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公开(公告)号:KR101644131B1
公开(公告)日:2016-07-29
申请号:KR1020130085542
申请日:2013-07-19
CPC分类号: H01B1/127 , B05D3/007 , B05D3/02 , B05D3/0254 , H01L51/00 , H01L51/0036
摘要: 위치규칙적폴리알킬티오펜및/또는위치규칙적폴리[2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노(3,2-b)티오펜]을포함하는조성물로서; 용융된후, 조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되고; 용융공정및 동일한조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되는공정을포함하지않는방법으로결정화된다른동일한조성물의결정도량의최소 2배량의결정도를가지는조성물이개시된다.
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公开(公告)号:KR1020140034684A
公开(公告)日:2014-03-20
申请号:KR1020130085542
申请日:2013-07-19
CPC分类号: H01B1/127 , B05D3/007 , B05D3/02 , B05D3/0254 , H01L51/00 , H01L51/0036
摘要: Disclosed is a composition that contains regioregular polyalkyl thiophen and/or regioregular poly′2,5-bis (3-alkyl thiophen-2-il) tieno (3.2-b) thiophen′, which is cooled at a temperature between a melting point of the composition and the glass transition temperature after being melted. The composition has a crystallinity of at least twice the crystallinity of other similar compositions crystallized by a method without a melting process and a cooling process at a temperature between the melting point of a similar composition and the glass transition temperature. [Reference numerals] (AA,EE) Crystallinity; (BB,FF) Quenching = 150°C; (CC,GG) Quenching = 100°C; (DD,HH) Quenching time (second)
摘要翻译: 公开了一种组合物,该组合物含有区域性多烷基噻吩和/或区域定向的聚-2,5-双(3-烷基噻吩-2-基)噻吩(3.2-b)噻吩',其在 熔融后的组成和玻璃化转变温度。 该组合物的结晶度至少是其它类似组合物的结晶度的至少两倍,其通过没有熔融过程的方法和在类似组合物的熔点与玻璃化转变温度之间的温度下的冷却过程结晶。 (AA,EE)结晶度; (BB,FF)淬火= 150℃; (CC,GG)淬火= 100℃; (DD,HH)淬火时间(秒)
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公开(公告)号:KR1020120078671A
公开(公告)日:2012-07-10
申请号:KR1020120000205
申请日:2012-01-02
CPC分类号: G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要: PURPOSE: A polymer, a photoresist composition comprising the same, a coating substrate using the same, and a photolithography pattern formation method using the same are provided to able to form a negative type image. CONSTITUTION: A polymer comprises a first unit formed from a monomer in chemical formula 1, and a second unit comprising a lactone portion. In chemical formula 1, L is a single bond, or a C1-C10 organic group, R1 is hydrogen, or a C1-C3 alkyl group, each R2 is independently hydrogen, or a C1-C10 organic group, each R3 is independently hydrogen, or a C1-C10 organic group, or randomly forms a ring together with combined common carbon atoms, and each R4 is independently a C1-C10 organic group, or forms a ring together with combined common carbon atoms. The polymer additionally comprises a third unit formed from a monomer which is acid-labile moiety, or alkyloxy (meth)acrylate.
摘要翻译: 目的:提供聚合物,包含该聚合物的光致抗蚀剂组合物,使用其的涂布基板和使用其的光刻图案形成方法以能够形成负型图像。 构成:聚合物包含由化学式1的单体形成的第一单元和包含内酯部分的第二单元。 在化学式1中,L是单键或C1-C10有机基团,R1是氢或C1-C3烷基,每个R2独立地是氢或C1-C10有机基团,每个R3独立地是氢 或C1-C10有机基团,或者与组合的共同碳原子一起形成环,并且每个R 4独立地为C 1 -C 10有机基团,或与合并的常用碳原子一起形成环。 聚合物另外包含由酸不稳定部分或烷氧基(甲基)丙烯酸酯形成的第三单元。
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公开(公告)号:KR1020150041774A
公开(公告)日:2015-04-17
申请号:KR1020150039910
申请日:2015-03-23
IPC分类号: C08L65/00 , C08L101/12 , C08G61/12 , C08L81/00 , H01B1/12
CPC分类号: H01B1/127 , B05D3/007 , B05D3/02 , B05D3/0254 , H01L51/00 , H01L51/0036 , C08L65/00 , C08G61/126 , C08L81/00 , C08L101/12 , C08L2203/20
摘要: 위치규칙적폴리알킬티오펜및/또는위치규칙적폴리[2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노(3,2-b)티오펜]을포함하는조성물로서; 용융된후, 조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되고; 용융공정및 동일한조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되는공정을포함하지않는방법으로결정화된다른동일한조성물의결정도량의최소 2배량의결정도를가지는조성물이개시된다.
