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公开(公告)号：KR1020110119549A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020110038165
申请日：2011-04-25
发明人： 토리우미사토시
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/04 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a microcrystalline semiconductor layer and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to improve the quality of the microcrystalline semiconductor layer by generating a plurality of crystalline nucleuses. CONSTITUTION: Deposition gas includes silicon or germanium. A first semiconductor layer(102) is formed on a substrate(100) by continuously discharging under an atmosphere with deposition gas. A second semiconductor layer(104) is formed on the first semiconductor layer by pulse discharge. A third semiconductor layer(106) is formed on the second semiconductor layer by continuously discharging. A fourth semiconductor layer(108) is formed on the third semiconductor layer by pulse discharge..
摘要翻译： 目的：提供一种微晶半导体层的制造方法和半导体装置的制造方法，通过产生多个晶核来提高微晶半导体层的质量。 构成：沉积气体包括硅或锗。 通过在沉积气体的气氛下连续放电，在基板（100）上形成第一半导体层（102）。 通过脉冲放电在第一半导体层上形成第二半导体层（104）。 通过连续放电在第二半导体层上形成第三半导体层（106）。 通过脉冲放电在第三半导体层上形成第四半导体层（108）。
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公开(公告)号：KR101512785B1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020090036494
申请日：2009-04-27
IPC分类号： H01L31/04
摘要： 본 발명은 유한한 자원을 유효 활용하면서, 뛰어난 광전 변환 특성을 갖는 광전 변환 장치를 안전적으로 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 단결정 반도체 기판 중에 취화층을 형성하고, 또 단결정 반도체 기판의 하나의 표면 위에 제 1 불순물 반도체층, 제 1 전극, 및 절연층을 형성하고, 절연층과 지지 기판을 밀착시켜 단결정 반도체 기판과 지지 기판을 접합한 후, 취화층에서 단결정 반도체 기판을 분리시켜 제 1 단결정 반도체층을 갖는 적층체를 형성하고, 제 1 단결정 반도체층 위에 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성하고, 고상 성장에 의하여 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층의 결정성을 향상시켜 제 2 단결정 반도체층을 형성하고, 제 2 단결정 반도체층 위에 제 1 불순물 반도체층과는 반대의 도전형의 제 2 불순물 반도체층을 형성하고, 제 2 불순물 반도체층 위에 제 2 전극을 형성한다.
태양 전지, 고상 성장, 헤테로 구조, 수소 이온, 밴드 갭摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种光电转换特性安全且有效利用有限资源的光电器件。 单晶，以在所述半导体衬底中形成脆化层，和一半导体基底，第一电极的表面上的单晶第一杂质半导体层，并且形成绝缘层，并与所述绝缘层紧密接触，并且所述支撑衬底上的单晶半导体衬底和支撑衬底 通过固相生长方法在第一单晶半导体层上形成第一半导体层和第二半导体层的步骤， 第一半导体层和第二提高半导体层的结晶性，以形成第二单晶半导体层，所述单晶半导体层上的第二第一杂质，在半导体层和形成相对的导电型的第二杂质半导体层 并且在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：KR101442522B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020140062292
申请日：2014-05-23
发明人： 토리우미사토시
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3274 , H01L27/3281 , H01L29/78603 , H01L51/003 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
摘要： 본 발명은, 비교적 낮은 온도(600℃ 미만)의 프로세스에 있어서, 제조되는 소자를 유리 기판으로부터 분리(즉, 박리)하고, 가요성 기판(대표적으로는, 플라스틱 필름)에 배치(즉, 전치)하는 기술을 개시한다. 유리 기판 위에 플라즈마 CVD법을 사용하여 할로겐 원소를 포함하는 박리층을 형성하고, 그 박리층 위에 반도체 소자를 형성한 후, 박리층의 층 내, 또는 계면에서 박리를 행하여, 대면적의 유리 기판과 반도체 소자를 분리한다. 또한, 유리 기판과 박리층의 계면에서 분리시키기 위하여, 박리층에 있어서 불소의 농도 구배(勾配)를 가지게 하여도 좋고, 박리층에 있어서의 유리 기판과의 계면에 할로겐 원소를 다른 개소보다 많이 포함시킨다.
