公开(公告)号：KR101881470B1

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：KR1020137022207

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C14/165 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01L51/5253

Abstract: 처리용기내에수용된기판상에실리콘질화막을성막하는실리콘질화막의성막방법으로서, 상기처리용기내로실란계가스, 질소가스및 수소가스를포함하는처리가스를공급하고, 상기처리가스를여기시켜플라즈마를생성하고, 상기플라즈마에의한플라즈마처리를행하여기판상에실리콘질화막을성막한다. 상기실리콘질화막은유기전자디바이스의밀봉막으로서이용된다. 상기플라즈마에의한플라즈마처리중, 상기처리용기내의압력을 20 Pa ~ 60 Pa로유지한다.

公开(公告)号：KR101862727B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020127015107

申请日：2010-11-05

Applicant: 뮤게 게엠베하

Inventor： 뮈게,호르스트 ,  바움게르트너,클라우스-마틴 ,  카이저,마티아스 ,  알버츠,루카스

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01J37/32211 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192

Abstract: 본발명은기판을코팅하는 CVD 용마이크로파를사용하여플라즈마를생성하는장치로서, 진공용기(2) 및전기전도체(3)를포함하고, 상기진공용기안으로반응가스가공급되고, 상기전기전도체는진공용기안에배치되고마이크로파결합장치(6)와연결되어있는, 플라즈마생성장치로서, 상기전기전도체(3)의양 단부는각각마이크로파결합장치(6)와연결되어있고, 상기전기전도체(3)는전압원(7)과연결되어있고, 상기전압원을사용하여상기전기전도체(3)와주변진공용기(2) 사이에서전위차가생성될수 있고, 상기전기전도체(3)는마이크로파생성장치(6)에결합된상기장치와절연되어있는플라즈마생성장치에관한것이다. 상기전기전도체(3)는막대형태또는굴곡진형태이다. 상기전기전도체(3)는피드스루필터를통해서상기전압원(7)에연결되어있다. 마이크로파생성장치(6)에결합된상기장치는상기전기전도체(3)를따라서깔때기형상과같이넓어지고유전물질(11)로부분적으로또는완전히채워져있다. 마이크로파생성장치(6)에결합된상기장치는상기전기전도체주변을따라서홈이난 오목부를가진다.

公开(公告)号：KR101851436B1

公开(公告)日：2018-04-23

申请号：KR1020150176074

申请日：2015-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다,다로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45563 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 처리용기내에가스를도입하는샤워플레이트를갖고, 마이크로파에의해표면파플라즈마를발생시키는플라즈마처리장치에있어서, 샤워플레이트의가스구멍에성막하는것을억제하면서효율적으로플라즈마를발생시킨다. 플라즈마처리가행해지는처리용기(10)와, 처리용기(10) 내로가스를공급하는샤워플레이트(100)를구비한플라즈마처리장치는, 샤워플레이트(100)의하단면으로부터하방으로돌출되는수하부재(101)를갖고있다. 수하부재(101)의외측면은, 상단부로부터하단부를향해서외측으로퍼지고, 샤워플레이트(100)는, 처리용기(10) 내에제1 가스를공급하는복수의제1 공급구(133)와제2 가스를공급하는복수의제2 공급구(151)를구비하고, 제1 가스공급구(133)는, 수하부재(101)의외측면보다내측에배치되고, 제2 가스공급구(151)는, 수하부재의외측면보다외측에배치되어있다.

公开(公告)号：KR1020170141721A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020177032984

申请日：2016-04-18

Applicant: 투-식스 인코포레이티드

Inventor： 슈웬-칭 ,  리우차오 ,  아이슬러엘진이. ,  바바로사지오바니 ,  태너찰스디. ,  앤더슨토마스이.

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/01 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 다이아몬드필름, 기판또는창의형성방법에서는, 실리콘기판이제공되고, 다이아몬드필름, 기판또는창이실리콘기판의표면상에서 CVD 성장된다. 성장된다이아몬드필름, 기판또는창의종횡비는≥ 100이며, 여기서종횡비는다이아몬드필름, 기판또는창의최대치수를다이아몬드필름의두께로나눈비이다. 실리콘기판은성장된다이아몬드필름, 기판또는창으로부터임의로제거되거나분리될수 있다.

