公开(公告)号：KR1020070095211A

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020070026433

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시요시유끼 ,  무라까미다까히로 ,  하라다요시오 ,  다께우찌쥰이찌 ,  야마사끼료오 ,  고바야시게이고

IPC: C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

Abstract: A ceramic coating member used as a member or a part disposed in a semiconductor processing container to perform a plasma etching process in a corrosive gas atmosphere, and a member which has an excellent durability to plasma erosion in a corrosive gas atmosphere, can suppress the formation of contaminants(particles) and lessens a load for maintaining an apparatus are provided. A ceramic coating member for a semiconductor processing apparatus comprises: a substrate; a porous layer coated on a surface of the substrate and formed of an oxide of an element in Group IIIa of the periodic table of the elements; and a secondary recrystallized layer of the oxide formed on the porous layer. The ceramic coating member comprises an undercoat is disposed between the substrate and the porous layer. The substrate is (1) aluminum and an alloy thereof, titanium and an alloy thereof, stainless steel and other special steels, Ni-based alloy, and other metals and alloys thereof, (2) a ceramic of quartz, glass or an oxide or a carbide, a boride, a silicide, a nitride or a mixture thereof, (3) a cermet of the ceramic and the metal or alloy, (4) plastics, and (5) a metal plating(electroplating, fusion plating, chemical plating) or a metal deposition film formed on surfaces of the materials (1) to (4). The porous layer is an oxide layer of Sc, Y or a lanthanide of atom number 57 to 71(La, Ce, Pr, Nb, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu).

Abstract translation: 用作部件的陶瓷涂层构件或设置在半导体处理容器中以在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻工艺的部件以及在腐蚀性气体气氛中对等离子体侵蚀具有优异耐久性的部件可以抑制形成 的污染物（颗粒）并且减轻用于维持设备的负载。 一种用于半导体处理装置的陶瓷涂层构件包括：基板; 由该元件的周期表第IIIa族元素的氧化物形成在该表面上的多孔层， 和形成在多孔层上的氧化物的二次再结晶层。 陶瓷涂层构件包括在基底和多孔层之间设置底涂层。 基材是（1）铝及其合金，钛及其合金，不锈钢等特殊钢，镍基合金等金属及其合金，（2）石英，玻璃或氧化物的陶瓷， 碳化物，硼化物，硅化物，氮化物或其混合物，（3）陶瓷的金属陶瓷和金属或合金，（4）塑料，（5）金属电镀（电镀，电镀，化学镀 ）或形成在材料（1）至（4）的表面上的金属沉积膜。 多孔层是原子数为57〜71（La，Ce，Pr，Nb，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu）的Sc，Y或镧系元素的氧化物层 ）。

公开(公告)号：KR100939403B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020070026433

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시요시유끼 ,  무라까미다까히로 ,  하라다요시오 ,  다께우찌쥰이찌 ,  야마사끼료오 ,  고바야시게이고

IPC: C23C28/00

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

Abstract: 본 발명은 강한 부식성 환경 하에서 플라즈마 에칭 가공이 행해지는 반도체 가공용 장치 등의 용기 내 배치 부재의 내구성의 향상을 도모하는 것이다.
금속제 또는 비금속제 기재의 표면에 직접 또는 하부 코트층을 거쳐서, 주기율표 IIIa족 산화물의 용사 피막으로 이루어지는 다공질층을 갖고, 그 층 상에는 전자 빔 고에너지를 조사 처리에 의해 형성되는 2차 재결정층이 형성되어 이루어지는 세라믹 피복 부재이다.
기재, 다공질층, 입자계면, 관통 기공, 하부 코트, 2차 재결정층

公开(公告)号：KR1020090035676A

公开(公告)日：2009-04-10

申请号：KR1020090024410

申请日：2009-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도카로 가부시키가이샤

Inventor： 고바야시요시유끼 ,  무라까미다까히로 ,  하라다요시오 ,  다께우찌쥰이찌 ,  야마사끼료오 ,  고바야시게이고

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C28/042 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C26/00

Abstract: A ceramics coated member for a semiconductor processing device is provided to suppress the generation of contaminant and to improve the durability. A ceramics coated member for a semiconductor processing device comprises: a substrate; and a porous layer consisting of the oxide of the IIIa group element of the periodic table coated onto the surface of the materials. A base coat is formed between the materials and the porous layer. The porous layer is made of sc or Y. The porous layer has the layer thickness of about 50~2000mum. The porosity layer is made of the sprayed coating which is about 5 through 20%.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体处理装置的陶瓷涂覆部件，以抑制污染物的产生并提高耐久性。 一种用于半导体处理装置的陶瓷涂覆部件，包括：基板; 以及由周期表的IIIa族元素的氧化物涂覆在材料表面上的多孔层。 在材料和多孔层之间形成底涂层。 多孔层由sc或Y制成。多孔层的厚度约为50〜2000μm。 孔隙层由约5至20％的喷涂涂层制成。

公开(公告)号：KR1020070095210A

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020070026431

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시요시유끼

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C26/00 ,  C23C28/042 ,  H01J37/32495

Abstract: A plasma processing apparatus and its method is provided to improve the durability of a portion of a chamber or components disposed in the chamber which are exposed to a plasma atmosphere. A plasma processing apparatus includes a chamber(1) accommodating an object to be process with plasma of an etching gas, and a component disposed in the chamber. A portion of the chamber exposed to a plasma forming atmosphere or the component is provided with a composite layer consisting of a porous layer made of a metal oxide and a secondary recrystallized layer of the metal oxide formed on the porous layer. An undercoat layer made from a metal-alloy, ceramic or cermet is formed under the porous layer.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置及其方法，以提高暴露于等离子体气氛中的室内部分的耐久性。 等离子体处理装置包括：容纳要处理的物体的等离子体的蚀刻气体的室（1）和设置在该室中的部件。 暴露于等离子体形成气氛中的部分部分或部件设置有由金属氧化物制成的多孔层和形成在多孔层上的金属氧化物的二次再结晶层组成的复合层。 由多孔层形成由金属合金，陶瓷或金属陶瓷制成的底涂层。

