半导体器件。 特别地，本发明提供一种具有优异电特性的晶体管的半导体器件。 晶体管具有：第一电极; 在所述第一电极上方的第一绝缘膜; 所述氧化物半导体膜在所述第一绝缘膜上方; 氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜; 和在第二绝缘膜上方的第二电极。 氧化物半导体膜具有：第一氧化物半导体膜; 和第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜的导带的下端的能量与第二氧化物半导体膜的导带的下端的能量之间的差异等于或高于0.2eV，而晶体管具有区域 其示出了每1V漏极电压的每单位沟道宽度的漏极电流变化率为2％以下的电特性。

公开(公告)号：KR1020170029600A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：KR1020177003901

申请日：2015-07-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 코에즈카주니치 ,  오카자키케니치 ,  쿠로사키다이스케 ,  시마유키노리 ,  호사카야스하루

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78648

Abstract: 트랜지스터는게이트전극, 게이트전극위의게이트절연막, 게이트절연막위의산화물반도체막, 및산화물반도체막에전기적으로접속된소스전극및 드레인전극을포함한다. 산화물반도체막은게이트전극측에제 1 산화물반도체막을포함하고, 제 1 산화물반도체막위에제 2 산화물반도체막을포함한다. 제 1 산화물반도체막은 In의원자비율이 M(M은 Ti, Ga, Sn, Y, Zr, La, Ce, Nd, 또는 Hf)보다큰 제 1 영역을포함한다. 제 2 산화물반도체막은 In의원자비율이제 1 산화물반도체막보다작은제 2 영역을포함한다. 제 2 영역은제 1 영역보다얇은부분을포함한다.

Abstract translation: 晶体管包括栅电极，栅电极上的栅极绝缘膜，栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极。 氧化物半导体膜包括栅电极侧的第一氧化物半导体膜和第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。 第一氧化物半导体膜包括其中In的原子比例大于M（M为Ti，Ga，Sn，Y，Zr，La，Ce，Nd或Hf）的原子比例的第一区域。 第二氧化物半导体膜包括其中In的原子比例小于第一氧化物半导体膜的原子比例的第二区域。 第二区域包括比第一区域薄的部分。

公开(公告)号：KR1020150125555A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：KR1020150036640

申请日：2015-03-17

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 시모무라아키히사 ,  사토유헤이 ,  야마네야수마사 ,  야마자키순페이 ,  오카자키케니치 ,  가와나베치호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24

Abstract: [과제] 반도체장치에양호한전기특성을부여한다. [해결수단] 프로브직경의반값폭이 1nm인전자선을사용하여, 산화물반도체막의피형성면에대해막의위치와전자선의위치를상대적으로이동시키면서전자선을조사함으로써, 복수의전자회절패턴을관측하고, 복수의전자회절패턴은, 서로상이한개소에서관측된 50개이상의전자회절패턴을가지며, 50개이상의전자회절패턴중, 제 1 전자회절패턴을갖는비율과, 제 2 전자회절패턴을갖는비율의합이, 100%이고, 제 1 전자회절패턴을갖는비율은 50% 이상이고, 제 1 전자회절패턴은대칭성을갖지않는관측점, 또는원을그리듯이배치된복수의관측점을가지며, 제 2 전자회절패턴은육각형의정점에위치하는관측점을갖는산화물반도체막이다.

Abstract translation: 对半导体器件施加适当的电性能。 通过使用具有1nm的探针直径的半带宽度的电子束，通过发射电子射线，同时电子射线的位置和膜的位置相对于氧化物半导体膜的形成表面相对移动， 观察到多个电子衍射图。 电子衍射图包括不同单位观察到的大于等于50个电子衍射图。 如果将第一电子衍射图案与第二电子衍射图案的比例相加在一起等于50个电子衍射图案，则结果为100％。 第一电子衍射图的比率大于等于50％。 第一电子衍射图案包括布置成圆形形状的不对称观察点或多个观察点。 第二电子衍射图案是具有六边形顶点的观察点的氧化物半导体膜。