公开(公告)号：KR101775203B1

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명에따르면성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는, 챔버내에서기판상에서로반응하는제1 처리가스와제2 처리가스를순차공급함과함께, 상기제1 처리가스와제2 처리가스를 1회씩상기기판상에공급하는단계를 1 사이클로하고, 상기 1 사이클을반복함으로써상기기판상에상기복수의가스의반응생성물의원자층또는분자층을퇴적시켜성막한다. 상기사이클의사이클시간이 0.5초이하로설정된다.

公开(公告)号：KR1020140081702A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer using a layer forming apparatus to form a doped oxide layer including a first element and a second element on a plurality of substrates. The method includes a layer forming process of supplying a first reaction gas including the first element from a first gas supply unit, supplying an oxide gas from a second gas supply unit, and forming an oxide layer including the first element on a substrate; and a doping process of supplying a second reaction gas including the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and supplying an inert gas from the other one of the first gas supply unit and the second gas supply unit to dope the second element on the oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及使用层形成装置形成层的方法，以在多个基板上形成包括第一元件和第二元件的掺杂氧化物层。 该方法包括：从第一气体供给单元供给包括第一元件的第一反应气体，从第二气体供给单元供给氧化物气体，在基板上形成包含第一元素的氧化物层的层形成工序; 以及从第一气体供给单元和第二气体供给单元之一供给包括第二元件的第二反应气体并从第一气体供给单元和第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体的掺杂过程， 掺杂氧化层上的第二个元素。

公开(公告)号：KR1020140067915A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: A film deposition method includes steps where a separation gas supplying part and a first gas supplying part supply a separation gas and a first reaction gas, and a rotary table rotates to a first angle; the second gas supplying part and the first gas supplying part supplies the separation gas and the first reaction gas, a second gas supplying part supplies a second reaction gas, and the rotary table rotates to a second angle; the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, and the rotary table rotates to a third angle; and the separation gas supplying part and the first gas supplying part supply the separation gas and the first reaction gas, the second gas supplying part supplies a third reaction gas, and the rotary table rotates to a fourth angle.

Abstract translation: 成膜方法包括分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体的步骤，旋转台旋转到第一角度; 第二气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第二反应气体，旋转台旋转至第二角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，旋转台旋转到第三角度; 分离气体供给部和第一气体供给部供给分离气体和第一反应气体，第二气体供给部供给第三反应气体，旋转台旋转至第四角度。

公开(公告)号：KR101704863B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 성막장치를사용하여, 상기복수의기판상에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는도프산화막을성막하는성막방법이며, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는산화막을성막하는성막공정과, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 한쪽으로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 다른쪽으로부터불활성가스를공급하여, 상기산화막상에상기제2 원소를도프하는도프공정을포함한다.

Abstract translation: 一种沉积形成掺杂氧化物膜的膜的方法，该膜包括含有第一元素的第一氧化物膜，并且在安装在转台上的基板上掺杂有第二元素，所述基板包括通过旋转转盘预定匝而将第一氧化物膜沉积到基板上，同时 从第一气体供给部供给含有第一元素的第一反应气体，从第二气体供给部供给氧化气体，从分离气体供给部供给分离气体，并将第二氧化物膜与第二气体 从第一和第二气体供给部中的一个供给含有第二元素的第二反应气体，从另一个供给惰性气体，从分离气体供给部供给分离气体， 。

公开(公告)号：KR1020150004286A

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L2924/01002

Abstract: 본 발명에 따르면 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급하는 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.

Abstract translation: 提供了一种沉积薄膜的方法。 在该方法中，顺序地供给彼此反应的第一处理气体和第二处理气体，其中将基板一次供给第一处理气体和第二处理的步骤定义为一个循环，使得 沉积多个气体的反应产物的原子层或分子层，并通过重复该一个循环在衬底上形成层。 循环的循环时间设定为等于或小于0.5秒。

公开(公告)号：KR1020140081701A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer by using a layer forming apparatus having a rotating table capable of loading a plurality of substrates thereon, a first gas supply unit, and a second gas supply unit. The method includes: a first process of rotating the rotating table by supplying an oxide gas from the first and second gas supply units; a second process of supplying a first reaction gas including a first element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a first oxide layer including the first element on the substrate; a third process of rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the first and second gas supply units; and a fourth process of supplying a second reaction gas including a second element from the first gas supply unit, rotating the rotating table by supplying the oxide gas from the second gas supply unit, and forming a second oxide layer including the second element on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用具有能够在其上装载多个基板的旋转台的层形成装置，第一气体供应单元和第二气体供应单元来形成层的方法。 该方法包括：通过从第一和第二气体供应单元提供氧化物气体来旋转旋转台的第一过程; 从第一气体供应单元供应包括第一元件的第一反应气体的第二过程，通过从第二气体供应单元提供氧化物气体旋转旋转台，以及在基板上形成包括第一元素的第一氧化物层; 通过从第一和第二气体供应单元供应氧化物气体来旋转旋转台的第三过程; 以及从第一气体供给单元供给包括第二元件的第二反应气体的第四工序，通过从第二气体供给单元供给氧化物气体来旋转旋转台，在基板上形成包含第二元素的第二氧化物层 。

