公开(公告)号：KR101909479B1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：KR1020160128974

申请日：2016-10-06

申请人： 세메스 주식회사

发明人： 구자명 ,  안종환 ,  남신우 ,  노수련

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01L21/687 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  H03H7/38

摘要： 본발명은플라즈마공정을수행하는기판처리장치에있어서기판주변부의전기장을용이하게제어하여기판지지대둘레에제공되는링부재가마모되는정도를줄여교체주기를연장하는것을목적으로한다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 내부에처리공간을가지는챔버; 상기처리공간내에서기판을지지하는지지유닛; 상기처리공간내로처리가스를공급하는가스공급유닛; 및상기처리가스로부터플라즈마를발생시키는플라즈마소스를포함하며, 상기지지유닛은: 상기기판이놓이는정전척; 상기정전척에놓인기판의둘레를감싸는제1 링; 상기정전척의둘레를감싸며, 절연재질로제공되는제2 링; 상기제2 링내에배치되는전도성재질로제공되는삽입체; 및상기삽입체의임피던스를조절하는임피던스제어부를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020180111064A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：KR1020170041458

申请日：2017-03-31

申请人： (주)얼라이드 테크 파인더즈 ,  서기원

发明人： 서기원

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719

摘要： 본발명의반도체공정장치는플라즈마가형성되는내부공간을갖는챔버유니트; 상기내부공간에배치되고, 상기플라즈마에의해가공되는기판을지지하는척 유니트;를포함하고, 상기챔버유니트는서로착탈되는제1 챔버부와제2 챔버부를포함하며, 상기제1 챔버부와상기제2 챔버부가서로결합되면상기플라즈마가형성되는상기내부공간이형성되고, 상기제1 챔버부와상기제2 챔버부가서로이탈되면상기척 유니트가외부에노출될수 있다.

公开(公告)号：KR101903215B1

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：KR1020147001138

申请日：2012-07-12

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 도칸다카시 ,  사사키마사루 ,  가마타히카루

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

摘要： 동일한처리용기내에서, 에칭해야할 막종, 및처리가스의종류가상이한복수의에칭공정을전환할수 있는에칭방법을제공한다. 본발명의에칭방법은, 에칭해야할 막종, 및처리가스의종류가상이한제1 및제2 에칭공정(S1, S3)을구비한다. 제1 에칭공정(S1)으로부터제2 에칭공정(S3)으로이행하는동안에, 처리용기에클리닝가스를도입하고, 클리닝가스를플라즈마화시켜, 제1 에칭공정에서처리용기내에퇴적된반응생성물을제거하는제1 전환처리공정(S2)을행한다. 그리고, 제2 에칭공정(S3)으로부터제1 에칭공정(S1)으로이행하는동안에, 처리용기에클리닝가스를도입하고, 클리닝가스를플라즈마화시켜, 제2 에칭공정에서처리용기내에퇴적된반응생성물을제거하는제2 전환처리공정(S4)을행한다.

公开(公告)号：KR101893035B1

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：KR1020170125119

申请日：2017-09-27

申请人： 비씨엔씨 주식회사

发明人： 김돈한

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6831

摘要： 본발명은반도체기판의표면손상및 피처프로파일틸팅이개선될수 있도록구성한플라즈마공정챔버내 정전척을둘러싸는커버링어셈블리에관한것이다. 본발명은기판을지지하는상단표면과상단표면에서단턱진환형스텝을이루는정전척을둘러싸도록구성되는플라즈마공정챔버의커버링어셈블리로서, 정전척의환형스텝에배치되어기판과정전척의측면을둘러싸도록구성되되, 하부면에는결합홈이형성되는쿼츠링및 환형스텝의수평면에서정전척과의전기적접촉이유지되도록쿼츠링의결합홈에결합하는전극링을포함하고쿼츠링은내부투과율이 99% 이상인것을특징으로한다. 본발명에의하면, 반도체기판의표면손상및 피처프로파일틸팅을개선시킬수 있는장점이있다.

公开(公告)号：KR101888717B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020137032510

申请日：2012-06-12

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 우다슈이치로 ,  네즈다카아키 ,  후치가미신지 ,  마루야마고지

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76898

摘要： 본발명은, 실리콘층과, 상기실리콘층의위쪽에, 정해진패턴으로패터닝된레지스트층이형성된피처리기판이설치되는처리용기내에, 산소가스와불화유황가스를포함한에칭가스를정해진유량으로공급하고, 공급한상기에칭가스로부터생성된플라즈마에의해, 상기레지스트층을마스크로하여상기실리콘층을에칭하는플라즈마에칭방법으로서, 불화유황가스에대한산소가스량의유량비를제1 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제1 단계와, 상기유량비가상기제1 유량비로부터상기제1 유량비보다작은제2 유량비가되도록, 산소가스의유량을감소시키면서상기실리콘층을에칭하는제2 단계와, 상기유량비를상기제2 유량비로한 상태에서, 상기실리콘층을에칭하는제3 단계를포함하는플라즈마에칭방법을제공하는것을목적으로한다.