摘要翻译: 本文公开了包含区域性多烷基噻吩和/或区域性聚[2,5-双(3-烷基噻吩-2-基)噻吩并(3,2-b)噻吩]的组合物。 其中组合物熔化,然后冷却至组合物的熔点和玻璃化转变温度之间的温度; 所述组合物的结晶度至少是通过不涉及熔融和冷却至相同组合物的熔点和玻璃化转变温度之间的温度的方法结晶的另一相同组合物的结晶度的至少两倍。
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公开(公告)号:KR101904090B1
公开(公告)日:2018-10-04
申请号:KR1020120000210
申请日:2012-01-02
IPC分类号: C08F220/26 , C08F299/04 , G03F7/027 , G03F7/26
CPC分类号: G03F7/2041 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要: 특정아세탈부분을가지는단위를함유하는폴리머및 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물이제공된다. 포토레지스트조성물로코팅된기판및 포토리소그래피패턴형성방법이또한제공된다. 상기조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.
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公开(公告)号:KR101809567B1
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:KR1020120000213
申请日:2012-01-02
IPC分类号: C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号: G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111
摘要: 아세탈부분을함유하는 (메트)아크릴레이트모노머, 상기모노머로부터형성된단위를함유하는폴리머및 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물이제공된다. 상기모노머, 폴리머및 포토레지스트조성물은포토리소그래피패턴을형성하는데유용하다. 포토레지스트조성물로코팅된기판, 포토리소그래피패턴형성방법및 전자디바이스가또한제공된다. 이들조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.
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公开(公告)号:KR101805617B1
公开(公告)日:2017-12-07
申请号:KR1020120000205
申请日:2012-01-02
CPC分类号: G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要: 락톤부분을가지는단위및 특정아세탈부분을가지는단위를포함하는폴리머가제공된다. 이폴리머를함유하는포토레지스트조성물, 이포토레지스트조성물로코팅된기판및 포토리소그래피패턴형성방법이또한제공된다. 상기폴리머, 조성물, 방법및 코팅기판은반도체디바이스의제조에특히적용가능하다.
摘要翻译: 提供了包含具有内酯部分的单元和具有特定缩醛部分的单元的聚合物。 通过涂敷光致抗蚀剂组合物的基材和光刻图案形成,还提供了含有该聚合物划时代光致抗蚀剂组合物。 聚合物,组合物,方法和涂覆的基材特别适用于制造半导体器件。
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公开(公告)号:KR101678837B1
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:KR1020150039910
申请日:2015-03-23
IPC分类号: C08L65/00 , C08L101/12 , C08G61/12 , C08L81/00 , H01B1/12
CPC分类号: H01B1/127 , B05D3/007 , B05D3/02 , B05D3/0254 , H01L51/00 , H01L51/0036
摘要: 위치규칙적폴리알킬티오펜및/또는위치규칙적폴리[2,5-비스(3-알킬티오펜-2-일)티에노(3,2-b)티오펜]을포함하는조성물로서; 용융된후, 조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되고; 용융공정및 동일한조성물의융점과유리전이온도사이의온도로냉각되는공정을포함하지않는방법으로결정화된다른동일한조성물의결정도량의최소 2배량의결정도를가지는조성물이개시된다.
