公开(公告)号：KR101913443B1

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：KR1020137010291

申请日：2011-09-21

申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드

发明人： 리밍 ,  캉후 ,  스리람만디암 ,  라부아아드리엔

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76898

摘要： 플라즈마활성화된컨포멀막성막 (CFD) 프로세스들을사용하여컨포멀박막을성막하는방법및 하드웨이가본 명세서에기재된다. 일예에있어서, 컨포멀박막을형성하는방법은, 제 1 페이즈에서, 기판의표면에서떨어져서전구체라디칼들을생성하는단계및 기판에전구체라디칼들을흡착시켜표면활성종을형성하는단계; 제 1 퍼지페이즈에서, 프로세스스테이션으로부터잔류전구체를퍼지하는단계; 제 2 페이즈에서, 표면에반응성플라즈마를공급하는단계로서, 반응성플라즈마는표면활성종과반응하고컨포멀박막을생성하도록구성되는, 반응성플라즈마를공급하는단계; 및제 2 퍼지페이즈에서, 프로세스스테이션으로부터잔류반응물을퍼지하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101895398B1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：KR1020120028397

申请日：2012-03-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정숙진 ,  김윤수 ,  유차영 ,  이종철

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7926

摘要： 본발명은기판표면에반응억제작용기들의층을형성하는단계; 상기반응억제작용기들의층의위에금속전구체또는반도체전구체의층을형성하는단계; 및금속산화물또는반도체산화물의층을얻기위하여상기금속전구체또는반도체전구체를산화시키는단계를포함하는산화물층의형성방법을제공한다. 본발명개념의산화물층의형성방법을이용하면우수한스텝커버리지를갖는산화물층을형성할수 있고전기적특성이우수한반도체소자를제조할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101906653B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020150020598

申请日：2015-02-11

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 이케우치,도시유키 ,  시미즈,아키라

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

摘要： Si 밀도를고밀도화한실리콘산화막의형성방법및 실리콘산화막의형성장치를제공한다. 실리콘산화막의형성방법은, 아몰퍼스실리콘막형성공정과, 실리콘산화막형성공정을구비하고있다. 아몰퍼스실리콘막형성공정에서는, 반도체웨이퍼가수용된반응실내에 HCD를공급하여활성화시키고, 활성화된 HCD와반도체웨이퍼를반응시켜반도체웨이퍼에규소를포함하는흡착물을흡착시키는흡착스텝과, 반응실내에수소가스를공급하여활성화시키고, 활성화된수소가스와흡착물을반응시켜흡착물에포함되는염소를제거하는염소제거스텝을구비하고, 흡착스텝실행후에염소제거스텝을실행함으로써, 반도체웨이퍼에아몰퍼스실리콘막을형성한다. 실리콘산화막형성공정에서는, 반응실내에산화가스를공급하여아몰퍼스실리콘막을산화시키고, 반도체웨이퍼에실리콘산화막을형성한다. 그리고, 이아몰퍼스실리콘막형성공정과실리콘산화막형성공정을, 이순서대로복수회반복한다.

公开(公告)号：KR101904597B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020160017731

申请日：2016-02-16

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 카오완이 ,  수쾅위안

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02312 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/306 ,  H01L29/66795

摘要： 2개의상이한물질들위에생길수 있는물질의퇴적공정을변경시키는처리, 구조체및 시스템이제공된다. 일실시예에서, 물질중 하나의퇴적속도를물질중 제2 물질의퇴적속도에따라더 많이변경시키는처리에의해퇴적속도가조정될수 있다. 또한, 퇴적속도는물질중 제2 물질위보다도물질중 제1 물질위에더 선택적으로퇴적되도록허용하기위해서로다르게변경될수 있다.

公开(公告)号：KR1020180100513A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：KR1020180102473

申请日：2018-08-30

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 사사키가즈오 ,  다카토데츠야 ,  가타기리다카요시

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： 전자디바이스구조의테이퍼부의막에의한커버리지를향상시킬수 있는플라즈마를사용한성막방법을제공한다. TFT(30)에있어서, 4불화규소가스, 4염화규소가스, 질소가스및 아르곤가스를포함하는처리가스로부터생성된유도결합플라즈마에의해질화규소막으로이루어지는패시베이션층(37)이성막된다.