公开(公告)号：KR101884510B1

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：KR1020160010450

申请日：2016-01-28

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 다카하시,노부히로 ,  마츠모토,마사시 ,  하기와라,아야노 ,  다케야,고지 ,  마츠나가,준이치로

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

摘要： 본발명의과제는, SiGe 및 Si이공존하는피처리기판에있어서, Si에대한 SiGe의선택적에칭및 SiGe에대한 Si의선택적에칭을동일한가스계를사용하여동일한장치로행할수 있는에칭방법을제공하는것이다. 실리콘과실리콘게르마늄을갖는피처리기판을챔버내에배치하고, 에칭가스의가스계를 F가스및 NH가스로하고, F가스와 NH가스의비율을변화시킴으로써, 실리콘에대한실리콘게르마늄의선택적에칭과, 실리콘게르마늄에대한실리콘의선택적에칭을행한다.

公开(公告)号：KR101882531B1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：KR1020137004141

申请日：2011-08-02

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 우가진하지메 ,  도자와시게키

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

摘要： 본발명은화학적제거처리에의해서 Si계막을효과적으로제거한다. 처리실(21)내에수납한기판표면의 Si계막을제거하는기판처리방법은, 처리실(21)내에서, 할로겐원소를포함하는가스와염기성가스에의해, 기판표면의 Si계막을반응생성물로변질시키는제 1 공정 S1과, 상기처리실(21)내를제 1 공정 S1보다감압하여, 상기반응생성물을기화시키는제 2 공정 S2을 2회이상반복하는것을포함한다. 이것에의해, Si계막의제거레이트가높아지고, 생산성이향상한다.

公开(公告)号：KR1020180073753A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020160176639

申请日：2016-12-22

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  주식회사 에스에프에이

发明人： 조철래 ,  홍경호 ,  김태헌 ,  백진원 ,  최성원 ,  이석희 ,  성주환 ,  최교원 ,  김종경

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L51/0017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68735 ,  H01L51/56

摘要： 하향식기판에칭장치가개시된다. 본발명에따른하향식기판에칭장치는, 기판에대한에칭공정이수행되는진공챔버의내부에배치되며진공챔버의내부로로딩된기판을어태치(attach)하는척킹모듈을구비하는스테이지유닛과, 스테이지유닛에지지되며척킹모듈을플립(flip)하는플립유닛과, 척킹모듈에지지되며기판의가장자리영역을클램핑하는클램핑유닛과, 척킹모듈에지지되며척킹모듈의플립과정에서기판의중앙영역을지지하는중앙영역지지유닛을포함한다.

公开(公告)号：KR101872909B1

公开(公告)日：2018-07-02

申请号：KR1020180037986

申请日：2018-04-02

申请人： 주식회사 지.티.아이

发明人： 이창규

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32532 ,  H01L21/67069

摘要： 본발명은플라즈마에칭용실리콘전극고정플레이트에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마에칭에사용되는실리콘전극을부착하기위한고정플레이트를플라즈마에칭장치에설치함에있어, 제작공차에의한결합성및 안정성저하를방지할수 있도록하여, 플라즈마에칭장치를효율적으로운용할수 있도록한 것이다. 특히, 본발명은고정플레이트의결합성을향상시키기위하여, 고정플레이트를볼트체결하기위해형성한결합홀에보강코일을구성함으로써, 고정플레이트를쉽게설치할수 있도록함은물론, 장기간사용시에도결합상태를견고하고안정적으로유지할수 있다. 따라서, 반도체제조분야, 건식식각분야, 특히플라즈마를이용한에칭장치분야, 실리콘전극을부착하기위한고정플레이트및 이의제조분야는물론, 이와유사내지연관된분야에서신뢰성및 경쟁력을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR20180071394A

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：KR20187016826

申请日：2016-11-15

申请人： TOKYO ELECTRON LTD

发明人： NAKAMURA SATORU ,  KO AKITERU

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 통합목적에부합하도록에칭가스혼합물을이용하여기판에서플라즈마에칭하는방법이제공되고, 이방법은구조패턴층, 중성층 및하부층을가진기판을배치하는단계 - 상기구조패턴층은제1 물질과제2 물질을포함하고상기하부층은실리콘반사방지(SiARC) 층, 스핀온탄소하드마스크(CHM) 층, 산화물층 및목표층을포함한것임 -와; 제1 에칭가스혼합물을이용하여상기제2 물질과상기중성층을선택적으로제거하여제1 패턴을형성하는제1 에칭공정을수행하는단계와; 상기 SiARC 층을선택적으로제거하여제2 패턴을형성하는제2 에칭공정을수행하는단계와; 상기 CHM 층을선택적으로제거하여제3 패턴을형성하는제3 에칭공정을수행하는단계와; 선택된 2개이상의동작변수를동시에제어하는단계를포함하고, 여기에서상기제1 에칭가스혼합물은산소및 유황함유가스를포함한다.