公开(公告)号：KR1020140067915A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: A film deposition method includes steps where a separation gas supplying part and a first gas supplying part supply a separation gas and a first reaction gas, and a rotary table rotates to a first angle; the second gas supplying part and the first gas supplying part supplies the separation gas and the first reaction gas, a second gas supplying part supplies a second reaction gas, and the rotary table rotates to a second angle; the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, and the rotary table rotates to a third angle; and the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, the second gas supplying part supplies a third reaction gas, and the rotary table rotates to a fourth angle.

Abstract translation: 成膜方法包括分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体的步骤，旋转台旋转到第一角度; 第二气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第二反应气体，旋转台旋转至第二角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，旋转台旋转到第三角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第三反应气体，旋转台旋转至第四角度。

公开(公告)号：KR101917414B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

公开(公告)号：KR1020140081701A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer by using a layer forming apparatus having a rotating table capable of loading a plurality of substrates thereon, a first gas supply unit, and a second gas supply unit. The method includes: a first process of rotating the rotating table by supplying an oxide gas from the first and second gas supply units; a second process of supplying a first reaction gas including a first element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a first oxide layer including the first element on the substrate; a third process of rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the first and second gas supply units; and a fourth process of supplying a second reaction gas including a second element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a second oxide layer including the second element on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用具有能够在其上装载多个基板的旋转台的层形成装置，第一气体供应单元和第二气体供应单元来形成层的方法。 该方法包括：通过从第一和第二气体供应单元提供氧化物气体来旋转旋转台的第一过程; 从第一气体供应单元供应包括第一元件的第一反应气体的第二过程，通过从第二气体供应单元提供氧化物气体旋转旋转台，以及在基板上形成包括第一元素的第一氧化物层; 通过从第一和第二气体供应单元供应氧化物气体来旋转旋转台的第三过程; 以及从第一气体供给单元供给包括第二元件的第二反应气体的第四工序，通过从第二气体供给单元供给氧化物气体来旋转旋转台，在基板上形成包含第二元素的第二氧化物层 。

公开(公告)号：KR1020140007289A

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020130079644

申请日：2013-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  오가와준

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: A film forming method includes a first film forming step for forming a first metal composition film on a substrate by performing a cycle for mixing a first raw gas and a reaction gas one or more times, an adsorption step for exposing the substrate having the first metal composition film with the first raw gas and adsorbing a first metal to the first metal composition film, and a second film forming step for forming a second metal composition layer by exposing the substrate having the first metal with a second raw gas including a second metal and performing a cycle for mixing the second raw gas with a reaction gas one or more time. [Reference numerals] (93) Control member; (94) Storage medium

Abstract translation: 一种成膜方法包括：通过进行用于混合第一原料气体和反应气体一次或多次的循环在基板上形成第一金属组合物膜的第一膜形成步骤，用于使具有第一金属的基板曝光的吸附步骤 具有第一原料气体并将第一金属吸附到第一金属组合物膜的第二成膜步骤，以及通过用包含第二金属的第二原料气暴露具有第一金属的基板形成第二金属组合物层的第二成膜步骤，以及 执行用于将第二原料气体与反应气体一次或多次混合的循环。 （附图标记）（93）控制部件; （94）存储介质

公开(公告)号：KR1020130075690A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020120152962

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히코 ,  오가와준 ,  가미니시마사히코 ,  이세요시노부 ,  에노키요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method for forming a film is provided to increase withstand voltage by alternately exposing at least two kinds of reaction gases which react with each other to a substrate. CONSTITUTION: A vacuum container has a circular plane shape. A container body has a cylindrical shape. A ceiling plate (11) is arranged in the upper surface of the container body. A rotary table (2) is installed in the vacuum container. A rotary shaft and a driving part are formed in a case (20). [Reference numerals] (100) Control part; (101) Memory part; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法，通过交替地将至少两种彼此反应的反应气体暴露于基底来提高耐受电压。 构成：真空容器具有圆形平面形状。 容器体具有圆筒形状。 在容器主体的上表面设有顶板（11）。 旋转台（2）安装在真空容器中。 旋转轴和驱动部形成在壳体（20）中。 （附图标记）（100）控制部; （101）记忆部分; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR101695511B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 복수의기판을적재가능한회전테이블과, 제1 가스공급부와, 제2 가스공급부를구비하는성막장치를이용한성막방법으로서, 상기제1 및제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제1 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는제1 산화막을성막하는제2 공정과, 상기제1 및제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제3 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제2 원소를포함하는제2 산화막을성막하는제4 공정을포함한다.

