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    플라즈마 에칭 프로세스를 위한 급속하고 균일한 가스 스위칭
    2.
    发明授权
    플라즈마 에칭 프로세스를 위한 급속하고 균일한 가스 스위칭 有权
    用于等离子刻蚀工艺的快速和均匀气体切换

    公开(公告)号：KR101841315B1

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：KR1020137011452

    申请日：2011-10-31

    申请人： 램 리써치 코포레이션

    发明人： 파나고풀로스테오

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/30655 ,  C23C16/045 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449

    摘要： 유도결합플라즈마프로세싱장치는프로세싱챔버, 기판지지체, 유전체윈도우, 플라즈마를발생시키고유지하도록동작가능한안테나, 및유전체윈도우에인접한유전체재료의샤워헤드플레이트를포함한다. 샤워헤드플레이트는, 유전체윈도우아래의플리넘과유체로연통하는가스홀들을포함하고, 이플리넘은 500 ㎤이하의가스볼륨을갖는다. 가스홀들은샤워헤드플레이트의플라즈마노출면과플리넘사이에서연장되고, 이가스홀들은적어도 2 의종횡비를갖는다. 가스전달시스템은반도체기판이기판지지체상에지지되는동안에칭가스와성막가스를샤워헤드플레이트를통해프로세싱챔버내에공급하도록동작가능하다. 이플라즈마프로세싱장치는플리넘내의에칭가스를성막가스로그리고그 반대로약 200 밀리초이내에급속하게대체시킬수 있다. 이플라즈마프로세싱장치는반도체기판상의실리콘을 10 ㎛/분이상의속도로에칭하도록동작가능하다.

    摘要翻译： 感应耦合等离子体处理设备包括处理腔室，基板支架，电介质窗口，可操作以产生和维持等离子体的天线以及与电介质窗口相邻的电介质材料的喷头板。 喷头板包括与电介质窗口下方的充气室流体连通的气孔，并且入口具有500cm 3或更小的气体体积。 气孔在喷头板的等离子体暴露表面和充气室之间延伸，并且气孔的纵横比至少为2。 当半导体衬底支撑在衬底支撑件上时，气体输送系统可操作以通过喷头板将蚀刻气体和沉积气体供应到处理室中。 该等离子体处理装置可以在大约200毫秒内迅速地将充气室中的蚀刻气体替换成沉积气体，反之亦然。 等离子体处理设备可操作以至少10μm/ min的速率蚀刻半导体衬底上的硅。

    피에칭층을 에칭하는 방법
    3.
    发明公开
    피에칭층을 에칭하는 방법 审中-实审
    蚀刻蚀刻层的方法

    公开(公告)号：KR1020170141666A

    公开(公告)日：2017-12-26

    申请号：KR1020177029518

    申请日：2016-04-06

    申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    发明人： 마루야마고지 ,  고시이시아키라 ,  하가고시오 ,  호리구치마사토 ,  가토마코토

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46

    CPC分类号： H01L21/30655 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

    摘要： 일실시형태의방법에서는, 흡착공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하지않고, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는라디칼을흡착시킨다. 계속되는에칭공정에서, 하부전극에고주파바이어스를부여하여, 피에칭층에, 처리가스로부터생성되는이온을끌어들인다. 흡착공정과에칭공정은교대로반복된다. 흡착공정에서는, 라디칼의밀도가이온의밀도의 200배이상이다. 에칭공정에서는, 0.07W/cm이하의파워밀도의 RF의에너지가하부전극에공급되거나, 0.14W/cm이하의파워밀도의고주파바이어스가 0.5초이하의기간, 하부전극에공급된다.

    摘要翻译： 在一个实施例的方法中，在吸附步骤中，由工艺气体产生的自由基吸附在蚀刻层上，而不向下电极施加高频偏压。 在随后的蚀刻步骤中，通过施加高频偏压到下电极，它吸引在蚀刻层中的离子，从过程气体中产生的。 吸附过程和蚀刻过程交替重复。 在吸附过程中，自由基的密度是离子密度的200倍或更多。 在蚀刻过程中，0.07W /或小于供应到下电极厘米的RF功率密度的能量，的0.14W / cm或更小的高频偏置功率密度被提供给期间，小于0.5秒的底部电极。

    패터닝된 층의 주기적 에칭을 위한 방법
    6.
    发明公开
    패터닝된 층의 주기적 에칭을 위한 방법 审中-实审
    定期蚀刻图案层的方法

    公开(公告)号：KR1020170098721A

    公开(公告)日：2017-08-30

    申请号：KR1020170023530

    申请日：2017-02-22

    申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    发明人： 란잔알록 ,  라스토기비나야크

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

    摘要： 패터닝된층의주기적에칭을위한방법들및 시스템들이설명된다. 실시예에서, 방법은기저층, 기저층과마스크층 사이에배치되는중간층의일부를노출시키는마스크층을포함하는기판을수용하는단계를포함한다. 실시예는또한, 마스크층 상에제 1 층을, 그리고중간층의노출된일부상에제 2 층을형성하는단계 - 제 1 층및 제 2 층은동시에형성됨 - 를포함할수 있다. 추가적으로, 방법은기판으로부터제 1 층및 제 2 층을동시에제거하는단계를포함할수 있다. 그러한실시예들에서, 방법은기저층의일부가노출될때까지형성단계와제거단계사이를교호하는단계를포함할수 있다.

