-
公开(公告)号：KR1020090086340A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：KR1020090009573
申请日：2009-02-06
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1266 , C23C16/02 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02354 , H01L21/02356 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/31155 , H01L21/3143 , H01L21/31608 , H01L21/67207 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/4908
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided to uniformize the thickness of an insulating layer on a large substrate by using a high density plasma device. A substrate is heated(S171). The plasma ignition gas is supplied to a process container(S172). The pressure inside the process container is controlled(S173). A microwave generator is turned on to generate the plasma(S174). The source gas is supplied to the process container(S175). The microwave generator is turned off(S176). The plasma ignition gas is supplied to the process container(S177). The microwave generator is turned on to generate the plasma(S179). The source gas is supplied to the process container(S180). The microwave generator is turned off(S181).
摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的方法，以通过使用高密度等离子体器件使大衬底上的绝缘层的厚度均匀化。 加热基板（S171）。 将等离子体点火气体供给到处理容器（S172）。 控制加工容器内部的压力（S173）。 微波发生器导通以产生等离子体（S174）。 源气体被供给到处理容器（S175）。 微波发生器关闭（S176）。 将等离子体点火气体供给到处理容器（S177）。 微波发生器导通以产生等离子体（S179）。 源气体被供给到处理容器（S180）。 微波发生器关闭（S181）。
-
公开(公告)号：KR1020150039730A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020150041710
申请日：2015-03-25
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1266 , C23C16/02 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02354 , H01L21/02356 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/31155 , H01L21/3143 , H01L21/31608 , H01L21/67207 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78606 , H01L2924/13069
摘要： 본발명은반도체집적회로에사용하는절연막으로서막 두께가얇아도신뢰성을확보할수 있는절연막의제작방법을제공하는것을과제로한다. 특히, 유리등의대면적화가가능한절연표면을갖는기판위에낮은기판온도로고품질의절연막을제공하는것을과제로한다. 챔버에모노실란가스(SiH), 아산화질소(NO) 및희소가스를도입하고, 10Pa 내지 30Pa의압력하에서고밀도플라즈마를발생시킴으로써, 유리등의절연표면을갖는기판위에절연막을형성한다. 그후, 모노실란가스의공급을정지하고, 대기에노출시키지않고아산화질소(NO) 및희소가스를도입함으로써, 절연막표면에플라즈마처리를행한다.
摘要翻译： 本发明的主题是提供即使膜厚较薄的半导体集成电路用绝缘膜也能够确保依赖性的绝缘膜的方法。 特别地，本发明的目的在于提供一种在具有绝缘表面的基板上的低基板温度下的高质量绝缘膜，该绝缘表面的面积可以被扩大。 通过在室内引入单硅烷气体（SiH_4），一氧化二氮（N_2O）和稀有气体，并在10Pa至30Pa的压力下产生高密度等离子体，在具有绝缘表面如玻璃等的基板上形成绝缘膜 然后，通过停止供应单硅烷气体并引入一氧化二氮（N_2O）和稀有气体而不暴露于大气，在绝缘膜的表面上进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：KR1020160098497A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167019508
申请日：2014-12-12
发明人： 야마자키슌페이 , 시모무라아키히사 , 야마네야스마사 , 사토유헤이 , 타나카테츠히로 , 츠부쿠마사시 , 타케우치토시히코 , 토쿠마루료 , 이치조미츠히로 , 토리우미사토시 , 오츠키타카시 , 엔도토시야
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 전기특성의변화가억제되고산화물반도체를포함하는트랜지스터를사용한반도체장치의신뢰도가개선된다. 반도체장치는절연표면상에산화물반도체막, 절연표면및 산화물반도체막상에산화방지막, 산화방지막과접하고있는한 쌍의전극, 한쌍의전극상에게이트절연막, 및게이트절연막상 그리고산화물반도체막과중첩하고있는게이트전극을포함한다. 산화방지막에있어서, 한쌍의전극과중첩하는영역의폭은한 쌍의전극과중첩하고있지않은영역의폭보다길다.
摘要翻译： 抑制了电特性的变化，并且提高了使用包括氧化物半导体的晶体管的半导体器件的可靠性。 半导体器件包括绝缘表面上的氧化物半导体膜，绝缘表面上的抗氧化膜和氧化物半导体膜，与抗氧化膜接触的一对电极，一对电极上的栅极绝缘膜，以及栅极 电极，其在栅极绝缘膜上方并与氧化物半导体膜重叠。 在抗氧化剂膜中，与该对电极重叠的区域的宽度比不与该对电极重叠的区域的宽度长。
-
公开(公告)号：KR101696185B1
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR1020150041710
申请日：2015-03-25
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1266 , C23C16/02 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02354 , H01L21/02356 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/31155 , H01L21/3143 , H01L21/31608 , H01L21/67207 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/13
摘要： 본발명은반도체집적회로에사용하는절연막으로서막 두께가얇아도신뢰성을확보할수 있는절연막의제작방법을제공하는것을과제로한다. 특히, 유리등의대면적화가가능한절연표면을갖는기판위에낮은기판온도로고품질의절연막을제공하는것을과제로한다. 챔버에모노실란가스(SiH), 아산화질소(NO) 및희소가스를도입하고, 10Pa 내지 30Pa의압력하에서고밀도플라즈마를발생시킴으로써, 유리등의절연표면을갖는기판위에절연막을형성한다. 그후, 모노실란가스의공급을정지하고, 대기에노출시키지않고아산화질소(NO) 및희소가스를도입함으로써, 절연막표면에플라즈마처리를행한다.
摘要翻译： 提供了用作半导体集成电路的绝缘膜的绝缘膜的制造方法，其即使厚度小也能够确保其可靠性。 特别地，提供了一种在低基板温度下在具有绝缘表面的基板上制造高品质绝缘膜的方法，其可以被扩大。 将甲硅烷气体（SiH 4），一氧化二氮（N 2 O）和稀有气体引入室中以在高于或等于10Pa且低于或等于30Pa的压力下产生高密度等离子体，使得绝缘 膜形成在具有绝缘表面的基板上。 之后，停止供给单硅烷气体，一边在绝缘膜的表面进行等离子体处理，一边喷射一氧化二氮（N2O）和稀有气体。
-
公开(公告)号：KR1020110021654A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020100077614
申请日：2010-08-12
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/32541 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/0262 , H01L29/66765 , H01L29/78696
摘要： PURPOSE: A non-crystal semiconductor layer manufacturing method and a semiconductor device manufacturing method are provided to generate the deposition precursor during the evaporation by applying the reaction gas supplied from the gas supplying hole to the high density plasma area. CONSTITUTION: A deposition precursor(43) having crystalline is formed during the evaporation including the plasma area. The deposition precursor is formed by the reaction of the material gas and the electron out of the plasma. An under layer(42) is formed on a substrate(40). The deposition precursor is deposited on the under layer to form the crystal nucleus(44) of 5nm to 15nm.
摘要翻译： 目的：提供非晶半导体层制造方法和半导体器件制造方法，通过将从气体供给孔供给的反应气体施加到高密度等离子体区域，在蒸发期间产生沉积前体。 构成：在包括等离子体区域的蒸发期间形成具有结晶的沉积前体（43）。 通过材料气体和等离子体中的电子的反应形成沉积前体。 在衬底（40）上形成底层（42）。 沉积前体沉积在下层上以形成5nm至15nm的晶核（44）。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.018 秒)
