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    마그네트론 스퍼터링 장치
    4.
    发明公开
    마그네트론 스퍼터링 장치 有权
    MAGNETRON SPUTTERING APPARTUS

    公开(公告)号：KR1020090127948A

    公开(公告)日：2009-12-14

    申请号：KR1020097022976

    申请日：2008-04-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

    Inventor： 오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키

    IPC: C23C14/35

    CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455

    Abstract: A magnetron sputtering apparatus enabling an increase of the film-forming rate by increasing the instantaneous plasma density over a target. The magnetron sputtering apparatus comprises a substrate to be processed, a target opposed to a substrate to be processed and a rotary magnet disposed on the opposite side of the target to the substrate to be processed. Over the surface of the target, plasma loops are formed. The plasma loops are formed along the axis of the rotary magnet, moved, and made extinct when the rotary magnet rotates.

    Abstract translation: 一种磁控溅射装置，其能够通过增加目标上的瞬时等离子体密度来提高成膜速率。 磁控管溅射装置包括待加工的基板，与要加工的基板相对的靶，以及设置在待加工基板上的靶的相反侧的旋转磁体。 在靶的表面上形成等离子体环。 等离子体回路沿着旋转磁体的轴线形成，当旋转磁体旋转时移动并消失。

    샤워 플레이트의 제조 방법, 샤워 플레이트 및 플라즈마 처리 장치
    5.
    发明授权
    샤워 플레이트의 제조 방법, 샤워 플레이트 및 플라즈마 처리 장치 失效
    制造淋浴板的方法，使用该方法制造的淋浴板和包括淋浴板的等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR101066173B1

    公开(公告)日：2011-09-20

    申请号：KR1020090020764

    申请日：2009-03-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

    Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  이시바시키요타카

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/3244

    Abstract: (과제) 플라즈마의 역류를 방지하고, 플라즈마 여기(excitation)용 가스를 균일하고 안정되게 공급하는 것이 가능하고, 사용시에 부품이 탈락하는 일이 없는 샤워 플레이트의 제조 방법을 제공한다.
    (해결 수단) 가스 유통 방향으로 연통(communicate)한 기공을 갖는 다공질이며, 기둥 형상인 가스 유통체(11)를 형성한다. 기체를 통과시키지 않는 소재로, 가스 유통체(11)의 측면에 접하도록 덮는 통 형상의 치밀 부재(12)를 형성한다. 치밀 부재(12)의 중공(hollow) 부분에 가스 유통체(11)를 끼워넣어 포러스 피스(porous piece)체(13)를 형성하고, 제1 온도에서 소성을 행한다. 천판(天板; 9)에 오목부(10)를 형성하고, 일단을 오목부(10)와 연통한 천판(9)을 관통하는 가스 유로를 형성한다. 오목부(10)에, 포러스 피스체(13)를 끼워넣고, 제1 온도와 동등(同等) 이하의 온도에서 일체 소성하여, 샤워 플레이트(3)를 형성한다.
    샤워 플레이트, 일체 소성, 가스 유통체

    샤워 플레이트, 그의 제조 방법, 그 샤워 플레이트를 이용한 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 전자 장치의 제조 방법
    8.
    发明公开
    샤워 플레이트, 그의 제조 방법, 그 샤워 플레이트를 이용한 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 전자 장치의 제조 방법 有权
    与气体释放孔部件一体烧结的淋浴板及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090058004A

    公开(公告)日：2009-06-08

    申请号：KR1020097006561

    申请日：2007-09-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

    Inventor： 오케사쿠마사히로 ,  오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사 ,  이노쿠치아츠토시 ,  이시바시키요타카

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

    Abstract: This invention provides a shower plate comprising gas release hole members (ceramic member or porous gas flow body) bonded by sintering integrally without any space and disposed, for plasma back flow prevention purposes, within vertical holes in a shower plate. The above constitution is advantageous in that the gas release member does not come off from the vertical holes during use of the shower plate, there is no variation in the amount of gas released from each vertical hole, the back flow of plasma can be more fully prevented, and plasma excitation with high efficiency can be realized. A shower plate (105) is disposed in a treatment chamber (102) in a plasma treatment apparatus, and plasma excitation gas is released into a treatment chamber (102) for generating plasma. A ceramic member having a plurality of gas release holes having a diameter of 20 mum to 70 mum and/or a porous gas flow body having pores having a maximum diameter of not more than 75 mum in communication with each other in the gas flow direction are bonded by sintering integrally with the inside of each of a number of vertical holes (105) as a release path for plasma excitation gas.

    Abstract translation: 本发明提供了一种喷淋板，其包括气泡释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），其通过一体地烧结而没有任何空间并且设置用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。 上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的回流可以更完全 可以实现高效率的等离子体激发。 喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。 具有直径为20〜70μm的多个气体释放孔和/或具有在气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体的陶瓷构件是： 通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

    회전 마그넷 스퍼터 장치
    10.
    发明授权
    회전 마그넷 스퍼터 장치 有权
    旋转磁铁溅射装置

    公开(公告)号：KR101243661B1

    公开(公告)日：2013-03-14

    申请号：KR1020107019392

    申请日：2009-03-02

    Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키

    IPC: C23C14/34 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

    Abstract: 플라즈마 차폐 부재와 그라운드에 접속된 외벽을 구비하고, 플라즈마 차폐 부재와 외벽 간에, 직렬 공진 회로 및, 병렬 공진 회로를 갖는 회전 마그넷 스퍼터 장치가 얻어진다. 직렬 공진 회로는 공진 주파수에 있어서만 매우 낮은 임피던스를 갖고, 병렬 공진 회로는 공진 주파수에 있어서만 매우 높은 임피던스를 갖는다. 이러한 구조로 함으로써, 기판 RF 전력과 플라즈마 차폐 부재와의 사이의 임피던스가 매우 높아져, 피(被)처리 기판(10)과 플라즈마 차폐 부재와의 사이에서의 플라즈마 발생을 억제할 수 있다. 또한, 타깃과 그라운드와의 사이는, 직렬 공진 회로가 형성되어 있기 때문에, 피처리 기판이 타깃의 아래를 통과하는 영역에만 효율 좋게 RF 전력이 공급되어, 셀프 바이어스 전압이 발생한다.

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