Abstract translation: 一种使用包括转台安装基板的设备在基板上沉积薄膜的方法，设置有气体供应部分的转盘上表面上方的第一和第二处理区域，在第一和第二处理区域之间的分离气体供应部分和 分离区域，包括通过旋转转盘第一匝来沉积第一氧化物膜，同时供应第一反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体; 在从第一气体供给部分和分离气体供应部分供应分离气体的同时旋转至少一圈，并且来自第二气体供应部分的氧化气体; 并且至少第二匝旋转以沉积第二氧化物膜，同时从第一气体供应部分提供第二反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体。

公开(公告)号：KR1020160059968A

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

Abstract translation: 设有用于供给流体的喷嘴。 喷嘴具有管状部分，其形成在管中，并且具有沿着管的长度方向形成的流体喷射孔的流体喷射表面，沿管道的长度方向延伸的分隔板，将管 进入包括流体喷射表面的第一区域和除了流体喷射表面之外的第二区域，并且具有分散孔。 分散孔的数量小于流体注入孔的数量。 因此，喷嘴可以防止原料气体的自分解并供应。

公开(公告)号：KR101575393B1

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020120152962

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히코 ,  오가와준 ,  가미니시마사히코 ,  이세요시노부 ,  에노키요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228

Abstract: 복수의웨이퍼가적재되는회전테이블과, 회전테이블의상방에구획되는제1 반응가스공급영역, 제2 반응가스공급영역및 이들을분리하는분리영역을갖는성막장치에있어서, 제2 반응가스공급영역에반응가스를공급하지않고, 제1 반응가스공급영역에제1 반응가스를공급하고, 회전테이블의회전에의해웨이퍼를제1 반응가스에노출시킴으로써당해가스를웨이퍼표면에흡착시키는스텝과, 이스텝에이어서, 제1 반응가스공급영역에반응가스를공급하지않고, 제2 반응가스공급영역에제2 반응가스를공급하고, 회전테이블의회전에의해웨이퍼를제2 반응가스에노출시킴으로써, 웨이퍼표면에흡착된제1 반응가스를제2 반응가스와반응시키는스텝을포함하는성막방법이다.

公开(公告)号：KR101658270B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551

Abstract: 분리가스공급부및 제1 가스공급부로부터분리가스및 제1 반응가스를공급하면서, 회전테이블을제1 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 제2 가스공급부로부터제2 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제2 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기회전테이블을제3 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기제2 가스공급부로부터제3 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제4 각도까지회전시키는, 성막방법.

公开(公告)号：KR101588083B1

公开(公告)日：2016-01-25

申请号：KR1020130067777

申请日：2013-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  이세요시노부 ,  오가와준

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/40 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 성막방법은, 상기회전테이블을회전시키면서, 상기분리가스공급부로부터상기분리가스를공급하여상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을분리하면서, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 처리영역으로제1 반응가스를공급하는동시에, 상기제2 가스공급부로부터상기제2 처리영역으로, 상기제1 반응가스와반응할수 있는제2 반응가스를공급하는스텝과, 상기회전테이블을회전시키면서, 상기분리가스공급부로부터상기분리가스를공급하여상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을분리하면서, 상기제1 가스공급부로부터반응가스를공급하는일 없이, 상기제2 가스공급부로부터상기제2 처리영역으로상기제2 반응가스를소정의기간공급하는스텝을포함한다.