摘要翻译: 定位聚烷基噻吩和/或定位聚[2,5-双(3-烷基噻吩-2-基)噻吩并(3,2-b)噻吩]; 在熔化后,冷却至组合物的熔点和玻璃化转变温度之间的温度; 公开了一种组合物,其结晶度至少是通过不涉及熔化过程的方法结晶的另一相同组合物的结晶度的两倍,并且具有冷却至相同组成的熔点和玻璃化转变温度之间的温度的过程。
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公开(公告)号:KR1020120078673A
公开(公告)日:2012-07-10
申请号:KR1020120000213
申请日:2012-01-02
IPC分类号: C07D317/14 , C07D317/08 , G03F7/004
CPC分类号: G03F7/0397 , C07D307/93 , C07D317/24 , C08F24/00 , C08F220/28 , G03F7/0382 , G06F7/38 , Y10S430/111 , C07D317/14 , G03F7/0045
摘要: PURPOSE: A polymer containing (meth)acrylate monomers and a photoresist composition containing the same are provided to form a photolithography pattern and to manufacture a semi-conductor device. CONSTITUTION: A monomer is denoted by chemical formula I. A polymer contains a unit formed from the monomer and a second unit with a lactone part. The second unit is formed from acid-unstable alkyl or alkyl oxy (meth)acrylate. A photoresist composition contains the polymers and photoacid generator. The polymer has ether, ester, polar group, or acid unstable part. A coating substrate contains a substrate and the photoresist composition.
摘要翻译: 目的:提供含有(甲基)丙烯酸酯单体和含有它们的光致抗蚀剂组合物的聚合物以形成光刻图案并制造半导体器件。 构成:单体由化学式I表示。聚合物含有由单体形成的单元和具有内酯部分的第二单元。 第二单元由酸不稳定的烷基或烷氧基(甲基)丙烯酸酯形成。 光致抗蚀剂组合物含有聚合物和光致酸产生剂。 聚合物具有醚,酯,极性基团或酸不稳定部分。 涂布基板包含基板和光致抗蚀剂组合物。
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公开(公告)号:KR1020120078672A
公开(公告)日:2012-07-10
申请号:KR1020120000210
申请日:2012-01-02
IPC分类号: C08F220/26 , C08F299/04 , G03F7/027 , G03F7/26
CPC分类号: G03F7/2041 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要: PURPOSE: A polymer, a photoresist composition comprising the same, a coating substrate using the same, and a photolithography pattern formation method using the same are provided to reduce thickness reduction at photolithography treatment, and to improve pattern collapse margin, dismemberment and photo rate, thereby capable of forming a negative image. CONSTITUTION: A polymer comprises a first unit formed from a monomer in chemical formula 1, and a second unit comprising a lactone portion. In chemical formula 1, R1 is a single bond, or a C1-C3 alkyl group, each R2 is independently hydrogen, or a C1-C10 organic group, each R3 is independently hydrogen, or a C1-C10 organic group, each R4 is independently a C1-10 organic group, or forms a ring together with combined common carbon atoms, and each R5 is independently a C1-C10 organic group, or randomly forms a ring together. The polymer additionally comprises a third unit different with the first unit and the second unit. The third unit comprises ether, ester, a polar group, or acid-labile moiety.
摘要翻译: 目的:提供一种聚合物,包含该聚合物的光致抗蚀剂组合物,使用其的涂布基板和使用其的光刻图案形成方法,以减少光刻处理时的厚度减小,并提高图案折叠边缘,分解和照相率, 从而能够形成负像。 构成:聚合物包含由化学式1的单体形成的第一单元和包含内酯部分的第二单元。 在化学式1中,R1是单键或C1-C3烷基,每个R2独立地是氢或C1-C10有机基团,每个R3独立地是氢或C1-C10有机基团,每个R4是 独立地为C 1-10有机基团,或与共同的碳原子一起形成环,每个R 5独立地为C 1 -C 10有机基团,或者一起形成环。 聚合物还包括与第一单元和第二单元不同的第三单元。 第三单元包括醚,酯,极性基团或酸不稳定部分。
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