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公开(公告)号：KR1020140036217A
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020137032510
申请日：2012-06-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/32132 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/76898
Abstract: 본 발명은, 실리콘층과, 상기 실리콘층의 위쪽에, 정해진 패턴으로 패터닝된 레지스트층이 형성된 피처리 기판이 설치되는 처리 용기 내에, 산소 가스와 불화유황 가스를 포함한 에칭 가스를 정해진 유량으로 공급하고, 공급한 상기 에칭 가스로부터 생성된 플라즈마에 의해, 상기 레지스트층을 마스크로 하여 상기 실리콘층을 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 불화유황 가스에 대한 산소 가스량의 유량비를 제1 유량비로 한 상태에서, 상기 실리콘층을 에칭하는 제1 단계와, 상기 유량비가 상기 제1 유량비로부터 상기 제1 유량비보다 작은 제2 유량비가 되도록, 산소 가스의 유량을 감소시키면서 상기 실리콘층을 에칭하는 제2 단계와, 상기 유량비를 상기 제2 유량비로 한 상태에서, 상기 실리콘층을 에칭하는 제3 단계를 포함하는 플라즈마 에칭 방법 을 제공하는 것을 목적으로 한다.
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公开(公告)号：KR102220184B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020140033954
申请日：2014-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 동일한가스확산실에접속된복수의가스분사구로부터분사되는가스의유량의차이를저감시키고, 상이한복수의가스공급경로에가스가입력되고나서대응의영역의가스분사구로부터가스가분사될때까지의시간의차이를저감시키는것이가능한플라스마처리장치용의샤워헤드가제공된다. 일실시형태의샤워헤드에서는, 복수의영역의각각에복수의가스분사구가마련되어있고, 상기복수의영역의각각에는개별의가스공급경로로부터처리가스가공급된다. 각가스공급경로는, 상류에서하류까지의사이에세 개의가스확산실을포함하고있다.
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公开(公告)号：KR101888717B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020137032510
申请日：2012-06-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J2237/334 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/32132 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/76898
Abstract: 본발명은, 실리콘층과, 상기실리콘층의위쪽에, 정해진패턴으로패터닝된레지스트층이형성된피처리기판이설치되는처리용기내에, 산소가스와불화유황가스를포함한에칭가스를정해진유량으로공급하고, 공급한상기에칭가스로부터생성된플라즈마에의해, 상기레지스트층을마스크로하여상기실리콘층을에칭하는플라즈마에칭방법으로서, 불화유황가스에대한산소가스량의유량비를제1 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제1 단계와, 상기유량비가상기제1 유량비로부터상기제1 유량비보다작은제2 유량비가되도록, 산소가스의유량을감소시키면서상기실리콘층을에칭하는제2 단계와, 상기유량비를상기제2 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제3 단계를포함하는플라즈마에칭방법을제공하는것을목적으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140117290A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020140033954
申请日：2014-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45514 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45574
Abstract: Provided is a shower head of a plasma processing apparatus which reduces a difference of the amount of gas injected from gas injection holes connected to the same gas diffusion chamber and reduces time difference until a gas is injected from the gas injection hole of a corresponding region after the gas is supplied to different gas supply paths. In a shower head of an embodiment, gas injection holes are prepared in regions, respectively. A process gas is supplied from each gas supply path in the regions. Each gas supply path includes three gas diffusion chambers between an upper class and a lower class.