公开(公告)号：KR101896777B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020160129176

申请日：2016-10-06

申请人： 현대자동차주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

发明人： 이지용 ,  박정우 ,  김현재

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L31/048

CPC分类号： H01L31/0203 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0481

摘要： 본발명은우수한내습성을지니는배리어필름제작을위해서, 스퍼터링증착(sputtering deposition)이나원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)을통해증착된산화물박막에추가적으로특정조건에서고압열처리공정을포함하는배리어필름의제조방법과이에의해제조된배리어필름에관한것이다. 본발명은열에너지와압력에너지를동시에활용하여낮은공정온도에서배리어필름의내습성을향상시킬수 있어, 태양전지의배리어필름으로유용하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101878931B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020150088941

申请日：2015-06-23

申请人： 한국전자통신연구원

发明人： 정동윤 ,  이현수 ,  고상춘 ,  김정진 ,  김진식 ,  나제호 ,  남은수 ,  문재경 ,  박영락 ,  배성범 ,  이형석 ,  장우진 ,  장현규 ,  전치훈

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

摘要： 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.

公开(公告)号：KR101879022B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020150121844

申请日：2015-08-28

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  기쿠치히로유키

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/31116 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 기판처리방법이며, 상기회전테이블의회전방향을따라서상기에칭가스가공급되는처리영역과, 상기에칭가스가공급되지않고퍼지가스가공급되는퍼지영역으로구획된처리실내에설치된회전테이블상에기판을적재한다. 에칭가스를상기처리영역에공급한다. 퍼지가스를상기퍼지영역에공급한다. 회전테이블을회전시키고, 상기회전테이블을 1회전시킨때 상기기판이상기처리영역과상기퍼지영역을 1회씩통과하도록한다. 상기기판이상기처리영역을통과한때 상기기판의표면에형성된막을에칭한다. 상기회전테이블의회전속도를변화시킴으로써, 상기막을에칭하는에칭레이트또는에칭후의상기막의표면조도를제어한다.

公开(公告)号：KR20180065929A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20170166360

申请日：2017-12-06

申请人： TOKYO ELECTRON LTD

发明人： SUZUKI AYUTA ,  YAMAMOTO KOUSUKE ,  MATSUZAKI KAZUYOSHI ,  KAGAYA MUNEHITO ,  MORIYA TSUYOSHI ,  MITSUNARI TADASHI ,  KUBO ATSUSHI

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4582 ,  G05D16/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742

摘要： (과제) 기판인웨이퍼면 내에있어서의막 두께프로파일을제어하는기술을제공하는것. (해결수단) 원료가스및 반응가스인 O가스를공급하여단분자층을형성하는사이클을복수반복하여웨이퍼 W에소정막 두께의 SiO막을형성함에있어서, 웨이퍼 W의지름방향으로동심원형상으로복수로구획되고, 또한서로독립하여가스를토출할수 있는제 1~제 3 구획영역 Z1~Z3이형성된가스토출부(4)로부터가스를토출한다. 원료가스와 O가스의반응에의해 SiO막이형성되고, 원료가스의공급량및 O가스의공급량을바꾸는것에의해, SiO막의막 두께가변화한다. 이때문에, 원료가스의공급량, 및 O가스의공급량이제 1~제 3 구획영역 Z1~Z3의사이에서서로상이하도록제어하는것에의해, 웨이퍼 W의지름방향의막 두께를조정하고, 막두께프로파일을제어할수 있다.

公开(公告)号：KR20180055701A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：KR20170147024

申请日：2017-11-07

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LAB

发明人： YAMAZAKI SHUNPEI ,  KATO KIYOSHI ,  ENDO YUTA ,  TOKUMARU RYO

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/443 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 본발명은양호한전기특성을갖는반도체장치를제공한다. 제 1 트랜지스터와제 2 트랜지스터를갖고, 제 1 트랜지스터는기판위에배치된제 1 도전체와, 그위에배치된제 1 절연체와, 그위에배치된제 1 산화물과, 그위에배치된제 2 절연체와, 제 2 절연체의측면과실질적으로일치하는측면을갖고, 제 2 절연체위에배치된제 2 도전체와, 제 2 도전체의측면과실질적으로일치하는측면을갖고, 제 2 도전체위에배치된제 3 절연체와, 제 2 절연체의측면, 제 2 도전체의측면, 및제 3 절연체의측면과접촉하여배치된제 4 절연체와, 제 1 산화물및 제 4 절연체와접촉하여배치된제 5 절연체를갖고, 제 2 트랜지스터는제 3 도전체와, 제 3 도전체와적어도일부가중첩하여배치된제 4 도전체와, 제 3 도전체와제 4 도전체사이에배치된제 2 산화물을갖고, 제 3 도전체와제 4 도전체는제 1 도전체와전기적으로접속되어있는반도체장치.