摘要:
PURPOSE: A processing substrate and a manufacturing method thereof are provided to equally form the size of patterns on both surfaces by exposing a photosensitive resin layer with the same sensitivity. CONSTITUTION: A photosensitive resin layer(2) is formed on the surface of a substrate(1) by using a photosensitive resin compound. A plurality of penetration holes(6) is formed on the substrate. A pattern layer corresponding to the plurality of penetration holes is formed on the photosensitive resin layer formed on both sides of the substrate. The photosensitive resin layer formed on both sides of the substrate is exposed. The substrate is a support plate to support the wafer.
摘要:
[PROBLEMS] To provide a method for reducing the thickness of a substrate, which can reduce the thickness of a wafer (a substrate) with a bump provided on a circuit forming face without the separation of the bump. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A liquid resin (4) is coated to a larger thickness than the height of a bump (2) by a squeegee (3) onto a wafer (substrate) (W) in its surface (W1), and the coating is baked to form a protective film (5) having an even thickness. Thereafter, a support plate (6) is superimposed on the protective film (5), and the support plate (6) is pressed by a head (7) to conduct adhesion of the support plate (6) to the protective film (5). Next, the assembly is turned upside-down, and the backside (W2) of the wafer (W) is ground by a grinder (13) to reduce the thickness. Thereafter, a solvent is supplied through a solvent supply pipe (9) in the head (7), and the solvent is spread to the bonding interface of the protective film (5) and the support plate (6) through a number of solvent supply holes (8) in the support plate (6) to dissolve the protective film (5). Further, the solvent containing the protective film (5) dissolved therein is recovered from a solvent recovery pipe (10) in the head (7).
摘要:
반도체 웨이퍼 등의 기판을 박판화할 때, 기판의 갈라짐이나 크랙이 생기기 어려운 기판의 첩부방법을 제공한다. 반도체 웨이퍼(W)의 회로(소자) 형성면에 접착제액을 도포하고, 이 접착제액을 예비 건조시켜서 유동성을 저감시켜, 접착제층(1)로서의 형상 유지를 가능하게 한다. 예비 건조에는 오븐을 사용해서 예를 들면 80℃에서 5분간 가열한다. 접착제층(1)의 두께는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 형성한 회로의 요철에 따라 결정한다. 그 다음, 소정 두께의 접착제층(1)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)에 서포트 플레이트(2)를 첩부한다. 반도체 웨이퍼, 서포트 플레이트, 접착제층, 관통구멍
摘要:
반도체 웨이퍼 등의 기판을 박판화할 때, 기판의 갈라짐이나 크랙이 생기기 어려운 기판의 첩부방법을 제공한다. 반도체 웨이퍼(W)의 회로(소자) 형성면에 접착제액을 도포하고, 이 접착제액을 예비 건조시켜서 유동성을 저감시켜, 접착제층(1)로서의 형상 유지를 가능하게 한다. 예비 건조에는 오븐을 사용해서 예를 들면 80℃에서 5분간 가열한다. 접착제층(1)의 두께는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 형성한 회로의 요철에 따라 결정한다. 그 다음, 소정 두께의 접착제층(1)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)에 서포트 플레이트(2)를 첩부한다.
摘要:
윗면에 구리에 의해서 형성된 부분을 가지는 지지체 상에서도 고감도로 양호한 레지스트 패턴을 얻는 것이 가능한 후막(厚膜)용 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물, 후막용 화학증폭형 드라이 필름 및 후막 레지스트 패턴의 제조 방법을 제공한다. 후막용 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물로서, (A) 활성 광선 또는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물 및 (B) 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대되는 수지를 함유하며, (A) 성분이 특정 구조의 오늄불소화 알킬플루오로인산염을 함유하는 것을 이용한다.
摘要:
Disclosed are a chemically amplified positive-type photoresist composition for a thick film, a chemically amplified dry film for a thick film, and a method for producing a thick film resist pattern, all of which enable to produce a satisfactory resist pattern even on a substrate having an area made of copper on its upper surface at high sensitivity. The chemically amplified positive-type photoresist composition for a thick film comprises (A) a compound capable of producing an acid upon being irradiated with an active ray or a radioactive ray and (B) a resin whose alkali solubility can be increased by the action of an acid, wherein the component (A) comprises an onium fluorinated alkyl fluorophosphate having a specific structure. ® KIPO & WIPO 2009