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置的喷头，其减少了从与相同的气体扩散室连接的气体注入孔喷射的气体的量的差异，并且减少了从相应区域的气体注入孔注入气体直至从其后的相应区域的气体注入孔注入气体 气体供应到不同的气体供应路径。 在一个实施例的喷头中，分别在区域中制备气体注入孔。 从各区域的各气体供给路径供给处理气体。 每个气体供给路径包括上级和下级之间的三个气体扩散室。
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公开(公告)号：KR101295889B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020127013814
申请日：2010-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 기판 상에 형성한 포토레지스트막을 마스크로 하여, 기판에 깊은 홀을 형성하기 위한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 개구부를 가지는 포토레지스트막이 형성된 기판을 에칭 챔버 내에 설치하는 설치 공정과, 포토레지스트막을 마스크로 하고, 적어도 SiF
4 와 O
2 를 포함하는 제 1 혼합 가스를 이용하여, 에칭 챔버 내에 설치된 기판을 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정에 이어서, 적어도 SF
6 과 O
2 와 HBr를 포함하는 제 2 혼합 가스를 이용하여 기판을 플라즈마 에칭하여, 기판에 홀을 형성하는 제 2 에칭 공정을 가진다.-
公开(公告)号：KR1020120073365A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020127013814
申请日：2010-11-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 기판 상에 형성한 포토레지스트막을 마스크로 하여, 기판에 깊은 홀을 형성하기 위한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 개구부를 가지는 포토레지스트막이 형성된 기판을 에칭 챔버 내에 설치하는 설치 공정과, 포토레지스트막을 마스크로 하고, 적어도 SiF
4 와 O
2 를 포함하는 제 1 혼합 가스를 이용하여, 에칭 챔버 내에 설치된 기판을 플라즈마 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정에 이어서, 적어도 SF
6 과 O
2 와 HBr를 포함하는 제 2 혼합 가스를 이용하여 기판을 플라즈마 에칭하여, 기판에 홀을 형성하는 제 2 에칭 공정을 가진다.Abstract translation: 一种使用形成在基板上的光致抗蚀剂膜作为掩模在基板中形成深孔的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在蚀刻室中提供具有开口的光致抗蚀剂膜的基板; 至少是SiF
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公开(公告)号：KR101088254B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020090016849
申请日：2009-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: 언더컷의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 종래에 비해 고속으로 단결정 실리콘을 에칭할 수 있는 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 컴퓨터 기억 매체를 제공한다. 단결정 실리콘층(101)을, 단결정 실리콘층(101)의 상부에 형성되고 소정의 패턴으로 패터닝된 포토 레지스트층(102)을 거쳐서 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭할 때에, 단결정 실리콘층(101)의 에칭을 실행하는 플라즈마 에칭 공정을 시작하기 전에, 카본을 포함한 가스 예를 들면 CF계 가스의 플라즈마를 이용해서 포토 레지스트층(102)의 측벽부에 보호막(103)을 형성하는 보호막 형성 공정을 실행한다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和计算机存储介质，其能够抑制底切的发生并且能够以比传统方法更高的速度蚀刻单晶硅。 当通过处理气体的等离子体蚀刻单晶硅层101通过形成在单晶硅层101的顶部上的光致抗蚀剂层102并且以预定图案图案化时， 在开始用于执行蚀刻的等离子体蚀刻工艺之前，执行通过使用包含碳的气体（例如，CF-基气体）在光致抗蚀剂层102的侧壁部分上形成保护膜103的保护膜形成步骤 。
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公开(公告)号：KR1020090093875A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020090016849
申请日：2009-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3086
Abstract: A plasma etching method, a plasma etching apparatus and a computer storage device are provided to reduce that the undercut by the side-etching affects the etching phenomenon by forming a protective film at the side wall of the photoresist layer. A single crystal silicon layer of processed substrate(W) is formed on the top of the single crystal silicon layer(101). A protective film(103) is formed at the side wall part of the upper body(102) which is patterned by the plasma of the gas including the carbon. The protective film formed at the side wall part of the upper body is removed. Some part of the protective film formed on the surface of single crystal silicon layer is removed. The etching of the single crystal silicon layer uses the mixing gas of O2 and SF6 as the process gas.
Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和计算机存储装置，以减少通过在光致抗蚀剂层的侧壁形成保护膜的侧蚀刻的底切影响蚀刻现象。 在单晶硅层（101）的顶部形成有处理基板（W）的单晶硅层。 在通过包括碳的气体的等离子体构图的上体（102）的侧壁部分处形成保护膜（103）。 去除形成在上身侧壁部分的保护膜。 除去形成于单晶硅层表面的部分保护膜。 单晶硅层的蚀刻使用O 2和SF 6的混合气体作为工艺气体。
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