    摘要翻译： 描述了用于图案化层的周期性蚀刻的方法和系统。 在一个实施例中，该方法包括接收衬底，该衬底包括基底层，暴露设置在基底层和掩模层之间的中间层的一部分的掩模层。 实施例还可以包括在掩模层上形成第一层以及在中间层的暴露部分上形成第二层，其中第一和第二层同时形成。 另外，该方法可以包括从衬底同时去除第一层和第二层。 在这样的实施例中，该方法可以包括在形成和去除步骤之间交替，直到基层的一部分被暴露。

    저 거칠기 EUV 리소그래피
    7.
    发明公开
    저 거칠기 EUV 리소그래피 审中-实审
    EUV低粗糙度EUV光刻

    公开(公告)号：KR1020170000361A

    公开(公告)日：2017-01-02

    申请号：KR1020160078587

    申请日：2016-06-23

    申请人： 램 리써치 코포레이션

    发明人： 와이즈리처드 ,  샴마나더

    IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  G03F1/80 ,  G03F1/44 ,  G03F7/34

    CPC分类号： H01L21/30655 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137

    摘要： EUV (extreme ultraviolet) 리소그래피를사용하여패터닝된피처들의에지들을평활화하기 (smooth) 위한방법들및 관련된장치가본 명세서에제공된다. 일부실시예들에서, 돌출부들을노출된상태로둔 피처의틈들에우선적으로모이는패시베이션층을증착하고그리고노출된돌출부들을제거하도록피처를에칭하여, 피처를평활화하는적어도일 사이클이수행된다. 패시베이션재료는돌출부들내보다틈들내에서보다높은볼륨에대한표면의비에기인하여틈들내에우선적으로모일수도있다. 일부실시예들에서, LCDU (local critical dimension uniformity), 콘택트홀들내의거칠기의측정치가감소된다. 일부실시예들에서, 포토레지스트내에형성된, 상이한 CD들을가진복수의홀들내에박층을증착하는적어도일 사이클이수행되고, 박층은보다큰 CD 홀들내에우선적으로증착되고, 홀들의하단부들에서박층을제거하도록박층을이방성으로제거한다.

    摘要翻译： 本文提供了使用极紫外（EUV）光刻来图案化的特征的边缘平滑的方法和相关装置。 在一些实施例中，执行沉积钝化层的至少一个循环，该钝化层优先收集在特征的缝隙中，留下暴露的突起，并且蚀刻特征以去除暴露的突起，从而使特征平滑。 钝化材料由于缝隙中的表面与体积比高于突起而优先收集在缝隙中。 在一些实施例中，减小了局部临界尺寸均匀性（LCDU），即接触孔中粗糙度的测量。 在一些实施例中，在光致抗蚀剂中形成的多个孔中沉积薄层的至少一个循环，所述孔具有不同的CD，其中薄层优先沉积在较大的CD孔中，并各向异性地去除薄层以将其去除 执行孔的底部。

    반도체 장치 및 그 형성 방법
    10.
    发明公开
    반도체 장치 및 그 형성 방법 有权
    半导体布置及其形成

    公开(公告)号：KR1020160076512A

    公开(公告)日：2016-06-30

    申请号：KR1020160077336

    申请日：2016-06-21

    申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

    发明人： 첸후안-넹 ,  진준-데 ,  첸수오-마오 ,  조우,체운-푸

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5227 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L2924/00

    摘要： 반도체장치및 그형성방법이제공된다. 반도체장치는제1 전송라인을둘러싸는제1 유전체층과, 제1 유전체층을둘러싸는자성층을포함한다. 자성층은전송라인의인덕턱스를상승시킨다. 제1 전송라인을둘러싸는자성층을구비한반도체장치는, 자성층을구비하지않는반도체장치와비교해, 레지스턴스의상승없이도임피던스를증가시켜전류가전송라인을통과하는것을조장한다. 레지스턴스가상승하면전류나전력의증가를필요로하여, 레지스턴스의상승없는반도체장치에비해반도체장치의수명이단축된다.

    摘要翻译： 提供半导体器件及其形成方法。 半导体器件包括封装第一传输线的第一介电层和包围第一介电层的磁性层。 磁性层增加传输线的电感。 与没有磁性层的半导体器件相比，具有包围第一传输线的磁性层的半导体器件增加了阻抗，而不增加电阻以促进电流通过传输线。 当电阻增加时，需要增加电流或功率，从而与半导体相比，半导体器件的寿命相对于电阻不增加而降低。