摘要翻译： 本发明涉及一种在较低温度（小于600μm）的工艺中从玻璃基板分离（即剥离）待制造器件的方法，并将该器件布置在柔性基板上（典型地， 它公开了一种用于技术。 通过等离子体CVD法在玻璃基板上形成含有卤素元素的剥离层，在该剥离层上形成半导体元件，在该剥离层的层或界面进行剥离， 由此分离半导体器件。 此外，为了从剥离层分离玻璃基板，可以在剥离层中设置氟浓度梯度，或者可以在剥离层中的玻璃基板的界面处以更大量包含卤素元素 从而。
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公开(公告)号：KR1020080106048A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020080050003
申请日：2008-05-29
发明人： 토리우미사토시
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3274 , H01L27/3281 , H01L29/78603 , H01L51/003 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L27/1218
摘要： A semiconductor device and a manufacturing method are provided to reduce the facility cost by transposing the device such as TFT to the flexible substrate. A manufacturing method of the semiconductor device comprises the following steps: the step for forming the semiconductor layer(109) including a halogen device on the substrate(101) having an insulating surface; the step for forming the buffer layer on the semiconductor layer; the step for forming the semiconductor device or the emitting device on the buffer layer; the step for peeling off the buffer layer, the semiconductor device or the emitting device from the substrate.
摘要翻译： 提供半导体器件和制造方法，通过将诸如TFT的器件转置到柔性衬底来降低设备成本。 半导体器件的制造方法包括以下步骤：在具有绝缘表面的基板（101）上形成包括卤素器件的半导体层（109）的步骤; 在半导体层上形成缓冲层的步骤; 用于在缓冲层上形成半导体器件或发光器件的步骤; 用于从衬底剥离缓冲层，半导体器件或发射器件的步骤。
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公开(公告)号：KR102229728B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020140048512
申请日：2014-04-23
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/318
摘要： 본발명은산화물반도체를사용한반도체장치에서전기특성을향상시킨다. 또한, 전기특성의변동이적고신뢰성이높은반도체장치를제작한다. 하지절연막으로서기능하는산화질화절연막과, 상기산화질화절연막에접촉하여제공되는트랜지스터이고, 상기트랜지스터는하지절연막으로서기능하는산화질화절연막과접촉하는산화물반도체막을갖는다. 또한가열처리에의하여산화질화절연막으로부터방출되는, 질량전하비가 32인가스의방출량의 2배에질량전하비가 30인가스의방출량을더한합이 5×1015/cm2 이상 5×1016/cm2 이하, 또는 5×1015/cm2 이상 3×1016/cm2 이하다.
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公开(公告)号：KR1020160098497A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167019508
申请日：2014-12-12
发明人： 야마자키슌페이 , 시모무라아키히사 , 야마네야스마사 , 사토유헤이 , 타나카테츠히로 , 츠부쿠마사시 , 타케우치토시히코 , 토쿠마루료 , 이치조미츠히로 , 토리우미사토시 , 오츠키타카시 , 엔도토시야
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 전기특성의변화가억제되고산화물반도체를포함하는트랜지스터를사용한반도체장치의신뢰도가개선된다. 반도체장치는절연표면상에산화물반도체막, 절연표면및 산화물반도체막상에산화방지막, 산화방지막과접하고있는한 쌍의전극, 한쌍의전극상에게이트절연막, 및게이트절연막상 그리고산화물반도체막과중첩하고있는게이트전극을포함한다. 산화방지막에있어서, 한쌍의전극과중첩하는영역의폭은한 쌍의전극과중첩하고있지않은영역의폭보다길다.
摘要翻译： 抑制了电特性的变化，并且提高了使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体器件的可靠性。 半导体器件包括绝缘表面上的氧化物半导体膜，绝缘表面上的抗氧化膜和氧化物半导体膜，与抗氧化膜接触的一对电极，一对电极上的栅极绝缘膜，以及栅极 电极，其在栅极绝缘膜上方并与氧化物半导体膜重叠。 在抗氧化剂膜中，与该对电极重叠的区域的宽度比不与该对电极重叠的区域的宽度长。
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公开(公告)号：KR101518792B1
公开(公告)日：2015-05-12
申请号：KR1020080080030
申请日：2008-08-14
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205 , G02F1/136
摘要： 본 발명은, 대면적의 기판 위에 양호한 품질을 가지는 미결정 반도체 막의 제작 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성한 후, 성막 초기에 형성되는 미결정 반도체 막의 품질을 향상시키기 위해서, 주파수가 다른 고주파 전력을 공급하여 글로우 방전 플라즈마를 생성하고, 성막 속도는 느리지만 품질이 좋은 제 1 성막 조건으로 게이트 절연막 계면 부근의 막의 하부를 형성하고, 그 후, 높은 성막 속도의 제 2 성막 조건으로 바꾸어 막의 상부를 퇴적한다. 또한, 미결정 반도체 막 위에 접하여 버퍼층을 적층한다.
