公开(公告)号：KR101906751B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020177014207

申请日：2010-02-19

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 오하라히로끼 ,  사사끼도시나리

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  C01G15/00 ,  C01G45/00 ,  C01G49/00 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C01G15/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명의목적은특성이좋은반도체소자를포함하는반도체장치를제공하는것이다. 본발명의제작방법은기판위에게이트전극으로서기능하는제1 도전층을형성하는공정과; 상기제1 도전층을덮도록제1 절연층을형성하는공정과; 상기제1 도전층과일부가중첩되도록상기제1 절연층위에반도체층을형성하는공정과; 상기반도체층에전기적으로접속되도록제2 도전층을형성하는공정과, 상기반도체층및 상기제2 도전층을덮도록제2 절연층을형성하는공정과; 상기제2 도전층에전기적으로접속되도록제3 도전층을형성하는공정과; 상기반도체층을형성하는공정이후그리고상기제2 절연층을형성하는공정이전에제1 열처리를행하는공정과; 상기제2 절연층을형성하는공정이후에제2 열처리를행하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR101894570B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020110073619

申请日：2011-07-25

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 엔도유따 ,  노다고세이 ,  사사끼도시나리

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02367 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명은, 산화물반도체를사용한트랜지스터에있어서전기적특성의변동이작고, 신뢰성이높고, 또온 전류가큰 반도체장치를제작하는것을과제로한다. 산화물반도체층의채널영역에접하는절연층으로서산소방출량이많은절연층을사용하고, 산화물반도체층의소스영역및 드레인영역에접하는절연층으로서산소방출량이적은절연층을사용한다. 산소방출량이많은절연층으로부터산소가방출됨으로써, 채널영역중의산소결손및 상기절연층과채널영역의계면준위밀도를저감할수 있어전기적특성의변동이작고신뢰성이높은반도체장치를제작할수 있다. 소스영역및 드레인영역에대해서는, 산소방출량이적은절연층에접하여형성함으로써, 소스영역및 드레인영역의고저항화를억제한다.

公开(公告)号：KR101884798B1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：KR1020187010526

申请日：2011-03-11

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명은, 산화물반도체를이용한반도체장치에안정된전기적특성을부여하여, 고신뢰성화하는것을목적의하나로한다. 산화물반도체막을포함하는트랜지스터에있어서, 산화물반도체막의상면부에, 채널보호막으로서기능하는, 산화물반도체막과동종의성분으로이루어지는금속산화물막이적층되어있는트랜지스터를제공한다. 또한, 트랜지스터의활성층에이용하는산화물반도체막은열처리에의해, 수소, 수분, 수산기또는수소화물등의불순물을산화물반도체로부터배제하고, 또한불순물의배제공정에의해동시에감소하게되는산화물반도체를구성하는주성분재료인산소를공급함으로써, 고순도화및 전기적으로 i형(진성)화된것이다.

公开(公告)号：KR20180064565A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：KR20187015558

申请日：2012-05-28

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66

CPC分类号： C23C14/08 ,  B28B11/243 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 본발명은산화물반도체를사용하여형성된트랜지스터는비정질실리콘을사용하여형성된트랜지스터에비해신뢰성이떨어지는경우가있었다. 따라서, 본발명에서는, 산화물반도체를사용하여형성된신뢰성이높은트랜지스터를포함하는반도체소자를제조한다. 결정의 c축방향이산화물반도체의상부표면의법선벡터에평행한결정화도를갖는산화물반도체를포함하는스퍼터링타겟을이용하는스퍼터링방법에의해산화물반도체막을증착시킨다. 조성비가결정구조를얻을수 있도록원료를혼합하여타겟을형성시킨다.

公开(公告)号：KR101865546B1

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：KR1020177033303

申请日：2010-09-17

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이 ,  아라사와료 ,  고야마준 ,  쓰부쿠마사시 ,  노다고세이

IPC分类号： G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC分类号： G09G3/3614 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 표시부에복수의화소들을포함하고복수의프레임기간들에서표시를수행하도록구성된액정표시장치에서, 상기프레임기간들의각각은기록기간및 유지기간을포함하며, 화상신호가상기기록기간에서상기복수의화소들의각각에입력된후, 상기복수의화소들의각각에포함된트랜지스터는턴 오프되고상기화상신호는상기유지기간에서적어도 30초동안유지된다. 상기화소는산화물반도체층을포함한반도체층을포함하며, 상기산화물반도체층은 1×10/㎤미만의캐리어농도를가진다.