公开(公告)号：KR101658277B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 진공용기내에서기판에박막을성막하기위한성막장치는회전테이블과, 제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리가스를공급하는가스노즐과, 상기가스노즐을덮도록설치된노즐커버와, 분리가스공급부를구비하고, 상기노즐커버는천장벽부와, 이천장벽부에있어서의상기회전테이블의회전방향상류측및 하류측의각각의테두리부로부터하방측을향해연신되는상류측벽부및 하류측벽부를구비하고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면은경사진경사면으로서형성되고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ1이, 상기하류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ2보다도작아지도록구성된다.

公开(公告)号：KR1020140083884A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: A method of forming a layer forms a layer using an atomic layer deposition (ALD) method by rotating a rotation table, which is provided in a chamber and is able to load a substrate (W) on a substrate loading part, so that a substrate passes through a first treatment region and a second treatment region, which supply different types of gas reacting with each other. The method includes a coating step of forming a layer on the rotation table while the substrate loading part is at a predetermined temperature by rotating the rotation table without loading the substrate on the substrate loading part; and a processing step of forming the layer on the substrate while the substrate loading part or the substrate is below the predetermined temperature by rotating the rotation table having the substrate loaded on the substrate loading part.

Abstract translation: 使用原子层沉积（ALD）方法形成层的方法通过旋转设置在室中的旋转台，并且能够将基板（W）加载在基板装载部上，从而使基板 通过第一处理区域和第二处理区域，其提供不同类型的气体彼此反应。 该方法包括：涂覆步骤，通过旋转旋转台而在衬底装载部分上加载衬底而在衬底装载部分处于预定温度的同时在旋转台上形成层; 以及处理步骤，通过旋转具有装载在基板装载部上的基板的旋转台，在基板装载部或基板低于预定温度的同时，在基板上形成该层。

公开(公告)号：KR1020140007289A

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020130079644

申请日：2013-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  오가와준

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: A film forming method includes a first film forming step for forming a first metal composition film on a substrate by performing a cycle for mixing a first raw gas and a reaction gas one or more times, an adsorption step for exposing the substrate having the first metal composition film with the first raw gas and adsorbing a first metal to the first metal composition film, and a second film forming step for forming a second metal composition layer by exposing the substrate having the first metal with a second raw gas including a second metal and performing a cycle for mixing the second raw gas with a reaction gas one or more time. [Reference numerals] (93) Control member; (94) Storage medium

Abstract translation: 一种成膜方法包括：通过进行用于混合第一原料气体和反应气体一次或多次的循环在基板上形成第一金属组合物膜的第一膜形成步骤，用于使具有第一金属的基板曝光的吸附步骤 具有第一原料气体并将第一金属吸附到第一金属组合物膜的第二成膜步骤，以及通过用包含第二金属的第二原料气暴露具有第一金属的基板形成第二金属组合物层的第二成膜步骤，以及 执行用于将第二原料气体与反应气体一次或多次混合的循环。 （附图标记）（93）控制部件; （94）存储介质

公开(公告)号：KR101695511B1

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020130158152

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  고아쿠츠마사토 ,  오가와준

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 복수의기판을적재가능한회전테이블과, 제1 가스공급부와, 제2 가스공급부를구비하는성막장치를이용한성막방법으로서, 상기제1 및제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제1 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는제1 산화막을성막하는제2 공정과, 상기제1 및제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키는제3 공정과, 상기제1 가스공급부로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터상기산화가스를공급하여상기회전테이블을회전시키고, 상기기판상에상기제2 원소를포함하는제2 산화막을성막하는제4 공정을포함한다.

Abstract translation: 一种使用包括转台安装基板的设备在基板上沉积薄膜的方法，设置有气体供应部分的转盘上表面上方的第一和第二处理区域，在第一和第二处理区域之间的分离气体供应部分和 分离区域，包括通过旋转转盘第一匝来沉积第一氧化物膜，同时供应第一反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体; 在从第一气体供给部分和分离气体供应部分供应分离气体的同时旋转至少一圈，并且来自第二气体供应部分的氧化气体; 并且至少第二匝旋转以沉积第二氧化物膜，同时从第一气体供应部分提供第二反应气体，来自第二气体供应部分的氧化气体和分离气体。