미결정 반도체, 중첩, 고주파 전력, 플라즈마 CVD, 성막 조건-
公开(公告)号：KR101543429B1
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020080119870
申请日：2008-11-28
发明人： 토리우미사토시
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/67207 , C30B25/105
摘要： 천이층이형성되지않거나또는종래보다도천이층을얇게할 수있는, 결정성반도체막의형성방법과이 형성방법을적용한박막트랜지스터의제조방법을제공한다. 기판위 또는기판위에형성된절연막위에수소를포함하는반도체막을형성하고, 이수소를포함하는반도체막위에표면파플라즈마에의한플라즈마처리를행하여반도체의결정핵을발생시킨후, 이결정핵을성장시킴으로써, 결정성반도체막을형성한다. 표면파플라즈마처리는수소및 희가스중 하나또는둘 다를포함하는가스중에서행하는것이바람직하다.
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公开(公告)号：KR1020140068841A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020140062292
申请日：2014-05-23
发明人： 토리우미사토시
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3274 , H01L27/3281 , H01L29/78603 , H01L51/003 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L29/78606
摘要： The present invention discloses a technique in which an element manufactured through a relatively-low-temperature (lower than 600°C) process is detached (i.e., separated) from a glass substrate and disposed (i.e., transferred) to a flexible substrate (typically a plastic film). A separation layer containing a halogen element is formed over the glass substrate by a plasma CVD method; a semiconductor element is formed over the separation layer; and separation is then performed inside the separation layer or at its interface, so that the large-area glass substrate and the semiconductor element are detached from each other. In order to perform detachment at the interface between the glass substrate and the separation layer, the separation layer may have concentration gradient of fluorine, and the halogen element is contained more near the interface between the separation layer and the glass substrate than in the other areas.
摘要翻译： 本发明公开了一种技术，其中将通过相对低温（低于600℃）工艺制造的元件与玻璃基板分离（即分离）并且被设置（即转印）到柔性基板（通常 塑料薄膜）。 通过等离子体CVD法在玻璃基板上形成含有卤素元素的分离层; 在分离层上形成半导体元件; 然后在分离层内或其界面处进行分离，使得大面积玻璃基板和半导体元件彼此分离。 为了在玻璃基板和分离层之间的界面进行分离，分离层可以具有氟的浓度梯度，并且在分离层和玻璃基板之间的界面附近的卤素元素比在其它区域 。
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公开(公告)号：KR1020090113227A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020090036494
申请日：2009-04-27
IPC分类号： H01L31/04
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a photoelectric conversion device is provided to improve yield of a single crystal semiconductor layer having sufficient thickness through an epitaxial growth method. CONSTITUTION: A manufacturing method of a photoelectric conversion device comprises the following steps: a step for forming a first dopant semiconductor layer(108) on a single crystal semiconductor substrate; a step for irradiating an ion on the single crystal semiconductor substrate in order to form a bromination layer on the single crystal semiconductor substrate; a step for forming a first electrode on the first dopant semiconductor layer; a step for forming an insulation layer on the first electrode; a step for separating the single crystal semiconductor layer according to the bromination layer; a step for forming a first semiconductor layer on the first single crystal semiconductor layer(110); a step for forming a second semiconductor layer on the first semiconductor layer; a step for forming a second single crystal semiconductor layer(112); a step for forming a second dopant semiconductor layer on the second single crystal semiconductor layer; and a step for a second electrode(118) on the second dopant semiconductor layer.
摘要翻译： 目的：提供一种光电转换装置的制造方法，以通过外延生长法提高具有足够厚度的单晶半导体层的产率。 构成：光电转换装置的制造方法包括以下步骤：在单晶半导体基板上形成第一掺杂剂半导体层（108）的工序; 在单晶半导体衬底上照射离子以在单晶半导体衬底上形成溴化层的步骤; 在第一掺杂剂半导体层上形成第一电极的步骤; 在第一电极上形成绝缘层的步骤; 根据溴化层分离单晶半导体层的步骤; 在第一单晶半导体层（110）上形成第一半导体层的步骤; 在第一半导体层上形成第二半导体层的步骤; 形成第二单晶半导体层（112）的步骤; 在所述第二单晶半导体层上形成第二掺杂剂半导体层的工序; 以及在第二掺杂剂半导体层上的第二电极（118）的步骤。
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