公开(公告)号：KR20180058459A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：KR20160157451

申请日：2016-11-24

申请人： 한국알박(주)

发明人： 이기태 ,  박성규

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/02266 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/203 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67766

摘要： 본발명은, 챔버의내부에서회전및 각도조절이가능한복수의지지부중 더미부재가수납되어보관각도로준비중인일 지지부를예비처리위치로회전시키는과정, 상기일 지지부를처리각도로상승시켜타겟에상기더미부재를대향배치시키는과정, 상기더미부재를이용하여예비처리를수행하는과정, 상기일 지지부를보관각도로하강시켜상기더미부재를보관하는과정을포함하고, 타겟의예비처리를위하여소모되는시간을줄일수 있는막 증착방법이제시된다.

公开(公告)号：KR101854421B1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：KR1020177017869

申请日：2011-03-30

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 야마자키순페이

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/67 ,  H01L27/12 ,  H01L49/02 ,  G11C16/04 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

摘要： 산화물반도체를이용한반도체장치에안정된전기적특성을부여하여, 고신뢰성화하는것을목적의하나로한다. 제 1 절연막을형성하고, 제 1 절연막에산소도핑처리를실시하여제 1 절연막에산소원자를공급하고, 제 1 절연막상에, 소스전극및 드레인전극, 및소스전극및 드레인전극과전기적으로접속하는산화물반도체막을형성하고, 산화물반도체막에열처리를실시하여산화물반도체막중의수소원자를제거하고, 수소원자가제거된산화물반도체막상에제 2 절연막을형성하고, 제 2 절연막상의산화물반도체막과중첩하는영역에게이트전극을형성하는반도체장치의제작방법이다.

公开(公告)号：KR20180030725A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR20187007154

申请日：2011-02-22

申请人： IDEMITSU KOSAN CO

发明人： ITOSE MASAYUKI ,  NISHIMURA MAMI ,  KASAMI MASASHI ,  YANO KOKI

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/626 ,  C04B37/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 인듐원소(In), 갈륨원소(Ga) 및주석원소(Sn)를하기수학식 1∼3의원자비로포함하는산화물소결체. [수학식 1] 0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 [수학식 2] 0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 [수학식 3] 0.0001

摘要翻译： 一种氧化物烧结体，其特征在于，以下述式（1）〜（3）表示的原子比例含有铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）：0.10＆nE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001

公开(公告)号：KR20180028557A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：KR20187006718

申请日：2011-01-12

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 소형화된트랜지스터에서, 게이트절연층은그 두께가감소되어야하지만, 게이트절연층이산화실리콘막의단층인경우에, 게이트절연층을얇게하는것에는터널링전류, 즉게이트리크전류의증가로인해물리적제한이생긴다. 게이트절연층용으로비유전율이 10보다큰 하이-k 막을사용하여, 소형화된트랜지스터의게이트리크전류가감소된다. 산화물반도체층과접하는제2 절연층의것보다비유전율이큰 제1 절연층으로서하이-k 막을사용하여, 게이트절연층의두께는산화실리콘막으로환산한게이트절연층의두께보다얇게될 수있다.

摘要翻译： 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层来减小其厚度; 然而，在栅极绝缘层是氧化硅膜的单层的情况下，由于隧道电流即栅极泄漏电流的增加，可能出现栅极绝缘层变薄的物理极限。 通过使用相对介电常数高于或等于10的高介电常数膜用于栅极绝缘层，小型化晶体管的栅极泄漏电流减小。 通过使用高k膜作为相对介电常数高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对介电常数的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度可以小于栅极绝缘层的厚度 根据氧化硅膜考虑绝缘层。

公开(公告)号：KR1020180016150A

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：KR1020160100215

申请日：2016-08-05

申请人： 주식회사 제이몬

发明人： 윤종만 ,  송혜진 ,  이완희 ,  이혁

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/22 ,  H01L21/67098

摘要： 본발명은도가니에소스물질을담고도가니를가열하여소스물질을기판에증착시키는과정에서용융된소스물질이튀는현상인스피팅(spitting) 현상을방지할수 있도록하는스피팅방지구조체를구비한증착장치용증발원에관한것으로, 내부에는소스물질이수용되도록하며일측에는개구부가형성된도가니와, 상기도가니에열을가할수 있도록상기도가니몸체에위치하는가열원과, 상기도가니몸체의내부에수평하게삽입되는플레이트형상의디스크를포함하는스피팅방지구조체를구비한증착장치용증발원을제공한다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在坩埚中沉积源材料并且加热坩埚以防止在将源材料沉积在基底上的过程中溅射熔融源材料的喷溅现象的沉积设备 涉及一种蒸发源，内部，并且，所述源材料yisuyong形成在坩埚的开口的一侧，并为加热的坩埚不位置到主体热源，并且在板的炉等水平地插入主体盘坩埚 并蒸发蒸发源的蒸发源。