Abstract translation: 金刚石膜，衬底或窗口形成方法的，提供了一种硅衬底，金刚石膜，衬底或窗口硅衬底的表面上的CVD生长。 金刚石薄膜，衬底，或窗口增长的长宽比≥100，其中纵横比是金刚石膜，基材，或最大尺寸由窗口膜的金刚石的厚度所得的比值。 硅衬底可以可选地从生长的金刚石膜，衬底或窗口中移除或分离。

公开(公告)号：KR1020170100519A

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020177017003

申请日：2015-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오도시히코 ,  가와카미사토루

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

Abstract: 플라즈마처리장치는, 플라즈마처리공간을구획하는처리용기와, 처리용기의내부에마련되어, 피처리기판을유지하는유지부와, 플라즈마처리공간에가스를공급하는가스공급부와, 플라즈마처리공간에공급된가스의플라즈마를생성하기위한마이크로파를플라즈마처리공간에방사하는안테나와, 안테나에마이크로파를공급하는동축도파관과, 동축도파관에삽입되며, 삽입량에따라, 안테나로부터방사되는마이크로파의분포를조정하는복수의스터브와, 안테나로부터방사되는마이크로파에의해플라즈마처리공간에서생성되는플라즈마의밀도, 또는그 플라즈마의밀도와상관성을갖는파라미터를피처리기판의둘레방향을따라측정하는측정부와, 플라즈마의밀도또는파라미터에기초하여, 마이크로파의분포의조정에이용되는복수의스터브의삽입량을개별로제어하는제어부를구비하였다.

Abstract translation: 的等离子体处理装置设置有一个处理容器限定的等离子体处理空间中，在所述处理容器的内部设置，供给保持部，并与一个气体供应到等离子体处理空间中，等离子体处理空间供应气体，用于保持所述目标基板 被插入到一个微波用于在所述天线和同轴波导管和供给的微波的天线用于发射的等离子体处理空间中的同轴波导管的气体的等离子体，根据所插入的量，来调节微波的分布多个从天线辐射 短截线，并且在通过从所述天线辐射的微波，或与具有密度和等离子体的密度之间的相关性参数测量所述基板的圆周方向上的测量单元的等离子体，或等离子体处理空间中生成的等离子体的密度的 基于这些参数，分别控制用于调整微波分布的多个短截线的插入量 它提供了一个渔夫。

公开(公告)号：KR1020170076571A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020160173470

申请日：2016-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와,히로아키 ,  와다,히로유키 ,  히시야,가츠유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 세미뱃치식이며, 면내균일성이양호한박막을성막하는것이가능한성막장치를제공한다. 진공용기(11) 내에서기판(W)에대하여박막의성막을행하는성막장치에있어서, 회전테이블(2)은기판적재영역(21)을공전중심둘레로공전시키고, 제1 가스공급부는, 기판적재영역(21)이통과하는공전면을상기공전의방향과교차하는방향으로구획해서이루어지는제1 영역(R1)에토출부(330)로부터박막의원료가스를공급한다. 제3 가스공급부는, 기판적재영역(21)의공전방향과교차하는방향으로신장되고, 제1 영역(R1)의외측에형성된제2 영역(R2)을사이에두어간격을두고배치됨과함께, 각각, 반응가스를제2 영역(R2)측을향해서토출하기위한가스토출구멍(701)이형성되고, 서로이루는각도가 180도미만으로설정된 2개의가스인젝터(7)를구비한다. 플라즈마형성부(6)는, 제2 영역(R2)을향해서토출된반응가스를플라즈마화한다.

Abstract translation: 一种能够形成半批式薄膜并具有良好的面内均匀性的成膜装置。 一种用于在真空室（11）中的衬底（W）上执行薄膜临时膜的成膜装置，其中，所述转台（2）围绕枢转中心旋转所述衬底安装区域（21） 将薄膜原料气体供给到通过沿与旋转方向相交的方向分割区域（21）的共面表面而形成的第一区域（R1）。 第三气体供应单元，并且在一个方向交叉的衬底安装区域21生物医学向前延伸，第一区域（R1）eulsa第二形成在意外侧与一对夫妇距离与设置，分别向其中区域（R2）， 用于将反应气体向第二区域R2侧排出的排气孔701以及两个各具有180度角的气体喷射器7。 等离子体形成部分6将朝第二区域R2排放的反应气体进行等离子体化。

公开(公告)号：KR1020160091326A

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：KR1020167013172

申请日：2014-11-17

Applicant: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 ,  타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤

Inventor： 무라카미,쇼이치 ,  하타시타,마사야스 ,  타카,히로시 ,  야마와키,마사야

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/321 ,  C09D4/00

CPC classification number: C01B21/068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3211