公开(公告)号：KR101327114B1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：KR1020080038475

申请日：2008-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  시케이디 가부시키가이샤

Inventor： 나가세끼가즈야 ,  고바야시요시유끼 ,  무라까미고오이찌 ,  노나까료오 ,  스도오요시히사 ,  이따후지히로시 ,  고꾸보노리오

IPC: G05D23/02

CPC classification number: G05D23/19

Abstract: 피제어 대상의 근방에 배치되는 온도 조절부(11)에 유체를 순환시킴으로써 피제어 대상의 온도를 원하는 온도로 제어하는 온도 제어 장치이며, 유체를 가열하여 온도 조절부(11)에 순환시키는 가열 통로(40)와, 유체를 냉각하여 온도 조절부(11)에 순환시키는 냉각 통로(20)와, 가열 통로(40) 및 냉각 통로(20)를 통과하지 않고, 유체를 온도 조절부(11)에 순환시키는 바이패스 통로(30)와, 가열 통로(40), 냉각 통로(20) 및 바이패스 통로(30)로부터, 이것들이 합류하는 합류부(12)를 통해 온도 조절부(11)로 출력되는 유체의 유량비를 조절하는 조절 수단(44, 24, 34)을 구비한다. 조절 수단(44, 24, 34)은, 가열 통로(40), 냉각 통로(20) 및 바이패스 통로(30)의 각각의 하류측이며 또한 합류부(12)의 상류측에 설치되어 이루어진다.
온도 제어 장치, 냉각 통로, 가열 통로, 바이패스 통로, 온도 조절 플레이트

公开(公告)号：KR1020080096426A

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：KR1020080038475

申请日：2008-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  시케이디 가부시키가이샤

Inventor： 나가세끼가즈야 ,  고바야시요시유끼 ,  무라까미고오이찌 ,  노나까료오 ,  스도오요시히사 ,  이따후지히로시 ,  고꾸보노리오

IPC: G05D23/02

CPC classification number: G05D23/19

Abstract: A temperature control device is provided to control a temperature of an object to a required temperature rapidly by including a bypass path to circulate a fluid in a temperature control unit without passing through a heating path and a cooling path. A heating path(40) heats a fluid and circulates the fluid in a temperature control unit. A cooling path(20) cools down the fluid and circulates the fluid in the temperature control unit. A bypass path(30) circulates the fluid in the temperature control unit without passing through the heating path and the cooling path. A control unit(24,34,44) controls a flow rate of the fluid outputted to the temperature control unit through a confluence unit where the fluids join from the heating path, the cooling path, and the bypass path.

Abstract translation: 提供了一种温度控制装置，用于通过包括旁通路径将物体的温度快速地控制到所需温度，以使温度控制单元中的流体循环而不通过加热路径和冷却路径。 加热路径（40）加热流体并使流体在温度控制单元中循环。 冷却路径（20）冷却流体并使温度控制单元中的流体循环。 旁路路径（30）使温度控制单元中的流体循环而不通过加热路径和冷却路径。 控制单元（24,34,44）通过汇流单元控制输出到温度控制单元的流体的流量，其中流体从加热路径，冷却路径和旁路路径连接。

公开(公告)号：KR100864331B1

公开(公告)日：2008-10-17

申请号：KR1020070026431

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시요시유끼

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C26/00 ,  C23C28/042 ,  H01J37/32495

Abstract: 부식성 가스 분위기 중에서 플라즈마 에칭 가공을 하기 위해 사용되는 챔버 내의 플라즈마 분위기에 노출되는 부위, 부재 및 부품의 내구성을 향상시키는 것, 및 부식성 가스 분위기 중에서의 부재 등의 표면에 형성한 피막의 내플라즈마 에로젼성을 향상시키는 것, 또한 높은 플라즈마 출력하에 있어서도 부식 생성물의 파티클의 발생을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 방법을 제안하고, 해결 수단으로서 챔버 내에 수용한 피처리체 표면을, 에칭 처리 가스 플라즈마에 의해 가공 플라즈마 처리 장치에 있어서, 이 챔버의 플라즈마 생성 분위기에 노출되는 부위, 이 챔버 내 배치 부재 또는 부품의 표면을, 적어도 금속 산화물로 이루어지는 다공질층과 그 다공질층 상에 형성된 상기 금속 산화물의 2차 재결정층에 의해 피복한다.
챔버, 플라즈마 처리 장치, 피처리체, 고주파 전원, 전극

Abstract translation: 为了改善暴露于等离子体气氛中在腐蚀性气体气氛中用于等离子体蚀刻腔室中的部件，构件和部件构成的部件的表面上的膜的耐用性，和等离子体色情jyeonseong如在腐蚀性气体气氛。 并且，使用等离子体处理装置的等离子体处理方法以及使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，即使在高等离子体输出的情况下也能够防止腐蚀生成物的产生。 由等离子体形成部位，所述展开构件或部件的表面的金属氧化物的，加工等离子处理装置是被暴露的腔室，至少所述多孔层和在所述腔室由金属氧化物的，以等离子体产生的气氛在多孔层上 第二重结晶层 它被覆盖。