Abstract: 유기실란을원료로하고, 플라스마 CVD법에의해형성되는질화실리콘막의실리콘원자와질소원자함유량에대한탄소원자및/또는수소원자함유량비를경감할수 있고, 전기특성등의막의질 향상을도모하는것이가능한방법을제공한다. 본발명의하나의질화실리콘막은플라즈마 CVD법을사용하며유기실란과함께수소및 암모니아의군에서부터선택되는적어도 1종의첨가가스를플라스마화함으로써형성한다. 이질화실리콘막중에있어서의실리콘원자함유량과질소원자함유량을합친것을 1로하였을때의탄소원자함유량비는 0.8 미만이다. 또, 이질화실리콘막 중에있어서의실리콘원자함유량과질소원자함유량을합치것을 1로하였을때의수소원자함유량비는 0.9 미만이다. 상기질화실리콘막에의하면, 리크전류의저감등의특성을개선되기때문에, 상기질화실리콘막을구비한각종디바이스의신뢰성향상을실현할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种能够通过使用有机硅烷作为材料通过等离子体CVD法形成的氮化硅膜中相对于硅原子和氮原子的含量降低碳原子含量比和/或氢原子含量比的方法，以及 提高电影质量如电性能。 根据本发明的氮化硅膜通过等离子体CVD法形成有机硅烷和至少一种选自氢和氨的添加剂的等离子体而形成。 假设氮化硅膜中硅原子含量和氮原子含量之和为1，则氮化硅膜的碳原子含有率小于0.8。氮化硅膜的氢原子含量比小于0.9 假设硅氮化物膜中的硅原子含量和氮原子含量之和为1.氮化硅膜具有改善的漏电流性能，从而提高包括氮化硅膜在内的各种器件的可靠性。

公开(公告)号：KR1020160066340A

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：KR1020140170590

申请日：2014-12-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수호 ,  박성규 ,  박종록 ,  최진혁 ,  한문형 ,  한상철

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32633 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

Abstract: 챔버, 상기챔버의상부에위치하는플라즈마생성부, 상기챔버의중간에위치하고기판을지지하는서셉터, 상기플라즈마생성부에서생성된플라즈마를통과시켜상기서셉터로공급하는가스분배플레이트, 및상기챔버의하부에위치하여상기서셉터를회전시키는회전부를포함하는기판처리장치가설명된다.

Abstract translation: 提供了均匀地处理基板的基板处理装置。 基板处理装置包括：室; 位于所述室的上部的等离子体产生单元; 位于室的中间并支撑衬底的感受器; 在等离子体产生单元中产生等离子体的气体分配板，并将其供给到基座; 以及位于所述室的下部以旋转所述基座的旋转单元。

公开(公告)号：KR1020160049110A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：KR1020140145102

申请日：2014-10-24

Applicant: 한국광기술원

Inventor： 장영준 ,  최주현 ,  김정호 ,  김혜정

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/27 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

Abstract: 본발명은플라즈마화학기상증착기를이용하여증착대상체의표면에초발수박막을형성하는방법에관한것으로서, 플라즈마화학기상증착기의챔버내에증착대상체를장착하고, 챔버내에공급가스로서아르곤(Ar), 메탄(CH), 테트라메틸실란(Si(CH))을공급하고마이크로웨이브를챔버내부에인가하고, 챔버내부의압력을설정된압력범위로유지하면서, 증착대상체에초발수막을형성한다. 이러한초발수막형성방법에의하면, 초발수성을갖는초발수막을유리렌즈성형용몰드에형성할수 있어렌즈의성형성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体化学气相沉积设备在沉积物上涂覆超疏水膜的方法，包括以下步骤：将沉积物体安装在等离子体化学气相沉积设备的腔室中，供应包含氩气的气体 （Ar），甲烷（CH_4）和四甲基硅烷（Si（CH 3）4）），并将微波施加到室中; 以及在所述沉积物体上形成超疏水膜，同时将所述室内的压力保持在预定压力范围内。 根据本发明，通过形成用于玻璃透镜成型模具的超疏水膜，涂布超疏水膜的方法提高了透镜的成形性。

公开(公告)号：KR1020150105404A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：KR1020157021210

申请日：2014-01-10

Applicant: 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지

Inventor： 보이드,데이비드에이. ,  예,나이-창

IPC: C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355

Abstract: 그라펜을 형성시키는 방법은 기판을 프로세싱 챔버에 배치하고, 수소 및 질소를 포함하는 세정 가스를 프로세싱 챔버에 도입하는 것을 포함한다. 이 방법은 또한 탄소 공급원을 프로세싱 챔버에 도입하고, 마이크로파 플라즈마를 프로세싱 챔버에서 개시시키는 것을 포함한다. 이 방법은 기판을 소정 시간 동안 세정 가스 및 탄소 공급원의 흐름으로 처리하여 그라펜을 형성시키는 것을 추가로 포함한다.